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World File Search System硅烯
在选定的环境气体下，金修饰石墨烯-Si 肖特基势垒二极管中的低频噪声
我们报告了金纳米粒子 (AuNP) 修饰的石墨烯-硅肖特基势垒二极管的电流-电压特性和低频噪声的结果。测量在环境空气中添加两种有机蒸气四氢呋喃 [(CH 2 ) 4 O; THF] 和氯仿 (CHCl 3 ) 中的任一种进行，以及在黄光照射 (592 nm) 期间进行，接近测量的金纳米粒子层的粒子等离子体极化频率。当加入四氢呋喃蒸气时（在金修饰的石墨烯-硅肖特基二极管中），我们观察到正向电压 (正向电阻区域) 的直流特性发生变化，而当添加氯仿时（在未修饰的石墨烯-硅肖特基二极管中），在黄光照射下会发生微小的变化。与无照射相比，在黄光照射期间观察到两种气体的低频噪声差异明显较大。与没有 AuNP 层的石墨烯-Si 肖特基二极管相比，AuNP 抑制了噪声强度。我们得出结论，所研究的金装饰肖特基二极管产生的闪烁噪声可用于气体检测。
开发由石墨烯氧化石墨烯
首席研究者已经对GO纳米片的基本物理特性和应用进行了研究。在GO纳米片和GO膜中的离子电导率中，我们发现离子电导率超过了Nafion的电导率。在还原形式的情况下，RGO，还通过还原方法成功控制了P型，N型和解体半导体特性的降低形式。此外，GO的氧官能团是负电荷的，杂种是通过与各种金属离子的静电相互作用形成的，并且发现以RGO杂种，金属氧化物和金属纳米颗粒的降低形式在RGO纳米片上支持。在GO和RGO纳米片的合成中，使用液体等离子体掺杂了各种原子，并且通过热液合成和Freeze-Drysing从GO和RGO纳米片形成的3D结构也成功。因此，着重于研究获得的材料中的钻石相变，我们首先合成了N-RGO的氮掺杂钻石。尽管结果是初步的，但我们观察到在纳米颗粒相中T C = 30 K的Meissner效应，而在大量相中，T C = 130 K。此外，从高温和高压在高压中合成的钻石显示出T C = 65 K的铁磁过渡。此外，它们还致力于合成硼掺杂和氧气掺杂的钻石。这些结果表明，在掺杂的钻石中开发各种功能材料的有效性，并且有必要迅速促进掺杂或表面修饰的钻石的研究和开发。
用于零能边缘态纳米电子学的外延石墨烯平台
由于光刻图案化沉积石墨烯中普遍存在边缘无序，以及缺乏新的电子学范式，石墨烯最初有望取代硅，但这一希望落空了。本文我们证明了在碳化硅衬底（外延石墨烯）上外延生长的传统图案化石墨烯中的退火边缘由衬底稳定，并支持受保护的边缘状态。边缘状态的平均自由程大于 50 微米，比本体状态大 5000 倍，并且涉及理论上意想不到的马约拉纳类零能量非简并准粒子，该准粒子不会产生霍尔电压。在无缝集成结构中，边缘状态形成零能量一维弹道网络，在带带结处具有基本无耗散的节点。无缝器件结构提供了各种切换可能性，包括低温下的量子相干器件。这使得外延石墨烯成为技术上可行的石墨烯纳米电子学平台，有可能取代硅纳米电子学。
层次覆盖硅/碳阳极材料通过垂直石墨烯片改进商业锂离子电池应用
