石墨烯/铜复合粉具有石墨烯涂层球形铜粉的独特核心壳结构,石墨烯和铜的复合材料充分利用了其力学,电力和热力学的协同优势。
[25] Shi K W,Yow K Y,LoC。单束和多光束激光槽过程参数开发和40 nm节点的模具特性 - k/ulk Wafer [C]∥2014IEEE 16th 16th Electronics包装技术会议(EPTC),2014年12月3日至5日,2014年12月3日,新加坡。纽约:IEEE出版社,2015:752-759。
揭示了G和C-S-H之间仅有范德华力,界面键合强度很弱,并且脱键性能很低。石墨烯的脱根能量随着界面水含量的增加而降低,表明水侵入会削弱G和C-S-H的结合效应,并减少石墨烯对C-S-H底物的难度。在纳米级湿度的影响下探索石墨烯对CSH的粘附行为对于理解基本的粘附机制,优化复合材料证明和促进相关学科的发展至关重要。
收稿日期: 2024–05–13 ; 修回日期: 2024–06–28 ; 录用日期: 2024–07–05 ; 网络首发时间: 2024–07–19 15:22:18 网络首发地址: https://doi.org/10.13801/j.cnki.fhclxb.20240718.003 基金项目: 国家自然科学基金 (51902125) ; 吉林市科技发展计划资助项目 (20210103092) ; 第七批吉林省青年科技人才托举工程 (QT202316) National Natural Science Foundation of China (51902125); Science and Technology Development Plan of Jilin City (20210103092); Seventh Batch of Jilin Province Young Science and Technology Talents Promotion Project (QT202316) 通信作者: 陈杰 , 博士 , 副教授 , 硕士生导师 , 研究方向为碳纤维复合材料的开发与应用 E-mail: jiechendr@163.com
设备,采用非平衡分子动力学方法来研究工作温度,界面大小,缺陷密度和缺陷类型对氮化碳/石墨烯/钻石异种结构的界面导热率的影响。此外,计算各种条件下的声子状态密度和声子参与率,以分析界面热传导机制。结果表明,界面热电导随温度升高而增加,突出了异质性固有的自我调节热量耗散能力。随着温度从100升的增加,单层石墨烯结构的界面热电导增加了2.1倍。这归因于随着温度升高的重叠因子的增加,从而增强了界面之间的声子耦合,从而导致界面导热率增加。此外,在研究中发现,增加氮化岩和石墨烯的层数会导致界面热电导量减少。当氮化壳层的数量从10增加到26时,界面的导热率降低了75%。随着层数增加而减小的重叠因子归因于接口之间的声子振动的匹配减少,从而导致较低的热传递效率。同样,当石墨烯层的数量从1增加到5时,界面热电导率降低了74%。石墨烯层的增加导致低频声子减少,从而降低了界面的导热率。此外,多层石墨烯可增强声子定位,加剧了界面导热的降低。发现引入四种类型的空缺缺陷会影响界面的导电电导。钻石碳原子缺陷导致其界面导热率增加,而镀凝剂,氮和石墨烯碳原子的缺陷导致其界面导热降低。随着缺陷浓度从0增加到10%,由于缺陷散射,钻石碳原子缺陷增加了界面热电导率,增加了40%,这增加了低频声子模式的数量,并扩大了界面热传递的通道,从而提高了界面热电导率。石墨烯中的缺陷加强了石墨烯声子定位的程度,因此导致界面导热率降低。胆汁和氮缺陷都加强了氮化炮的声子定位,阻碍了声子传输通道。此外,与氮缺陷相比,甘露缺陷会引起更严重的声子定位,因此导致界面的界面热电导率较低。这项研究提供了制造高度可靠的氮化炮设备以及广泛使用氮化壳异质结构的参考。
n-agp的场分布图(| e norm |); (b)AGP的电场分布图(| e Norm |)。
摘要:在双层石墨烯 (BLG) 中打开带隙对于石墨烯基电子和光子器件的潜在应用具有重要意义。本文,我们报告了通过在 BLG 和 Ru 衬底之间插入硅烯在 BLG 中产生相当大的带隙。我们首先在 Ru(0001) 上生长高质量的 Bernal 堆叠 BLG,然后将硅烯插入 BLG 和 Ru 之间的界面,这通过低能电子衍射和扫描隧道显微镜得到证实。拉曼光谱显示,插入的 BLG 的 G 和 2D 峰恢复到独立 BLG 特征。角分辨光电子能谱测量表明,BLG 中打开了约 0.2 eV 的带隙。密度泛函理论计算表明,大带隙打开是 BLG 中掺杂和波纹/应变共同作用的结果。这项工作为 BLG 中带隙打开的机制提供了深刻的理解,并增强了基于石墨烯的器件开发的潜力。关键词:双层石墨烯、带隙、协同机制、插层、硅烯 ■ 介绍
我们报告了金纳米粒子 (AuNP) 修饰的石墨烯-硅肖特基势垒二极管的电流-电压特性和低频噪声的结果。测量在环境空气中添加两种有机蒸气四氢呋喃 [(CH 2 ) 4 O; THF] 和氯仿 (CHCl 3 ) 中的任一种进行,在黄光照射 (592 nm) 期间也是如此,接近于测量的金纳米粒子层的粒子等离子体极化频率。当加入四氢呋喃蒸气时(在金修饰的石墨烯-硅肖特基二极管中),我们观察到正向电压 (正向电阻区域) 的直流特性发生变化,而当添加氯仿时(在未修饰的石墨烯-硅肖特基二极管中),在黄光照射下会发生微小的变化。与无照射相比,在黄光照射期间观察到两种气体的低频噪声差异明显较大。与没有 AuNP 层的石墨烯-Si 肖特基二极管相比,AuNP 抑制了噪声强度。我们得出结论,所研究的金装饰肖特基二极管产生的闪烁噪声可用于气体检测。
摘要 - 由于他们的第一个演示,基于石墨烯的硅波导调制器已演变为在未来的光学互连中采用非常有吸引力的设备。在本文中,我们首先回顾了基于石墨烯的强度调节剂的最先进。考虑了两种重要的设备配置:一种使用单个石墨烯层,通过硅波导本身偏置,另一个使用两个石墨烯层的电容堆栈,可以集成在被动硅和氮化硅波导中。我们还讨论了我们最近在CMOS试点线上完全制造此类设备的工作。在下一节中,我们回顾基于石墨烯的相位调节器。再次,我们比较了两种类型的调节器,涉及单个或双石墨烯层堆栈。此外,我们还提出了新的结果,将集成在标准带状波导上的调节器与集成在插槽波导上的调节器进行比较,从而使光场更加限制。最后,我们基于模拟结果总结了我们的发现以及现场和前景。索引项 - 准烯,调节剂,硅光子学。