机构名称：
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首席研究者已经对GO纳米片的基本物理特性和应用进行了研究。在GO纳米片和GO膜中的离子电导率中，我们发现离子电导率超过了Nafion的电导率。在还原形式的情况下，RGO，还通过还原方法成功控制了P型，N型和解体半导体特性的降低形式。此外，GO的氧官能团是负电荷的，杂种是通过与各种金属离子的静电相互作用形成的，并且发现以RGO杂种，金属氧化物和金属纳米颗粒的降低形式在RGO纳米片上支持。在GO和RGO纳米片的合成中，使用液体等离子体掺杂了各种原子，并且通过热液合成和Freeze-Drysing从GO和RGO纳米片形成的3D结构也成功。因此，着重于研究获得的材料中的钻石相变，我们首先合成了N-RGO的氮掺杂钻石。尽管结果是初步的，但我们观察到在纳米颗粒相中T C = 30 K的Meissner效应，而在大量相中，T C = 130 K。此外，从高温和高压在高压中合成的钻石显示出T C = 65 K的铁磁过渡。此外，它们还致力于合成硼掺杂和氧气掺杂的钻石。这些结果表明，在掺杂的钻石中开发各种功能材料的有效性，并且有必要迅速促进掺杂或表面修饰的钻石的研究和开发。
开发由石墨烯氧化石墨烯
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