XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System硅锭
开发基于硅离子电池的基于硅的阳极及其在固态电解质中的应用
doi：https：//dx.doi.org/10.30919/es1060锂离子电池的基于硅的阳极开发及其在固态电解器Yifei Zhou，1 Wenfan Feng，1 Wenfan Feng，1 Yanbin Xu Xu 1，* Yanbin Xu Xu Xu 1，* Xingang Liu，* Xingang Liu，1 Zhiai Weqiia，1 Zhiai wangang，1 Zhi wangang，1 Zhi wang， Burcar，2 Zhe Wang 2，*和Zhenglong Yang 1，*抽象的锂离子电池（LIBS）由于其高能密度，较大的工作温度范围，高工作电压以及良好的安全性和循环稳定而广泛用于日常生活的各个方面。阳极是锂离子电池的重要组成部分，可以存储和释放锂离子。因此，选择阳极对改善电池性能的关键影响。基于硅的阳极预计将是下一代高性能锂离子电池的阳极材料，这是由于其高理论特异性能力和其他优势。然而，锂过程中硅的体积变化和诱导的SEI的不稳定性对硅阳极的发展构成了巨大的挑战。本文回顾了锂离子电池中硅阳极的开发，系统地介绍了基于硅的材料作为阳极所带来的挑战和改进方法，并研究了硅阳极在固态电解质中的应用。最后，关于锂电池的硅阴极的未来开发的一些看法。
英特尔俄勒冈州：硅森林
社区学院、Worksource、华盛顿县和希尔斯伯勒市通过为期两周的快速启动计划开展工作，该计划包括为未来的技术人员提供加速职业准备和实践学习。快速启动旨在增加该领域代表性不足的群体和女性的机会。截至 2024 年 10 月，已有 27 个快速启动班毕业，超过 200 名毕业生从该计划中受聘。
硅技术和组件 - CEA-Leti
在 CEA Tech 和 Leti 内部，硅技术和组件研究活动由两个部门共同承担，共有约 600 名研究人员：硅技术部门开展创新工艺工程解决方案和研究，全年 24/7 全天候运营，7,500 平方米的先进洁净室空间分为三个不同的技术平台。硅组件部门开展纳米电子和硅异质集成研究，重点关注两个主要领域：CMOS 器件的不断缩小，以扩展摩尔定律，实现更快、更便宜的计算能力，以及将新功能集成到 CMOS 中，例如传感器、功率器件、成像技术和新型内存，以实现新应用。本手册包含 47 份一页的研究摘要，涵盖了我们硅器件和技术部门重点领域的进展，重点介绍了 2015 年取得的新成果。
从 KCl 电化学合成纳米硅——...
本书章节 用 KCl–K 2 SiF 6 熔体电化学合成纳米硅，用于高功率锂离子电池 Timofey Gevel 1,2、Sergey Zhuk 1,2、Natalia Leonova 1、Anastasia Leonova 1、Alexey Trofimov 1,2、Andrey Suzdaltsev 1,2* 和 Yuriy Zaikov 1,2 1 俄罗斯乌拉尔联邦大学电化学器件与材料科学实验室 2 俄罗斯科学院乌拉尔分院高温电化学研究所 *通讯作者：Andrey Suzdaltsev，乌拉尔联邦大学电化学器件与材料科学实验室，Mira St. 28, 620002 叶卡捷琳堡，俄罗斯 2022 年 4 月 12 日出版 本书章节是 Andrey Suzdaltsev 等人发表的文章的转载al. 于 2021 年 11 月在 Applied Sciences 上发表。 （Gevel, T.；Zhuk, S.；Leonova, N.；Leonova, A.；Trofimov, A.；Suzdaltsev, A.；Zaikov, Y. 通过 KCl-K 2 SiF 6 熔体电化学合成纳米硅，用于强效锂离子电池。应用科学。2021，11，10927。https://doi.org/10.3390/app112210927） 如何引用本章：Timofey Gevel、Sergey Zhuk、Natalia Leonova、Anastasia Leonova、Alexey Trofimov、Andrey Suzdaltsev、Yuriy Zaikov。通过 KCl-K 2 SiF 6 熔体电化学合成纳米硅，用于强效锂离子电池。收录于：应用科学主要档案。印度海得拉巴：Vide Leaf。2022 年。© 作者 2022 年。本文根据知识共享署名 4.0 国际许可条款分发（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/），该许可条款允许
氨基硅烯 (HSiNH2
摘要：氨基硅烯分子（HSiNH 2 ，X 1 A ′） 是不饱和氮硅烯的最简单代表，它是在单次碰撞条件下通过气相基元反应形成的，反应涉及硅基自由基（SiH）和氨（NH 3 ）。反应由硅基自由基无势垒加成到氮的非键合电子对上引发，形成 HSiNH 3 碰撞复合物，然后通过从氮原子中失去氢原子，单分子分解为氨基硅烯（HSiNH 2 ）。与等价氨基亚甲基卡宾 (HCNH 2 , X 1 A ′ ) 相比，通过用硅取代单个碳原子，对等价甲亚胺 (H 2 CNH) − 氨基亚甲基 (HNCH 2 ) 和氨基硅烯 (HSiNH 2 ) − 硅亚胺 (H 2 SiNH) 异构体对的稳定性和化学键产生了重大影响；例如，卡宾与硅烯的热力学稳定性逆转了 220 kJ mol − 1。因此，发现第十四主族元素硅的等价性与原子碳几乎没有相似性，不仅对反应性而且对热化学和化学键也表现出显着影响。
基于硅的异质结构设备和电路
课程说明微电动设备和电路设计师长期以来一直在寻求结合带隙工程提供的卓越运输特性和设计灵活性（如在GAAS和INP等复合半导体中常规实践），以及高产量和较低的常规硅（SI）制造成本。随着介绍外延硅果（Sige）合金，这一梦想终于成为现实。SIGE异质结双极晶体管（SIGE HBT）是在SI材料系统中实现的第一个实用带段的实用设备。The first functional SiGe HBT was demonstrated in 1987, and the technology has matured rapidly, at present achieving a unity-gain cutoff frequency above 700 GHz, circuit delays below 2 picoseconds, and integration levels sufficient to realize a host of record-setting digital, analog, RF, mm-wave, and sub-mm-wave circuits.自然兼容，将SIGE HBT与最佳的SI CMO组成以形成SIGE HBT BICMOS技术，这显然适合于解决新兴的性能受限，高度集成的系统，目前正在商业和国防部门在全球范围内追求。
