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World File Search System硅烷
通过用氨基硅烷改性栅极氧化物实现电子掺杂并提高 n 通道多晶 OFET 性能
自组装单分子膜 (SAM) 广泛应用于有机场效应晶体管，以改变栅极氧化物的表面能、表面粗糙度、薄膜生长动力学和电表面电位，从而控制器件的工作电压。本研究使用 n 型多晶小分子半导体材料 N,N′-二辛基-3,4,9,10-苝二甲酰亚胺 (PTCDI-C8)，比较了氨基官能化的 SAM 分子与纯烷基硅烷 SAMS 对有机场效应晶体管电性能的影响。为了了解氨基对电子的影响，系统地研究了含氨基官能团的数量和 SAM 分子长度的影响。虽然之前已经研究过氨基官能化的 SAM 材料，但这项研究首次能够揭示用极性氨基硅烷材料处理栅极氧化物时发生的掺杂效应的性质。通过对分子水平上的界面进行全面的理论研究，我们发现观察到的阈值电压偏移是由自由电荷引起的，这些自由电荷被 PTCDI-C8 吸引，并在那里被质子化的氨基硅烷稳定下来。这种吸引力和电压偏移可以通过改变氨基硅烷中性端链的长度来系统地调整。
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通过硅烷化和乙烯基插层 Peterson 消除反应将碳酸乙烯酯调节为 [4 + 2] 环加成反应
与各种亲电伙伴进行环加成反应，5 Zhao 等人和 Glorius 等人独立报道了[5 + 4] 环加成反应，以合成不同大小的高度功能化的环。6a、b Glorius 等人随后通过协同 N-杂环卡宾有机催化和钯催化，实现了乙烯基碳酸亚乙酯与烯醛的首次对映选择性[5 + 2] 环化反应，6c 而 Liang 等人报道了配体控制的乙烯基碳酸亚乙酯与萘酚之间的[3 + 2] 和[3 + 3] 环加成反应。7 尽管进行了这些广泛的研究，但我们不知道有关乙烯基碳酸亚乙酯[4 + n] 环加成反应的报道。 [4 + n] 环加成反应，尤其是 [4 + 2] 环加成反应，在合成有机化学中起着关键作用，因为它们可以快速生成具有挑战性但具有合成价值的环状化合物