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学习模块5时间序分析109简介110与时间序列工作112线性趋势模型113线性趋势模型113线性趋势模型113对数线性趋势模型116相关误差的趋势模型和测试121 AR时间序列模型和协方差型模型和协方差阶段序列序列序列122串联序列123检测串行的串行式和替代型号的速度123均值123均值123多重预测和预测的链条规则128比较预测模型绩效131回归系数的不稳定性134随机步行136随机步行136非平稳性的单位根测试140移动平均时间序列145型145型号的平均n-Period移动145移动型号145的型号145的型号145个型号149模型和拱形型号155自回归有条件异质性模型模型156一个以上的时间序列159其他时间序列中的其他问题163建议的时间序列的步骤预测164摘要166参考文献169实践问题170解决方案170 Solutions 188
2 4光电实验技术光电实验室光电工程概论33 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3技术工业和微电源行业的技术半导体设备半导体产业技术专论33半导体行业和技术的特殊主题半导体磊晶技术33半导体外延技术
v3 具有全面的测试程序:台式和测试光束、辐照、NASA 有效载荷任务(A-STEP)的四芯片读数、与 ePIC 的 Pb/SciFi 集成(研发研究和测试文章生产)
传统可靠性评估方法侧重于可靠性预测,而 PoF 方法则关注预防、检测和纠正与产品设计、制造和操作相关的故障。PoF 方法的基础是产品要求的定义,包括在操作和非操作期间暴露于温度、湿度、振动、冲击、腐蚀、辐射和电力等应力,以确定产品可能如何发生故障。然后进行可靠性评估,针对主要故障部位,并确定产品是否能达到预期寿命,或者是否必须采取其他措施来提高其稳健性。
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Field Effect Devices (FET) 4.1 JFET: Construction, symbol, operation, V-I & transfer characteristics MOSFET: Construction, operation, symbol, V-I & transfer characteristics of the DMOSFET & E-MOSFET (theoretical description only for JFET & MOSFET) 4.2 DC Circuit Analysis: DC load line, Q-point & region of operation, common MOSFET configurations of common source (CS), common drain (CD) & common gate (CG),分析偏置电路(仅针对E-MOSFET&D-MOSFET的数值示例; NO JFET)4.3 AC分析:AC负载线,MOSFET的小信号(AC)模型及其等效电路,小信号(AC)的小信号(AC)共同源(CS)配置MOSFET MOSFET AMPLIFIER(包括数字)(数值)>