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如何通过近距性效应通过互距
摘要。石墨烯具有探索奇异的超导性的承诺。使石墨烯在大尺度上成为超导体是一个持久的挑战。可能使用超导底物依靠外延生长的石墨烯。这样的基材很少，通常会破坏电子带结构的狄拉克特征。Using electron diffraction (reflection high-energy, and low-energy), scanning tunneling microscopy and spectroscopy, atomic force microscopy, angle-resolved photoemission spectroscopy, Raman spectroscopy, and density functional theory calculations, we introduce a strategy to induce superconductivity in epitaxial graphene via a remote proximity effect, from rhenium底物通过插入的金层。弱的石墨烯-AU相互作用与强烈不希望的石墨烯 - RE相互作用形成鲜明对比，通过减少的石墨烯波纹，石墨烯和基础金属之间的距离增加，线性电子分散体和特征性振动签名，这证明了后者的两种特征，也揭示了略微的plate特征。我们还揭示了接近性超导性的插入方法的主要缺点是在石墨烯中产生高点缺陷密度（10 14 cm -2）。最后，我们在低温下展示了石墨烯/AU/RE（0001）中远程接近性超导性。
JBCE关于废物运输法规的位置文件...
和条目A1181 3，根据条目A1180修改。•Y49的事先通知和同意程序（PIC程序）的新要求，这是一种非危害废物，如果确定货物是否合格为Y49是否有Y49的确定是否从一个成员国变化，则可能导致欧盟内部和欧盟内部和外部E-Scrap的分布显着延误。•例如，如果在“巴塞尔公约”定义下应归类为Y49的商品被错误地归类为A1181，则可能必须再次执行PIC申请，并且此后5月，随后在运输国家进行PIC程序时会引起问题。我们期望在欧盟中排毒的各种电子剥离将被所有成员国的当局统一地归类为Y49。•对于成员国的当局和运营商，应明确有关如何根据《巴塞尔公约》将A1181和Y49归类为A1181和Y49，以使授权法规修改的废物运输法规以统一的方式进行，并充分保证可预见性。在这方面，JBCE希望发布明确的指导文件和常见问题解答。•此外，为了掌握电子废物和电子带分布的实际状况，并实现适当和快速的交易，欧盟委员会和成员国的当局应发布统计信息，以显示PIC程序的趋势以及A1181和Y49的分布趋势，并在申请合法规定后的应用后。
硫代锂锂中电荷转运的机理 - 虹膜
摘要：锂邻磷酸锂（Li 3 PS 4）已成为固态电池电池的有前途的候选人，这要归功于其高电导阶段，廉价的组件和较大的电化学稳定性范围。尽管如此，Li 3 PS 4中锂离子转运的显微镜机制远非充分理解，PS 4动力学在电荷运输中的作用仍然存在争议。在这项工作中，我们建立了针对最先进的DFT参考的机器学习潜力（PBESOL，R 2扫描和PBE0），以在Li 3 PS 4（α，α，β和γ）的所有已知阶段（α，α，β和γ）的所有已知阶段解决此问题，以实现大型系统大小和时间尺度。我们讨论了观察到的Li 3 PS 4的超级离子行为的物理来源：PS 4翻转的激活驱动了结构性过渡到高导电阶段，其特征在于Li地点的可用性增加以及锂离子扩散的激活能量的急剧降低。我们还排除了PS 4四面体在先前声称的超级离子阶段中的任何桨轮效应，这些阶段以前声称，由于PS 4 Flips的速率和Li-ion Hops在熔化以下的所有温度下，li-ion扩散。我们最终通过强调了Nernst -Einstein近似值以估计电导率的失败来阐明电荷转运中外部动力学的作用。我们的结果表明，对目标DFT参考有很强的依赖性，而PBE0不仅对电子带隙，而且对β-和α -LI 3 PS 4的电导率提供了最佳的定量一致性。
Mn取代的Bafe
