专门研究温度测量值时,负温度系数(NTC)热敏电阻是最常见的组件解决方案。通常,设备非常靠近电池或模块墙,或与电气连接相连,以识别“热点”。随着热敏电阻温度的上升,由于组件的较大电阻系数较大,电阻随着高灵敏度曲线而降低。温度是通过通过IC中的集成模拟 /数字转换器(ADC)测量电阻器网络中的电压来确定的。准确的温度读数对于电池的适当功能和系统安全性非常重要。对于精确的温度测量,NTC和测量电路电阻非常重要。
在这里,推动力(F PR)是一个可控的组件,它源自通过电动机或制动器的传输系统。重力(F G)可能会导致加速或减速,具体取决于道路倾斜度;它的行为由(3)描述,其中g是重力加速度,θ是道路的角度。阻力和滚动电阻(分别为F阻力和F RR)是电阻力,始终作用于速度方向。阻力是由空气阻力引起的;它是通过(4)描述的,其中ρ是空气密度,A是车辆的额叶区域,C D是空气阻力系数。滚动阻力是由轮胎和道路之间的轮胎变形和摩擦引起的。它由(5)描述,其中c r是滚动电阻系数(Oliveira等,2023; Alcantara,2022)。f g = k m mg·sin(θ)(3)f drag = 1
TRON能量损失光谱被彻底考虑。研究表明,在底部电极中的氧气浓度较高(约14.2±0.1 at。%)与顶部电极相比(约11.4±0.5 at。%)。以下平均化学计量公式为锡0。52 o 0。20上衣和锡0。54 O 0。 26底部和底部电极的底部。 由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比,血浆中的氧气量不足。 这种不对称性,以及在Si底物上生长的样品的结果表明,与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比,与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。 我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。 EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV,而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV,使用光吸收光谱与顶部Tin X电极(1.6±01 eV)上的结果公平吻合。 测量板电阻,电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。54 O 0。26底部和底部电极的底部。由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比,血浆中的氧气量不足。这种不对称性,以及在Si底物上生长的样品的结果表明,与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比,与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV,而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV,使用光吸收光谱与顶部Tin X电极(1.6±01 eV)上的结果公平吻合。测量板电阻,电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。