XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System电荷平衡
结合刺激与双模电荷平衡和时域流水线记录的 CMOS BD-BCI
基于皮层脑电图 (ECoG) 的双向脑机接口 (BD-BCI) 引起了越来越多的关注，因为：(1) 需要同时进行刺激和记录以恢复人类的感觉运动功能 [1] 和 (2) 良好的空间分辨率和信号保真度以及临床实用性。在刺激方面，这种 BD-BCI 可能需要 >10mA 的双相电流来引发人工感觉，以及 >20V 的电压顺应性以适应各种生物阻抗 [1]。两个刺激相之间的电荷不匹配会导致电压积累，从而造成电极腐蚀和组织损伤。现有的电荷平衡 (CB) 技术，例如电荷包注入 (CPI) [2] 和基于时间的电荷平衡 (TCB) [1]，会在脉冲间隔内产生 CB 电流，导致不必要的二次感觉和过度的刺激伪影 (SA)。对于记录，低输入参考噪声 (IRN) 是获取小神经信号 (NS) 所必需的，而大动态范围 (DR) 则是容纳大 SA 所必需的。现有的记录系统采用 SAR [1] 或连续时间 delta-sigma (CT-ΔΣ) [3] ADC（图 4）。前者由于 DAC 不匹配而具有有限的 DR，而后者则受到环路延迟内大幅度尖锐 SA 引起的失真的影响。尽管在 [4] 中，ΔΣ-ADC 的采样频率会自适应地变化以适应 SA，但所需的稳定时间很长。为了解决上述问题，本文提出了一种基于 ECoG 的 BD-BCI，其中包括：(1) 具有双模基于时间的电荷平衡 (DTCB) 的高压 (HV) 刺激系统和 (2) 高动态范围 (HDR) 时域流水线神经采集 (TPNA) 系统。图 1 描绘了所提出的 BD-BCI。刺激系统包括 4 个刺激器，每个刺激器包括一个 8 位分段电流控制 DAC 和一个 HV 输出驱动器，用于生成刺激脉冲。为了执行 CB，每个刺激器都采用具有 2 种模式的 DTCB 环路，即无伪影 (AL) TCB 和脉冲间有界 (IB) TCB 模式。3 阶 II 型 PLL 为基于时间的量化创建所需的时钟。记录系统有 4 个通道，每个通道都采用低增益模拟前端 (LG-AFE)、HDR 电压时间转换器 (VTC)、两步流水线 (TSP) TDC 和一个数字核心，其中操作模式由状态机控制。受 [1] 的启发，所提出的 DTCB 的工作原理如图 2 所示。AL-TCB 监测电极电压 V ESn -V CM （1≤n≤N；此处，N=4）并调整后续刺激脉冲的幅度而不产生额外的 SA，而当 |V ESn -V CM | 过大而需要立即去除电荷时，IB-TCB 在下一个刺激脉冲之前完成 CB。在第一个 T CC 开始时，如果 |V ESn - V CM |≤V TH,AL （V TH,AL 是标志着需要立即去除电荷的过电位阈值），则 AL-TCB 导通，并且 V ESn - V CM 在第一个 T CC 周期内由 VTC 和 TDC 数字化。然后将数字数据 D TDCn 馈送到通道间干扰消除 (ICIC) 模块，该模块可补偿由于多极刺激导致的通道间干扰 (ICI) 引入的电压误差。接下来，数字直流增益增强器 (DDGB) 有助于提高 CB 精度，而不会降低 AL-TCB 环路稳定性。为了执行 CB，AL-TCB 的电流（例如，I AL-Cn ）（其大小由 DDGB 输出 D ALn 控制）被添加到后续刺激电流中以调整其大小。相反，仅当 |V ESn -V CM |>V TH,AL 时，IB-TCB 才会开启并在一个 T IP 内的几个 T CC 中执行 CB，直到 |V ESn - V CM |
用于双向脑机接口 (BD-BCI) 的完全植入式电荷平衡人工感官刺激器原型