化学替代通常用于探索材料中的新基础状态，但疾病的作用经常被忽略。在MN取代的BAFE 2 AS 2（MNBFA）中，尽管在标称孔掺杂相的相位观察到了超导性（SC）。相反，出现了玻璃磁相，与S = 5 /2 MN局部自旋相关。在这项工作中，我们使用角度分辨光发射光谱（ARPES）对MNBFA的电子结构进行了全面研究。我们发现MN会导致电子口袋的小且特异性的降低，仅部分破坏了嵌套条件。基于对光谱特性的分析，我们观察到所有频段，电子散射速率随MN含量的函数的增加。这被解释为增加的带不连贯性，我们认为这是抑制MNBFA磁顺序的主要因素。此发现将MNBFA电子带结构的特性与这些材料中观察到的玻璃磁性行为联系起来，并表明由于散布了Fe衍生的激发的集体磁杂质行为，因此不存在SC。此外，我们的分析表明，自能量[IM（E B）]虚拟部分的结合能（E B）依赖性通过分数缩放（IM（E B）∝√-E B）最好描述。这些结果表明，MN将MNBFA调为Bafe 2 AS 2中相关的Hund的金属与BAMN 2 AS 2中的Hund的绝缘体之间的MNBFA变为电子障碍相。
紧张的Moiré晶格中的半经典量化条件
近几十年来，科学家掌握了由单个原子或分子层组成的二维晶体的创建。当这些晶体被轻微的偏移或旋转堆叠时，它们会产生大规模的干扰模式，称为Moiré模式。在这样的莫伊尔材料中，电子状态与莫伊尔图案的周期性一致，而不是原始晶体的周期性，对材料的电子特性产生了深远的影响。扭曲的双层石墨烯（TBG），其中两层石墨烯略有扭曲，是这种现象的主要例子。石墨烯是一种二维晶体，该晶体由排列在蜂蜜梳子晶格中的单层碳原子形成。当以特定的扭曲角度堆叠（称为魔法角度）时，TBG具有显着的特性，包括非常规超导性和低能量处的电子带结构的区别。Tarnopolsky，Kruchkov和Vishwanath [TKV19]引入了TBG的手性连续体模型，该模型通过精确地展示了Bloch-Floquet乐队，从而捕捉了TBG魔法角度的这种基本性质。在[bewz21，bewz22]中显示，由于扭曲角度非常小，几乎每个接近零能量的频段基本上都是为此模型的。在本文中，我们研究了Timmel和Mele [TM20]引入的上述手性模型的类似物，其中Moiré-type结构通过应用物理菌株在一个维度中占据一维。虽然此模型确实
电泵浦 GeSn/SiGeSn 多量子阱激光器在连续波中运行
Si 基光子集成电路 (PIC) 将光学活性元件单片集成在芯片上，正在改变下一代信息和通信技术基础设施 1。在寻找基本的直接带隙的过程中，人们对 IV 族半导体合金进行了深入研究，以获得电泵浦连续波 Si 基激光器。沿着这条路径，已经证明可以通过化学计量和应变工程将新开发的 GeSn/SiGeSn 异质结构的电子带结构调整为直接带隙量子结构，从而为激光提供光增益 2。在本文中，我们介绍了一种多功能电泵浦激光器，它在低温下发射近红外波长为 2.35 µm 的低阈值电流为 4 mA（5 kA/cm 2）。它基于 6 周期 SiGeSn/GeSn 多量子阱结构，沉积在具有弛豫 Ge 缓冲层的 Si 衬底上。通过定义一个圆形台面结构来制作小尺寸微盘腔激光器，该结构蚀刻穿过层堆栈直至 Si 衬底。随后，通过去除此区域的 Ge 缓冲层，将盘的边缘蚀刻 900 nm。剩余的 Ge 基座用作 p 接触区以及激光器的散热器（图 1 a、b）。在这个简单的结构中，由于 SiGeSn 的导热性较差，有源区的实际晶格温度比热浴 T b 高约 60K。但是，激光器在 T b =40K 以下以连续波 (CW) 模式工作，但也可以在 T b =77K 时以直接调制模式高效工作至 ns 脉冲。
dft探索新型直接带隙半导体卤化双钙质，
双钙钛矿卤化物是可再生能源生产的有前途的材料，满足解决能源稀缺问题的标准。因此，研究这些卤化物可能对光电和太阳能电池应用有用。在这项研究中，我们使用全电位线性线性的增强平面波（FP-LAPW）方法，使用密度功能理论计算，研究了2 agircl 6（a = cs，rb，k）的结构，机械，热力学，电子和光学特性，以评估其适用于renewability的适用性，并使用全电位线性的增强平面波（FP-lapw）方法来计算。金匠公差因子，八面体因子和新的公差因子已经证实了预测化合物的立方稳定性。我们还通过计算形成焓，结合能和声子分散曲线来验证这些化合物的热力学稳定性。此外，对刚度常数的Born-huang稳定性要求证实了标题化合物的机械稳定性。为了预测准确的光电特性，我们采用了TB-MBJ电位。电子带结构的计算表明，标题为halides的直接带隙半导体性质，值分别为1.43 eV，1.50 eV和1.55 eV，分别为CS 2 AGIRCL 6，RB 2 AGIRCL 6和K 2 AGIRCL 6。此外，所有这些化合物都显示出非常低的有效电子质量，表明它们的高载体迁移率可能。这些化合物的光电导率和吸收光谱验证了我们的条带结构结果的准确性。此外，2 AGIRCL 6（A = CS，RB，K）化合物的光学性质表现出非常低的反射率和出色的光吸收系数（10 5 cm -1）在可见光光谱中，表明它们作为太阳能电池中吸收层的适合性。
