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重新定义纳米级高 k 介电材料在储能领域的应用：一种新型电化学活性保护屏障
关键词：能源材料、纳米级效应、高 k 电介质、隧道传导、电化学储能。缩写：（第一页脚注） ALD：原子层沉积 Si NWs：硅纳米线 Si NTs：硅纳米树 Al@SiNWs：氧化铝涂层硅纳米线 Al@SiNTs：氧化铝涂层硅纳米树 3 纳米 Al@SiNWs：3 纳米氧化铝涂层硅纳米线
单一 Al2O3 或 HfO2 单一介电层及其纳米层系统的比较
纳米层压膜是由不同材料交替层组成的复合膜 [1]。这些多层纳米结构因能够调整其机械或物理性质以用于各种特定应用而备受关注。例如，在微电子领域，人们考虑将其用作介电绝缘体 [2,3]。事实上，人们现正致力于制备具有高介电常数和良好化学/热稳定性的多组分体系。特别是 Al 2 O 3 -HfO 2 纳米层压膜似乎是最有前途的体系，可用于硅基微电子器件 [4-9] 以及下一代电力电子器件 [10-15]。能够充分利用 Al 2 O 3 和 HfO 2 单一材料的最合适性质，促使人们研究将它们组合成层压体系。实际上，众所周知，Al 2 O 3 具有极其优异的化学稳定性和热稳定性、大的带隙（约 9 eV）、与不同半导体衬底的带偏移大，但其生长会形成高的氧化物陷阱电荷密度，但其介电常数值并不高（约 9）[16]。对于 HfO 2 介电氧化物，虽然可以实现相当高的介电常数值（约 25），但由于其在相对较低的温度（约 500°C）下从非晶态转变为单斜晶态，因此可靠性较低，并且由于其带隙很小（5.5 eV）所以漏电流密度高[16]。在这种情况下，由两种 Al 2 O 3 -HfO 2 高 k 氧化物组成的纳米层状结构是提高热稳定性和维持高介电常数值的有前途的解决方案。
最新实用英汉电信词典
A a A = availability 可用性 Å = angstrom 埃 @ = at 1.单价 2.电子邮件地址账号和域名之间的分 隔符 A-A = analog-analog 模拟 - 模拟 A&B bit signaling A 和 B 位信令 A-B cut mixer 一级图像混合器 , A-B 图像混合器 A&B leads A 线和 B 线 A band A 波段 A Block 1.( 复式人工交换局 ) 甲交换台 , A 交换台 2.甲 盘 , A 盘 A carrier = alternate carrier 甲类电话公司 , 另一种电 话公司 A condition ( 起止式传输中的 )A 状态 , 起状态 , 启动空 号状态 A-D = analog-digital 模 ( 拟 ) —数 ( 字 ) A/D = analog-digital 模数转换 A/D coder 模数转换器 A/D conversion 模数转换 A/D converter 模 ( 拟 )/ 数 ( 字 ) 转换器 A interface A- 接口 A-law coding A 律编码 A/M = automatic/manual 自动 / 人工 A operator ( 复式人工交换局 ) 甲台话务员 A party 主叫方 , 主叫用户 A register A 寄存器 , 运算寄存器 A/Z 起 / 止脉冲 , 起 / 止脉冲比 , 空号 / 传号脉冲 , 空号 / 传 号脉冲比 AAA = authentication, authorization and accounting ( 移动通信 ) 鉴权 , 授权与计费 AAB = automatic alternative billing 自动更换记账 / automatic answerback 自动应答 AAL = ATM adaptation layer 异步转移传递模式适配层 , ATM 适配层 AAL1 ATM 适配层 1 AAL2 ATM 适配层 2 AAL3/4 ATM 适配层 3/4 AAL5 ATM 适配层 5 AARP Apple Talk 地址解析协议 abac 计算图表 , 列线图 , 诺模图 abac-parameter 四端网络参数 , 四端网络参量 abandon call 中途放弃呼叫 abandon pause 呼叫中途挂机 , 未接通暂停 abandoned call 放弃的呼叫 abandoned call attempt 放弃的试呼 abandoned traffic 损失业务 , 放弃的业务 abatement 1.抑制 , 消除 2.废料 Abbe condenser 阿贝聚光镜 Abbe number 阿贝数 , 色散系数 abbreviated address 缩位地址 , 缩写地址 abbreviated addressing 短缩寻址 abbreviated call 缩位呼叫 , 缩位拨号 , 简呼 abbreviated character 简化字符 abbreviated dialing 缩位拨号 abbreviated signal code 缩写信号码 abbreviative notation 缩写标记 ABD = abbreviated dialing 缩位拨号 abd technique 诱导技术 abduction 诱导 , 推断 , 推测 abductive reasoning 反绎推理 abductive technique 诱导技术 abecedarian 按顺序排列的 Abel transform 阿贝尔变换 Abelian group 阿贝尔群 abend 异常终止 , 异常结束 aberration 1.越轨 , 偏差 2.像差 , 色差 3.失常 , 畸变 4.光行差 aberration curve 像差曲线 aberration function 误差函数
基于石墨烯的硅光子电吸附调制器和相调节器
摘要 - 由于他们的第一个演示，基于石墨烯的硅波导调制器已演变为在未来的光学互连中采用非常有吸引力的设备。在本文中，我们首先回顾了基于石墨烯的强度调节剂的最先进。考虑了两种重要的设备配置：一种使用单个石墨烯层，通过硅波导本身偏置，另一个使用两个石墨烯层的电容堆栈，可以集成在被动硅和氮化硅波导中。我们还讨论了我们最近在CMOS试点线上完全制造此类设备的工作。在下一节中，我们回顾基于石墨烯的相位调节器。再次，我们比较了两种类型的调节器，涉及单个或双石墨烯层堆栈。此外，我们还提出了新的结果，将集成在标准带状波导上的调节器与集成在插槽波导上的调节器进行比较，从而使光场更加限制。最后，我们基于模拟结果总结了我们的发现以及现场和前景。索引项 - 准烯，调节剂，硅光子学。
基于石墨烯的硅光子电吸附调制器和相调节器
摘要 - 由于他们的第一个演示，基于石墨烯的硅波导调制器已演变为在未来的光学互连中采用非常有吸引力的设备。在本文中，我们首先回顾了基于石墨烯的强度调节剂的最先进。考虑了两种重要的设备配置：一种使用单个石墨烯层，通过硅波导本身偏置，另一个使用两个石墨烯层的电容堆栈，可以集成在被动硅和氮化硅波导中。我们还讨论了我们最近在CMOS试点线上完全制造此类设备的工作。在下一节中，我们回顾基于石墨烯的相位调节器。再次，我们比较了两种类型的调节器，涉及单个或双石墨烯层堆栈。此外，我们还提出了新的结果，将集成在标准带状波导上的调节器与集成在插槽波导上的调节器进行比较，从而使光场更加限制。最后，我们基于模拟结果总结了我们的发现以及现场和前景。索引项 - 准烯，调节剂，硅光子学。
专题前言：脑科学的物理电子学...