Biopac 摘要 — 用于恢复运动和感觉的双向脑机接口 (BD-BCI) 必须实现同时记录和解码来自大脑的运动命令以及通过体感反馈刺激大脑。之前，我们开发并验证了一种用于运动解码的完全植入式 BCI 系统的台式原型。在这里，原型人工感觉刺激器被集成到台式系统中，以开发完全植入式 BD-BCI 的原型。人工感觉刺激器采用基于脉冲宽度调制的主动电荷平衡机制，以确保对长期接口电极的安全刺激，防止损伤脑组织和电极。在幻影脑组织中测试了 BD-BCI 系统的主动电荷平衡的可行性。通过电荷平衡，可以明显去除电极上的残留电荷。这是迈向完全植入式 BD-BCI 系统的关键里程碑。
reaxff手册-SCM
2 reaxff输入3 2.1力场规范。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。3 2.2推荐的晶格大会。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。3 2.3平滑的势能表面。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4 2.4债券订单和距离截止。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。5 2.5非反应模式。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。5 2.6电荷平衡。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。6 2.6.1电荷约束。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。7 2.7原子应激（每种原子应力张量）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。8
能源与环境科学-RSC出版
可持续能源产生的份额不断增长，并将继续导致效果储能系统的重要性显着增加，因为它变得越来越有必要弥补能够在电网中弥补可再生能源的波动。1,2在大量可能的技术中，一种有希望的电化学能量系统是氧化还原流量电池（RFB），例如全泡氧化还原流量电池（AVRFB）。3,4，在两个半细胞中，不同的氧化态种类用作氧化还原对。这比RFB具有一个显着的优势，而RFB在每个半细胞中采用了不同的金属氧化还原对，因为通过膜对钒物种的交叉污染不会导致AVRFBS的永久损失，从而导致系统的寿命较短。5,6 AVRFB的原理如图所示 1。 电池的两个半细胞通过质子交换膜（PEM）隔开，该质子交换膜（PEM）促进了通过质子传递的电荷平衡，而电气导体可确保电子的流动。 应该注意的是，也可以使用阴离子交换膜；但是，PEM是最常用的膜。 7–9因此，阴离子交换膜将5,6 AVRFB的原理如图1。电池的两个半细胞通过质子交换膜（PEM）隔开，该质子交换膜（PEM）促进了通过质子传递的电荷平衡，而电气导体可确保电子的流动。应该注意的是，也可以使用阴离子交换膜；但是，PEM是最常用的膜。7–9因此，阴离子交换膜将
电荷平衡的垂直力量MOSFET具有记录的High Balliga功绩数字：设计与调查
摘要：在这项工作中，我们设计和模拟了具有电荷平衡漂移层的高性能垂直功率MOSFET，这调节了从超级二次到线性的RON-BV关系。所提出的设备是使用超级接线漂移层设计的，该层调节了从超级二次到线性的RON -BV关系。所提出的设备具有从超级接线漂移层隔离的源和通道区域。与Balliga的功绩相比，与其他常规设备相比，该设备的性能显着改善。一项2D TCAD仿真研究表明，外延层厚度为50μm的拟议装置显示，电阻为3.84MΩ.cm2，分解电压为833V，这是以前文献中在此故障电压下在先前文献中报告的电阻最低的电压。此外，还完成了电荷不平衡和电容分析的研究，包括计算门电荷。Balliga为所提出的结构的所有漂移厚度计算的Balliga值（FOM）的值显着超过了迄今为止报道的常规超级连接结构。
