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基于第一性原理的石墨烯的光热性能研究
它达到稳定性。在514.5 nm激光率下进行石墨烯的光学和热力学性能。结果表明石墨烯具有出色的光疗特性。在低能和中能区域中石墨烯的吸收相当显着，并且其在紫外线区域中的强吸收可以应用于紫外线过滤器和光伏设备。在高温下，石墨烯的高温度及其稳定性在热管理材料和高温应用中具有巨大的应用潜力，扩大了石墨烯在光学组件和治疗管理材料中的应用，并为实验提供了更多理论支持。
氨基硅烯 (HSiNH2
摘要：氨基硅烯分子（HSiNH 2 ，X 1 A ′） 是不饱和氮硅烯的最简单代表，它是在单次碰撞条件下通过气相基元反应形成的，反应涉及硅基自由基（SiH）和氨（NH 3 ）。反应由硅基自由基无势垒加成到氮的非键合电子对上引发，形成 HSiNH 3 碰撞复合物，然后通过从氮原子中失去氢原子，单分子分解为氨基硅烯（HSiNH 2 ）。与等价氨基亚甲基卡宾 (HCNH 2 , X 1 A ′ ) 相比，通过用硅取代单个碳原子，对等价甲亚胺 (H 2 CNH) − 氨基亚甲基 (HNCH 2 ) 和氨基硅烯 (HSiNH 2 ) − 硅亚胺 (H 2 SiNH) 异构体对的稳定性和化学键产生了重大影响；例如，卡宾与硅烯的热力学稳定性逆转了 220 kJ mol − 1。因此，发现第十四主族元素硅的等价性与原子碳几乎没有相似性，不仅对反应性而且对热化学和化学键也表现出显着影响。
石墨烯的机械剥离Mechanical Exfoliation of Graphene
大规模石墨烯的生产具有显着的商业价值，并且在各种领域广泛使用。获得石墨烯的石墨的去角质可以以非常低的成本实现大规模生产，从而使其成为当前可用的最有前途的方法之一。本文回顾了不同类型的机械剥落。对去角质机制的深入了解可以为优化高质量石墨烯去角质技术提供有效的指导。近年来，我们已经收集并分析了石墨烯生产的机械剥落方面的最新进步，例如广泛使用的超声波剥落方法，使用流体动力学来剥落的超声波磨碎方法，甲基化方法以及创新的超临界剥落方法。在方面，我们期待如何利用机械去角质技术获得高级
有机碱催化苯基硅橡胶的合成与阻尼性能研究
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面向先进光源的硅像素传感器保护环结构仿真研究
摘要：硅像素传感器上的防护环结构有益于提高传感器的高压承受性能。为了评估防护圈结构对硅像素传感器的保护效果，模拟和分析了三种防护环结构。通过技术计算机辅助设计进行了三个防护环结构的两个维度建模，并使用软件内置的电气模型模拟了三个防护圈结构的I -V特性。当前收集环的存在可以使像素可以承受高压，并且不等的防护戒指，不同的空间后卫环，内部和外部等距的Al悬架，并且多个防护戒指结构有益于进一步增加传感器的击穿电压。关键词：PIN二极管silicon Pixel Sensor；防护戒指；耐用高压；技术计算机辅助DEGSIN OCIS代码：280.4750 ；230。0040 ；230.5160
激光诱导制备芳纶纤维基石墨烯的探索及研究
Technology, 2021, 201: 108541.[19] Steinke K, Groo L, Sodano H A. Laser induced graphene for in situ ballistic impact damage and delamination detection in aramid fiber reinforced composites [J].Composites Science and Technology, 2021, 202: 108551.[20] 杜晓云 , 李金宝 , 杨斌 , 等 .芳纶树脂液浸渍协同冷压 光制备高强度间位芳纶纸的研究 [J].中国造纸 , 2024, 43(4): 120 - 129.Du X Y, Li J B, Yang B, et al.Study on preparing high strength meta - aramid paper by aramid resin solution impregnation combined with cold pressing[J].China Pulp & Paper, 2024, 43(4): 120 - 129.[21] 关振虹 , 李丹 , 宋金苓 , 等 .易染间位芳纶的制备及其 性能 [J].纺织学报 , 2023, 44(6): 28 - 32.Guan Z H, Li D, Song J L, et al.Preparation and properties of dyeable meta - aramid fiber[J].Journal of Textile Research, 2023, 44(6): 28 - 32.[22] 朱文豪 , 宋欢 , 丁娉 , 等 .沉析纤维长度对间位芳纶纸 性能的影响 [J].中国造纸 , 2024, 43(1): 109 - 115.