DOI: 10.7498/aps.71.140101 类脑计算技术作为一种脑启发的新型计算技术 , 具有存算一体、事件驱动、模拟并行等特征 , 为 智能化时代开发高效的计算硬件提供了技术参考 , 有望解决当前人工智能硬件在能耗和算力方面的 “ 不可持续发展 ” 问题 . 硬件模拟神经元和突触功能是发展类脑计算技术的核心 , 而支持这一切实现 的基础是器件以及器件中的物理电子学 . 根据类脑单元实现的物理基础 , 当前类脑芯片主要可以分 为数字 CMOS 型、数模混合 CMOS 型以及新原理器件型三大类 . IBM 的 TrueNorth 、 Intel 的 Loihi 、清华大学的 Tianjic 以及浙江大学的 Darwin 等都是数字 CMOS 型类脑芯片的典型代表 , 旨 在以逻辑门电路仿真实现生物单元的行为 . 数模混合型的基本思想是利用亚阈值模拟电路模拟生物 神经单元的特性 , 最早由 Carver Mead 提出 , 其成功案例有苏黎世的 ROLLs 、斯坦福的 Neurogrid 等 . 以上两种类型的类脑芯片虽然实现方式上有所不同 , 但共同之处在于都是利用了硅基晶体管的 物理特性 . 此外 , 以忆阻器为代表的新原理器件为构建非硅基类脑芯片提供了新的物理基础 . 它们 在工作过程中引入了离子动力学特性 , 从结构和工作机制上与生物单元都具有很高的相似性 , 近年 来受到国内外产业界和学术界的广泛关注 . 鉴于硅基工艺比较成熟 , 当前硅基物理特性是类脑芯片 实现的主要基础 . 忆阻器等新原理器件的类脑计算技术尚处于前沿探索和开拓阶段 , 还需要更成熟 的制备技术、更完善的系统框架和电路设计以及更高效的算法等 .
太阳能光伏电池的可再生电力
也是由该公共元素硅制成的另一种光伏电池，但在这种情况下，没有机会慢慢生长成晶体结构。没有晶体结构的材料称为无定形玻璃是无定形材料的一个很好的例子。无定形硅具有轻松制作成极薄的层或膜的优点，可以切割比晶硅薄得多。使用较少的硅（以及能量），它们可以便宜。通过将硅沉积在柔性金属箔甚至塑料上，也可以使它们变得柔性，这与脆性结晶硅不同。薄膜硅的缺点是，您需要更多的薄膜硅面积来产生与晶硅相同的电力。
纳米硅纳米无定形 - 晶体硅上的电负性异性结构的机理：概述
摘要：在开发高敏感，硬质和健壮的探测器2的过程中，出现了非常浅的无定形硼基结晶硅1异质结，用于低渗透性深度辐射，例如紫外线光光子，例如紫外线光子和低增强电子3（低于1 KEV）（1 KEV）。多年来，人们相信，通过N型晶体硅在N型晶体硅上的化学4蒸气沉积产生的连接是浅的P-N结，但5尽管实验结果无法提供这样的结论证据。直到最近，基于6个量子力学的建模才揭示了该新交界处的独特性质和形成机制7。在这里，我们回顾了理解8 A-B/C-SI界面的启动和历史（此后称为“硼 - 硅交界处”），以及它对9微电学行业的重要性，随后是科学上的新连接感。未来的10个发展和可能的研究方向也将讨论。11
在离子植入和NS脉冲激光退火时激活硅在硅中的发射器
光学主动电信发射器的最新演示表明，硅是固态量子光子平台的引人注目的候选者。尤其是，在常规的热退火后，已在富含碳的硅中显示了称为G中心的缺陷的制造。然而，这些发射器在晶圆尺度上的高收益受控制造仍然需要鉴定合适的热力学途径，从而在离子植入后激活其激活。在这里，我们证明了纳秒脉冲激光退火时高纯硅底物中G中心的激活。该提出的方法通过供应短的非平稳脉冲来实现G中心的非侵入性，局部激活，从而克服了与发射器的结构性亚元能力相关的常规快速热退火的局限性。有限元的分析突出了该技术的强大非平稳性，提供了与常规更长的热处理相对于常规的较长热处理的根本不同的缺陷工程能力，为嵌入在集成光子电路和波导的集成光子电路和波导中的发射器的直接和受控制造铺平了道路。