蛋黄壳结构化硅/碳（YS-SI/C）阳极材料显示出对商用锂离子电池（LIB）的希望，因为它们具有很高的特定容量和出色的循环寿命。但是，尽管研究了近十年，但仍未实现其商业化，这主要是由于机械强度差，速率能力有限和能量密度低。本研究报告了通过热化学蒸气沉积合成的层次YS-SI/C阳极材料，用于垂直石墨烯片的生长（VGS），聚合物自组装和一步碳化，从而通过VGSS建立了SI核心和碳壳之间的连接，从而增强了YS-Chemical和机械的特征。独特的材料的表现优于无VGSS的复合材料，该复合材料在0.1 c时的高特定容量为1683.2 mAh g-1，在10 c时在10 c时的出色速率性能为552.2 mAh g-1，在1000个循环后，较高的速率性能为552.2 mAh g-1，卓越的容量保留率为80.1％。与LINI 0.8 CO 0.1 Mn 0.1 O 2个阴极匹配时，安培小时袋细胞分别提供高重量和大量能密度分别为429.2 WH kg-1和1083 WH l-1。有限元分析表明，VGSS降低了碳壳上的应力浓度，有助于空心材料承受工业电极日历。这项工作证明了在实用液体中YS-SI/C阳极材料的商业应用的潜力。
CSET - 硅扭曲
在过去五年中，中国人民解放军 (PLA) 在采用人工智能进行战斗和支援方面取得了重大进展。中国领导人普遍预计人工智能将开启军事“智能化”，其特点是无处不在的传感器网络、更频繁的机器对机器交战和更快的作战节奏。1 但解放军在人工智能和相关技术方面的进步很大程度上取决于能否继续获得一类特殊的半导体——人工智能芯片——这些芯片用于训练先进的机器学习系统。通过分析解放军部队和国有国防企业在 2020 年授予的 24 份公共合同，本政策摘要对中国军方如何获得这些设备进行了有限但详细的分析。
硅锗异质结双极晶体管
晶体管诞生 75 周年（从“跨阻放大器”缩写为“跨阻器”再缩写为“晶体管”）。时光飞逝。这是一个非凡的量子物理学小片段。2022 年，晶体管将像病毒一样大小，速度几乎与光速一样快，而且重要的是，它们巧妙地拥有放大这一独特黄金属性，可使微小的电压和电流变得更大。到 2022 年，地球上将有超过 10 24 个晶体管，这得益于摩尔定律所体现的令人瞠目结舌的指数增长模式。晶体管在现代生活中无处不在，无论技术提供者还是消费者是否看到它们。当然，“晶体管”一词应该添加到地球上每个人的词汇表中。同样，从智能手机到汽车、飞机、互联网、GPS，所有现代技术，如果从地球上消失，无一例外都会立即停止运行。事实上，就其对人类文明轨迹的影响而言，人们可以公平地说，晶体管的发明是人类历史上最重要的发现。这话很大胆，但有理有据 [1]。1947 年底，巴丁和布拉顿在贝尔实验室使用点接触装置首次观察到了晶体管的作用。这次固态放大器的演示在历史记录中也是独一无二的，因为我们可以精确地定位它——1947 年 12 月 23 日下午 5 点左右。正是在那一刻，世界发生了不可逆转的变化。新泽西州默里山正下着雪。肖克利不甘示弱，到 1948 年 2 月，“晶体管三人组”中的第三位成员肖克利开发出了晶体管。
硅 - 基于锂离子电池的阳极
摘要：维持基于硅的阳极的物理完整性，该阳极受到骑自行车期间严重变化造成的损害，这是其实际应用的重中之重。通过将纳米座粉与硅片与锂离子电池（LIBS）制造阳极（libs）的阳极（LIBS）的阳极（LIBS）混合，从而显着改善了基于硅粉的阳极的性能。纳米 - 膜粘附在硅片的表面上，并分布在薄片之间的粘合剂中。借助丰富的反应性表面连锁官能团和暴露的纳米原子悬挂键，促进了一致且坚固的固体电解质相（SEI），从而促进了硅片和阳极的物理完整性的增强。因此，电池的高速放电能力和循环寿命得到了改善。sem，拉曼光谱和XRD检查阳极的结构和形态。电化学性能在200个周期后评估了近75％的能力保留，在4 mA/cm 2的测试电流下，最终的特异能力超过1000 mAh/g。这归因于通过在阳极中将纳米座和硅片整合到纳米座中实现的固体电解质相（SEI）结构的稳定性，从而实现了增强的循环稳定性和快速的电荷 - 电荷 - 递送性能。这项研究的结果提出了一种有效的策略，即通过在基于硅 - 弗拉克的阳极中添加纳米座量来实现高循环表现。