二维MSI2N4（M = GE，SN和PB）单层
摘要MOSI 2 N 4和WSI 2 N 4的二维（2D）分层晶体的最新增长引起了人们对其出色的特性和潜在应用的重大兴趣。这一发展为新的和大型的2D材料铺平了道路，其一般公式为MA 2 Z 4。在这方面，由这个令人兴奋的家族驱动的，我们提出了M si 2 N 4（M = GE，SN和PB）单层的两个结构阶段（1T - 和1H-），并通过使用第一个Principles方法研究了它们的结构，振动，机械，电子和光学特性。这两个阶段具有相似的凝聚力，而1T结构在能量上比其1H对应物更有利。对声子光谱和从头算分子动力学模拟的分析表明，除1H -GESI 2 N 4外，所有建议的单层即使在高温下也是动态稳定的。通过计算其弹性常数（C IJ），平面刚度（Y 2D），泊松比（ν）和最终的拉伸应变（UTS）来检查所提出晶体的弹性稳定性和机械性能。值得注意的是，所考虑的系统表现出突出的机械特征，例如实质的内部刚度和高UTS。计算出的电子带结构表明，1T - 和1H-M SI 2 N 4纳米片是宽频段间隙的半导体，其能带间隙从可见光到光谱的紫外线范围跨度，适用于高强度的纳米电源设备的应用。最后，对光学性质的分析表明，设计的系统具有各向同性光谱，并且取决于系统的类型，紫外线的鲁棒吸收和可见光（尤其是在1H -PBSI 2 N 4 4 Monolayer中）。我们的研究不仅向2D MA 2 Z 4晶体的家族介绍了新成员，而且还揭示了他们有趣的物理特性，并建议他们作为多种纳米力学和光电应用的有前途的候选人。
2D有机半导体中的激子动力学
抽象的二维（2D）半导体材料已被广泛研究其有趣的激子和光电特性，这些特性是由强烈的多体相互作用和在2D极限下的量子限制引起的。这些材料中的大多数都是无机的，例如过渡金属二北元化，磷烯等。有机半导体材料的出色电导率和低介电系数，用于在薄膜或大量材料相中的类似应用。在薄膜和散装相中缺乏结晶度，导致了激子和电子/光节间隙特性的歧义。最近的2D有机材料的出现已经打开了一个高结晶度和受控形态的新领域，从而可以研究低洼的激子状态和光电特性。与无机2D材料中的Wannier -Mott激子相比，它们已被证明具有不同的激子特性。在这里，我们介绍了我们最近对2D有机半导体材料的实验观察结果和分析。我们讨论了单晶材料的高晶和形态控制的生长及其光电特性的作用。该报告解释了有机材料中的Frenkel（FR）和电荷转移（CT）激子以及随后的光发射和吸收特性。实验研究并讨论了源于CT和FR激子之间的相互作用，这是由CT和FR激子之间的相互作用产生的，以揭示电子带的结构。然后，我们讨论我们在J型聚集的有机材料中观察到的纯FR行为，从而导致连贯的超级激体排放。在有机材料中，激发子的超级转移，由其纯粹的fr性质促进，以及在大量分子上的激子的离域化。最后，我们讨论了这些有机2D材料的应用和视力，在快速有机发光二极管，高速激发电路，量子计算设备和其他光电设备中。
零场有限摩托车和野外诱导的altermagnets
简介。最近发现的Altermagnetism [1-8]通过引入第三种磁性，开辟了新的凝结物理学研究领域[9]，除了两种长期已知的磁性：铁磁性和抗逆性磁性。altermagnetism在非相互作用的电子带结构中的非同性旋转分裂引起的材料中出现，因此并不是由于电子相互作用而引起的，通常与磁性有关。Altermagnetism背后的非常规机制也导致完全不同的对称特性。在altermagnets中，由于克莱默的自旋变性而出现的磁化值是动量依赖性的，符号变化值和节点。值得注意的是，由于符号变化，净磁化在Altermagnet中仍然为零。替代磁性已经被提议存在于许多材料中，其中大多数显示了d-Wave-symerry [9]，包括父母蛋饼材料LA 2 CUO 4 [3]。由于掺杂的铜材料是带有自旋的d波配对对称性的固有超导体[10，11]，因此在Altermagnets中具有D-波超导性的诱人前景。几乎所有已知的超导体都被Bardeen，Cooper和Schrieffer（BCS）[12]理论很好地描述了，其中具有相反动量K和 - K的电子以及相反的旋转↑和↓对在旋转式结合中进行。因此，增加自旋分裂最终会破坏BCS状态。当旋转退化性破裂时，这些自旋平线对库珀对变得不那么能量有利，由于材料中存在固有的净化杂志而导致的自旋分裂产生了良好的自旋分裂。仍然，通过形成有限的质量中心动量，超导性已被证明可以为更大的外部磁场而生存，从而导致无限型摩托车超导性，