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World File Search System电压尖峰
2021 年军事和航空航天 EMC 指南
美国联邦航空管理局 (FAA) 针对商用飞机提出的一项流行且常见的航空航天 EMC 要求是 RTCA/DO-160《机载设备的环境条件和测试程序》。最新版本是 RTCA/DO-160 G，发布于 2010 年 12 月 8 日，第 1 次变更发布于 2015 年 12 月 16 日。DO-160 涵盖的远不止 EMC 问题，其 EMC 主题还包括输入功率传导发射和敏感度、瞬变、断线和延迟；电压尖峰，用于确定设备是否能承受通过电源线（交流或直流）到达设备的电压尖峰的影响；音频频率传导敏感度，用于确定设备是否能接受在空调中安装时通常预期的幅度的频率分量；感应信号敏感度，以确定设备互连电路配置是否能接受由安装环境引起的感应电压水平；射频发射和敏感度；雷电敏感度；以及静电放电敏感度。
电池储能（BESS）的潜力与挑战
根据 PSE [1] 制定的“2023-2032 年满足当前和未来电力需求的发展计划草案”，最合适的解决方案是大幅扩大储能的可能性，因为储能是随着风电场和光伏 (PV) 电源的增加而改善电力平衡的一个因素。在 DSO 运营领域，储能系统将发挥提高供电可靠性的作用，从而确保当地能源安全，并在可再生能源产量较低时提供使用储存能源的可能性。除了 DSO 领域，储能系统还将增加电网的连接容量，例如通过共享相同连接基础设施的装置。在分布式能源中，除了优化连接功率外，它们还可以改善电力参数的质量，降低电压尖峰。储能也适用于区域供热领域，例如，当热电联产机组的功率大大超过热需求时，储能可以实现热量积累。然而，本文并未研究热能储存。
AN1785，ESD 和 EOS 的原因、区别和预防
1.电源电压浪涌超出绝对最大电压范围。2.电路板上的开关电路可能会导致电路板内部出现高压尖峰，并传播到电路板上的其他设备。3.外部连接（例如外部电缆上的电容电荷、天线拾取的外部开关噪声和电感负载）可能会产生电压尖峰。4.由于接地不良导致接地平面上出现过大噪声。5.I/O 切换产生电压过冲或下冲。6.由于电气噪声环境中的屏蔽不良而产生 EMI（电磁干扰）。7.不正确的上电顺序可能会对设备施加非预期的电压水平或极性。8.ESD 事件会导致设备损坏或削弱设备，使其更容易受到未来 EOS 事件的影响。9.如果电流很高或持续时间很长，闩锁事件可能会导致 EOS 损坏。
ta2020-020 立体声 20w (4ω) class-t™ 数字音频放大器...
电路板布局 TA2020-020 是一款功率（高电流）放大器，工作在相对较高的开关频率下。放大器的输出在驱动高电流的同时，以高速在电源电压和地之间切换。该高频数字信号通过 LC 低通滤波器，以恢复放大的音频信号。由于放大器必须驱动电感 LC 输出滤波器和扬声器负载，因此放大器输出可能被输出电感中的能量拉高至电源电压以上和地以下。为避免 TA2020-020 受到可能造成损坏的电压应力，良好的印刷电路板布局至关重要。建议在所有应用中使用 Tripath 的布局和应用电路，并且只有在仔细分析任何更改的影响后才可以偏离。下图是 Tripath TA2020-020 评估板。电路板上最关键的组件之一是电源去耦电容。如图所示，C674 和 C451 必须放置在引脚 22 和 19 的旁边。如图所示，C673 和 C451B 必须放置在引脚 25 和 28 的旁边。输出级的这些电源去耦电容不仅有助于抑制电源噪声，而且还能吸收放大器输出过冲引起的 VDD 引脚上的电压尖峰。在发生高电流开关事件（如短路）期间，输出电感器反激也可能导致电压过冲
一种可调且多功能的 28nm FD-SOI 交叉输出电路，用于通过 eNVM 突触进行低功耗模拟 SNN 推理
关键词；UTBB 28nm FD-SOI、模拟 SNN、模拟 eNVM、eNVM 集成。2. 简介基于新兴非易失性存储器 (eNVM) 交叉开关的脉冲神经网络 (SNN) 是一种很有前途的内存计算组件，在边缘低功耗人工智能方面表现出卓越的能力。然而，eNVM 突触阵列与 28nm 超薄体和埋氧全耗尽绝缘体上硅 (UTBB-FDSOI) 技术节点的共同集成仍然是一个挑战。在模拟脉冲神经网络 (SNN) 中，输入神经元通过一电阻一晶体管 (1T1R) 突触与输出神经元互连，计算是通过突触权重将电压尖峰转换为电流来完成的 [1]。神经元将尖峰积累到预定义的阈值，然后产生输出尖峰。神经元区分和容纳大量突触和输入脉冲的能力与神经元放电阈值的电压摆幅直接相关。这主要取决于膜电容、突触电荷的净数量和低功率神经元的阈值 [2]。
电池能量存储的潜力和挑战
