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World File Search System电容反馈
具有共栅极跨导的 1-V 4-mW 差分折叠混频器，采用多反馈实现 18.4-dB 转换增益、+12.5-dBm IIP3 和 8.5-dB NF
摘要 — 本文报道了一种新型差分折叠混频器，该混频器采用多重反馈技术来提高性能。具体而言，我们引入了电容交叉耦合 (CCC) 共栅 (CG) 跨导级，通过提高有效跨导来改善低功耗下的噪声系数 (NF)，同时通过抑制二阶谐波失真来提高线性度。通常，CCC 产生的环路增益会增加三阶互调 (IM3) 失真，从而降低输入参考三阶截点 (IIP3)。在这里，我们建议在 CCC CG 跨导器中加入正电容反馈和第二个电容反馈，不仅可以抑制 IM3 失真电流，还可以增加输入晶体管的设计灵活性。此外，正反馈还通过灵活的设计标准改善了输入阻抗匹配、转换增益和 NF。采用 0.13 µ m 工艺制作的原型机，所提出的混频器工作在 900 MHz，在 1 V 电压下功耗为 4 mW。测得的双边带 (DSB) NF 为 8.5 dB，转换增益 (GC) 为 18.4 dB，IIP3 为 + 12.5 dBm。
CMOS 可编程增益低噪声 TIA 的设计方法
本研究报告了一种面积高效、无电感、低噪声 CMOS 跨阻放大器的设计，适用于入门级光时域反射仪。本研究提出了一种新方法，用于在电容反馈 TIA 中实现可编程增益，使用输入级偏置阻抗和其中一个反馈电容器独立调整低频和高频行为。该方法解决了快速前馈或电阻反馈拓扑的典型噪声问题，同时缓解了关键 TIA 性能指标的权衡。提出了一种更精确的放大器模型，该模型考虑了电容隔离和两个偏置电路的影响。建议对参考设计进行进一步修改，包括基于 PMOS 的偏置电路实现，以解决电压余量问题。该电路采用标准 180 nm CMOS 工艺实现，采用 1.8 V 电源供电，电流为 11.7 mA。