硅是一种用于低温热能清除应用的丰富元素热电材料,通常患有相当低的热电效率。提高效率的一种可行解决方案是提高非硅硅(A-SI)的功率因数(PF),同时保持热导率足够低。在这项工作中,我们报告说,Pf> 1 m wm-1 K-2是可用于硼植入的p型P型A-SI膜,该膜分散,通过在温度≤600°C的温度下通过退火而实现的超细晶体。在550°C下退火可启动用嵌入A-SI基质中的亚纳米晶体结晶。所得的薄膜保持高电阻,因此产生了低的PF。在600°C下的退火大约使以双峰尺寸分布特征的特征降低了亚5-nm纳米晶体的密度,并因此减少了膜中无定形相的分数。因此,在室温下测得的PF> 1 m wm -1 k - 2急剧增强的电导率,因此Pf> 1 m wm -1 k -2。结果表明,在大型热电应用中,硅具有巨大的潜力,并基于硅热电话建立了通往高性能能量收集和冷却的途径。
1材料部的化学和物理单位,贾瓦哈拉尔·尼赫鲁(Jawaharlal Nehru)高级科学研究中心,班加拉罗尔560064,印度2,印度2国际材料科学中心,Jawaharlal Nehru先进科学研究中心,班加拉罗尔560064,印度560064,印度360064,印度材料3次高级材料学院。 IMN-CSIC,C/ISAAC NEWTON 8,TRES CANTOS,TRES CANTOS,28760 MADRID,MADRID 5澳大利亚州5澳大利亚州Microscopy and Microanalysis中心,NEW,新南威尔士州Camperdown,2006弗吉尼亚大学,夏洛茨维尔,弗吉尼亚22904,美国8物理系,弗吉尼亚大学夏洛茨维尔,弗吉尼亚州22904,美国
1 米尼奥大学物理中心,4710-057,布拉加,葡萄牙 2 米尼奥大学 IB-S 可持续发展科学与创新研究所,4710-057,布拉加,葡萄牙 3 米尼奥大学聚合物与复合材料研究所 IPC/I3N,4800-058 吉马良斯,葡萄牙 4 BCMaterials,巴斯克材料、应用与纳米结构中心,HU 科技园,48940 Leioa,西班牙 5 IKERBASQUE,巴斯克科学基金会,48013,毕尔巴鄂,西班牙
本课程旨在帮助学生思考和欣赏自然界中无数的生物电现象。这包括动物、植物和多种生物材料中的生物电信号。这些不仅对系统的生理功能很重要,而且为开发用于可持续发展的新型传感器、执行器、能量收集平台提供了巨大的灵感。本课程的重点是强调“我们如何记录来自各种样本的电信号,分析它们,并以创新的方式思考如何将它们用于能量收集和其他生物工程应用。本课程的最终目标是让学生能够利用他们的概念理解来开发可持续技术。
本报告涵盖了通过搭接剪切、TGA、DSC 和电气测试评估纳米 SiC 粒子对环氧树脂机械、热和电性能影响的研究结果。还研究了填充有微 SiC 粒子的环氧复合材料以进行比较。详细讨论了性能改进的机制。结果表明,在相同的负载下,硅烷处理的纳米 SiC 填充纳米复合材料具有最佳性能。添加硅烷处理的纳米 SiC 粒子后体积电阻率的下降、介电常数“的增加和损耗角正切 tanðÞ 的增加小于添加其他填料后体积电阻率的下降、介电常数“的增加和损耗角正切 tanðÞ 的增加。纳米粒子的硅烷处理改善了每项性能,包括增加了剪切强度、热稳定性、体积电阻率并降低了“和()。纳米SiC粒子的加入显著提高了环氧树脂的剪切强度、介电常数和界面黏度,同时略微提高了环氧树脂的热稳定性。8vol.%硅烷处理的纳米SiC/环氧树脂复合材料具有最高的剪切强度10.6MPa,与纯树脂相比最大提高了80%。它还具有良好的介电性能的温度独立性和足够的体积电阻率,满足一些微电子材料的要求。关键词:SiC/环氧树脂复合材料/纳米复合材料/机械性能/热性能/介电性能/
研究了 O 2 等离子体处理对 Ba 0 : 7 Sr 0 : 3 TiO 3 (BST) 薄膜电特性和介电特性的影响。将沉积态和退火态的 BST 薄膜暴露于 O 2 等离子体后,BST 薄膜的漏电流密度可以得到改善。通常,在施加 1.5 V 电压下,与未经等离子体处理的样品相比,漏电流密度可以降低 3 个数量级。研究发现,等离子体处理改变了表面形貌。BST 薄膜的电容降低了 10% 至 30%。等离子体处理样品的漏电流密度的改善和介电常数的降低可归因于 BST 薄膜中碳污染的减少。时间相关电介质击穿 (TDDB) 研究表明,所有样品在 1 V 电压偏置下均有超过 10 年的使用寿命。© 2000 Elsevier Science Ltd. 保留所有权利。