双重稳定的钙钛矿纳米晶发光下调
和现代建筑建立在更普遍的有机LED（OLEDS）的基础上。[1,3-5]在整个可见频谱中具有电荷平衡和高效率仍然远离最佳的QD，QD通常被用作颜色 - 纯发光下调转换器，用于在背光无机LED中显示。[2,6]虽然对设备档案的研究对于将来的开发至关重要，但许多小组也在探索QD的替代材料，以降低成本，最大程度地减少丰富的问题并限制毒性。[7-9]最初在2012年作为照片伏特的有前途的材料出现，[10]卤化物钙钛矿对于几乎所有光启动器件（例如光电探测器）具有巨大的潜力，例如光电探测器，[11]激光器，[12]和LED。[13–15]卤化物钙钛矿NC对于光发射特别有利，其发射波长可以通过组合和形态在整个可见范围内进行调谐，[16]超高的量子产量（Qys）（Qys），即使接近统一，甚至接近统一，[17-19]，[17-19]和合成，通常是actile and facile conigile facile cookile cookile，sable，便宜，易于扩展。[20,21]相比之下，传统QD通常需要Inorranic Core-shell结构，高前体纯度和复杂的，乏味的合成以获得令人印象深刻的光学特性。[22]但是，钙钛矿NC缺乏足够的稳定性
晶体结构控制化学掺杂的摩擦P3HT膜中的化学掺杂
摘要：近年来，作为低成本，导电层的半导体聚合物已受到越来越多的关注。为了显示合理的电导率，必须掺杂半导体聚合物，该过程需要氧化或还原共轭主链和结构重排，以便将电荷平衡柜台容纳到聚合物网络中。在这里，我们旨在了解这种结构重排如何有助于掺杂的能量。我们利用了一个事实，即摩擦对齐的聚（3-己基噻吩-2,5-二苯基）（p3HT）膜包含两个多晶型物，一种具有晶体结构，其密度低于在未对齐的膜中观察到的结构，而另一个具有更紧密的，更紧密的浓度，浓度更紧密的晶状体结构。分别相对于底物，这两种结构分别是面对面和边缘的，因此它们的衍射在Q空间中很好地分开，因此可以分别监测每个种群的掺杂诱导的结构变化。当电影掺杂2,3,5,6- tetrafluoro-7,7,8,8-四甲苯喹啉甲烷烷（F 4 TCNQ）时，比浓度更容易诱导的结构变化，而不是浓度更容易诱导的结构变化。这一发现表明，在掺杂过程中，聚合物晶体结构的重新排列是一个重要的能量术语，并且可以通过设计新聚合物来促进半导体聚合物的掺杂，在该聚合物中，可以在结构减少的聚合物及时中容纳掺杂剂。s
日常热带降水的极端对流的极端
最近，注意力集中在用低毒性和无毒阳离子替换PB上。理想的无铅候选者应具有低毒性，狭窄的直接带隙，高光吸收系数，较高的迁移率，低激子结合能，长载体寿命和稳定性。已经提出了几种可能毒性较小的化学兼容材料，例如SN，BI和GE作为PB的替代品，不仅降低了PB的毒性，还可以保留钙钛矿的独特光电特性。中，SN是一种环保的材料，广泛用于各种有希望的光电设备，例如太阳能电池和FET，因为它满足了电荷平衡，离子大小和协调的先决条件。[8] SN是元素周期表中的14组元素，它的离子半径（115 pm）与PB（119 pm）。像PB一样，SN具有惰性的外轨道，这对于获得金属卤化物钙钛矿的特殊电气和光学特性很重要。与基于PB的钙钛矿相比，基于SN的基于SN的钙钛矿还表现出相似的优质光电子特性，狭窄的带隙约为1.3 eV，高电荷迁移率约为600 cm 2 V -1 S -1，长载体扩散和寿命，以及高吸收系数，高吸收系数约为10 -4 cm -4 cm -1。[15]然而，由于SN在水分和氧气中环境中的稳定性较差，与PB相比，其性能较低。因此，为了环境和人类，需要进行连续而深入的研究以解决在钙钛矿场现场效应晶体管中替换SN时性能差的问题。