根据PSE [1]开发的“满足当前和未来电力需求的开发计划草案”，最合适的解决方案是显着扩大储能的可能性，这是由于它作为改善风电场和光伏（PV）（PV）来源的电力平衡的因素而作用。在DSO操作领域，能源存储系统将履行提高电源可靠性的功能，从而确保本地能源安全，并提供在Res生产较低时使用存储能源的可能性。除了DSO区域外，储能系统还将增加电网的连接能力，例如通过共享相同连接基础结构的安装。在分布式能量中，除了优化连接功率外，它们还提高了电力参数的质量，从而降低了电压尖峰。能源存储在地区供暖部门中也很有用，例如在热电联产单位的功率显着超过热量需求时，热量积聚。但是，在本文中没有研究储能。
低功率的可调和多功能28nm的FD-SOI横杆输出电路
关键字; UTBB 28NM FD-SOI，Analog SNN，Analog Envm，Envm Integration。2。简介基于新兴的非易失性记忆（ENKM）横杆的尖峰神经网络（SNN）是有希望的内存计算组件，这些组件具有出色的能力，可在边缘低功率人工智能。然而，Envms突触阵列与28nm超薄体和掩埋的氧化物完全耗尽的硅在绝缘子中（UTBB-FDSOI）技术节点的结合是一个挑战。在模拟尖峰神经网络（SNN）中，输入神经元通过单位驱动器透射器（1T1R）突触与输出神经元互连，并通过突触量通过突触转换为电流的电压尖峰来完成计算[1]。神经元会积聚尖峰到预定义的阈值，然后产生输出尖峰。神经元能力区分和容纳大量突触和输入尖峰的能力直接与直至神经元的射击阈值的电压摆动直接相关。这主要取决于膜电容，突触电荷的净数和低功率神经元的阈值[2]。
TDG650E601TSP 空间 GaN E-mode 晶体管
栅极驱动为获得最佳 R DS(on) 性能，建议的栅极驱动电压范围 V GS 为 0 V 至 + 6 V。此外，重复栅极至源极电压最大额定值 V GS(AC) 为 +7 V 至 -10 V。对于长达 1 µs 的脉冲，栅极可以承受高达 +10 V 和 – 20 V 的非重复瞬变。这些规格使设计人员能够轻松使用 6.0 V 或 6.5 V 栅极驱动设置。在 6 V 栅极驱动电压下，增强型高电子迁移率晶体管 (E-HEMT) 得到完全增强并达到其最佳效率点。可以使用 5 V 栅极驱动，但可能会导致工作效率降低。从本质上讲，GaN Systems E-HEMT 不需要负栅极偏置来关闭。负栅极偏置（通常为 V GS = -3 V）可确保在栅极电压尖峰下安全运行，但是，如果驱动不当，它可能会增加反向传导损耗。有关更多详细信息，请参阅 www.gansystems.com 上的栅极驱动器应用说明“采用 GaN E-HEMT 的栅极驱动器电路设计”
适用于助听器应用且具有改进瞬态响应的面积高效低压差稳压器
摘要：本文介绍了一种低压差稳压器，其规格适用于助听器设备。所提出的 LDO 占用的芯片面积非常小，并提供出色的瞬态响应。LDO 架构中采用了一种新颖的电压尖峰抑制器模块，可降低负载突变期间输出电压的下冲和过冲。它引入了一个次级负反馈环路，其延迟小于主环路，并在需要时将静态电流引导至输出节点。这不仅提高了整体电流效率，而且还降低了片上电容。所提出的 LDO 采用 180 nm 标准 CMOS 技术进行布局，并进行了后布局模拟。当施加 1 V 的最小电源电压时，LDO 产生 0.9 V 输出。调节器可以驱动 0.5 mA 的最大负载。LDO 分别表现出 4.4 mV/V 和 800 μ V/mA 的线路和负载调节。当受到阶跃负载变化的影响时，记录到 20.34 mV 的下冲和 30.28 mV 的过冲。为了使 LDO 正常运行，只需要 4.5 pF 的片上电容。
飞机安装中 EFIS 系统问题的常见原因...
在低湿度条件下普遍存在，当湿度较高时可能会“消失”，这进一步增加了定位这些问题的难度。请注意，发动机装置的电气隔离部件也可能导致类似问题。放电会对 EFIS 电源造成严重影响，从而导致故障。验证和定位问题可能很困难，但这里有一些基本提示：使用一个简单的欧姆表，一端接地，另一端接长导线。识别任何可能隔离的金属或导电部件，并确保接地导电。使用一个简单的长波接收器（AM 收音机）调到任意但安静的频率来监听发动机运转时的放电（这会引起噼啪声）。在严重的情况下，请考虑将音频输出连接到飞机的对讲系统，以便您可以在飞行中收听。放电涉及短时间内非常大的电流。根据您的接线 – 这可能会导致您的 EFIS 电源出现较大的电压尖峰。直接向信号或控制线放电可能会损坏连接的设备。对于与发动机相关的放电，我们发现在夜间拆下发动机罩运行发动机非常有效 – 天黑时放电非常明显。我们发现一种情况是，放电发生在使用隔离橡胶支架安装的散热器周围 – 在其中一个支架周围快速接地带解决了问题。放电能量通过发动机温度传感器进入仪器。