XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System硅单晶
硅单晶晶格参数的精度比较
晶格间距比较器由美国国家标准与技术研究所建立，用于测量近乎完美的晶体之间的晶格间距差异。文中详细描述了晶格间距比较器，晶格间距差异是从测量到的不同晶体的布拉格指数差异推断出来的。比较器是一个采用近乎无色散几何结构的晶体光谱仪。它有两个 s 射线源、两个探测器和一个允许第二个晶体样品远程交换的反射镜。一个灵敏的异差干涉仪用光学多边形校准，用于测量布拉格角。晶体的厚度几乎相等，因此记录的轮廓呈现出均匀的振荡，允许
太阳能光伏发电概述.pdf
Matrifit 已知只有少数材料（经过特殊处理的半导体）能够以合理的效率显示 PV 效应（参见下方方框中的“太阳能电池”条目）。大多数商用 PV 模块都基于从高品位硅单晶或多晶锭上锯下的薄片。单晶锭以“批量”工艺生长。尽管该方法速度慢且耗能大，但它可以生产出具有良好转换效率（通常为 12% 到 17%）的电池。多晶 PV 材料由较不费力的方法制成，即从许多小硅晶体铸造锭，转换效率通常略低。如果封装并得到适当的护理，这两种材料的性能都不会降低。图 1 显示了晶体硅如何生产成 PV 模块。
47471684001.pdf
摘要：众所周知，在现代微电子和纳米电子学中，薄膜结构被广泛用作栅极电介质、钝化层、膜等。本文研究了单晶硅晶片上互连脉冲加热过程中氧化硅薄子层中形成裂纹的问题。本文旨在研究表面热冲击源对薄膜裂纹形成的影响，并详细研究了 SO2 薄膜中裂纹形成的各个方面。在硅衬底-氧化硅子层-铝膜 (Si-SiO 2 -Al) 多层结构上对所做的估计进行了实验验证。作为衬底，使用了磷掺杂的硅单晶晶片，取向为 (111) 方向，电阻率在 = 0.1 Ω . сm 范围内。作者研究了表面金属化层加热的硅晶片（Al-Si 系统）和氧化硅晶片（Al-SiO2 系统）的温度场，既有点热源的情况，也有长矩形金属化路径的情况（假设轨道长度明显超过其宽度）。计算结果表明，金属化路径（宽度 75 μm）横向的温度分布是不均匀的。结果还表明，与 SiO2 膜相比，硅中出现的机械应力水平不足以在热冲击源附近形成裂纹。这是因为硅的抗拉强度高于氧化物。
应用研究与技术杂志
摘要：众所周知，在现代微电子和纳米电子学中，薄膜结构被广泛用作栅极电介质、钝化层、膜等。本文研究了单晶硅晶片上互连脉冲加热过程中氧化硅薄子层中形成裂纹的问题。本文旨在研究表面热冲击源对薄膜裂纹形成的影响，并详细研究了 SO2 薄膜中裂纹形成的各个方面。在硅衬底-氧化硅子层-铝膜 (Si-SiO 2 -Al) 多层结构上对所做的估计进行了实验验证。作为衬底，使用了磷掺杂的硅单晶晶片，取向为 (111) 方向，电阻率在 = 0.1 Ω . сm 范围内。作者研究了表面金属化层加热的硅晶片（Al-Si 系统）和氧化硅晶片（Al-SiO2 系统）的温度场，既有点热源的情况，也有长矩形金属化路径的情况（假设轨道长度明显超过其宽度）。计算结果表明，金属化路径（宽度 75 μm）横向的温度分布是不均匀的。结果还表明，与 SiO2 膜相比，硅中出现的机械应力水平不足以在热冲击源附近形成裂纹。这是因为硅的抗拉强度高于氧化物。
Mo -Si System的硅化硅的主要特性
摘要。使用Magnetron-ION溅射，将一层金属钼1–2μm厚的金属钼沉积在环境温度下惰性氩气的大气中，该硅通过Czochralski方法生长的硅单晶表面。根据实验的结果，纯Mo层厚度为2μm，通过磁控蛋白的反应性溅射从高度纯的金属钼靶中沉积到冷硅晶片底物上，厚度为1.5 mm。仅在严格定义的钼金属沉积速率对应于体积中给定的巨质压力的情况下，它们的电导率和透明度也很高。溅射目标是直径为40 mm的磁盘，厚度为3-4 mm。产品处理的技术周期包括目标清洁的阶段。在不添加氧气的情况下将金属MO靶标溅射在纯氩AR中，可以促进具有非常好的电导率的不透明金属膜的形成。X射线衍射分析具有Mo金属涂层表面的硅单晶体显示了Moleybdenum-Silicon系统中的MO3SI和MOSI.65的化合物。硅硅硅酸盐被发现在温度范围1850÷1900°C的温度范围内经历同类肌转化，而低温品种 -MOSI2具有四方结构。 -MOSI2的高温形式具有六边形结构。使用原子扫描显微镜进行研究的结果表明，硅原子的链与MO原子连接，形成沿平行X和Y轴的MO结构的棱镜形成的锯齿形。
![arXiv:2204.05683v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2022 年 4 月 12 日](/simg/g:\will\search\icon\source\8\8e077eb3d9ba3aa5baa9801d9e8aefa731cfdc4d.webp)
arXiv:2204.05683v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2022 年 4 月 12 日
自从人类制造出第一批敲打工具以来，脆性材料中裂纹扩展的控制就一直是技术发展的一个方向。如今，各种各样的应用都依赖于裂纹扩展控制，从减轻损坏（例如玻璃屏幕或挡风玻璃受到撞击）到利用裂纹实现大距离整齐切割的工业过程。然而，实时研究裂纹是一项具有挑战性的任务，因为裂纹在通常不透明的材料中可以扩展至几公里/秒。在这里，我们报告了对沿硅单晶 (001) 平面以高达 2.5 公里/秒的速度扩展的裂纹的现场研究，使用 X 射线衍射兆赫成像和强时间结构同步辐射。所研究的系统基于 Smart Cut ™ 工艺，其中材料（通常是 Si）中的埋层被微裂纹削弱，然后用于在平行于表面的平面上以最小偏差（10 - 9 米）驱动宏观裂纹（10 - 1 米）。我们在此报告的结果首次直接证实了裂纹前沿的形状不受微裂纹分布的影响，这曾是以前基于断裂后结果的研究的假设。我们进一步测量了厘米宽视野内的瞬时裂纹速度，这以前只能从稀疏点测量中推断出来，并证明了 X 射线束局部加热的影响。最后，我们还观察了分离晶圆部件的裂纹后运动，这可以用气动和弹性来解释。因此，这项研究提供了对晶体材料中受控断裂扩展的全面了解，为超快速应变场扩展的原位测量铺平了道路。