XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System硫属
有效合成了富含硫硫的化合物...
对形成碳键的新方法的探索，导致结构新颖的桥接化合物的合成对科学界而言至关重要。许多桥接化合物是众所周知的天然产物和生物活性支架的部分结构，并且也是许多反应中的剂量[1]（图1）。桥接分子的结构唯一性，例如它们的设计，异常对齐和诱人的化学反应，具有较小的桥梁群体鼓励我们检查其独特的有机，猜想和光谱研究[2]。设计一种连贯的策略来访问桥接化合物的综合策略的令人震惊的综合挑战，该化合物具有非保障的热力学稳定性，在合成化学家中产生了好奇心[3]。在桥位的杂原位的紧张的杂循环部分的合成是一项迷人的合成工作，由于兴高采烈以及许多有用的特性，与碳环糖化合物相比，由于兴高采烈以及许多有用的特性，它一直在获得大量的cur现利息[4]。在1928年，奥托·迪尔斯（Otto Diels）教授和他的学生库尔特·奥尔德（Kurt Alder）报告了关于合成的[4Þ2]环加成反应的开创性工作
原位从β-硫酰胺硫的硫酸盐产生的硫酸盐为...
磺基序已被广泛地嵌入在药物分子，1个农产品，2和功能材料中。3图1，例如，显示了由FDA批准的药物的含硫分子的取样。1由于磺酰基群的显着重要性，其构造的合成策略的发展引起了人们的关注。4从经典中，磺基衍生物是由具有强氧化剂的相应硫化物的氧化制备的，这可能导致兼容兼容的问题（方案1A）。5直接SO 2插入策略6构成了合成磺基衍生物的直接方法；但是，因此2气是有毒的，不容易处理。近年来，使用SO替代物（方案1b）7，例如Dabso，8元甲硫酸盐，9和Sogen 10。尽管这些方法在各种过程中取得了成功，但由于这些盐的溶解性和/或吸湿性问题，仍然存在与使用这些盐有关的缺点。硫酸及其盐已成为用于构建含有磺基产品的磺酰基试剂，11，但它们的制备和纯化限制了其应用。与磺酸制剂的众多文献相反，硫酸盐的原位产生和/或功能化已被较少注意作为进入磺酰基化合物的替代途径。
从第一性原理研究原子单层中的挠曲电性
我们利用从头算密度泛函理论 (DFT) 研究了 54 个选定原子单层中的挠曲电效应。具体来说，我们考虑了 III 族单硫属化物、过渡金属二硫属化物 (TMD)、IV 族、III-V 族、V 族单层、IV 族二硫属化物、IV 族单硫属化物、过渡金属三硫属化物 (TMT) 和 V 族硫属化物的代表性材料，执行对称性适应的 DFT 模拟，以计算在实际相关的弯曲曲率下沿主方向的横向挠曲电系数。我们发现这些材料表现出线性行为，沿两个主方向具有相似的系数，TMT 的值比石墨烯大五倍。此外，我们发现了挠曲电效应的电子起源，该效应随着单层厚度、弯曲方向的弹性模量和组成原子的极化率之和而增加。挠曲电性 1-8 是半导体/绝缘体共有的机电特性，代表应变梯度和极化之间的双向耦合。与压电性不同，它不限于非中心对称的材料，即不具有反演对称性的晶格结构，与电致伸缩相反，它允许通过反转电场来反转应变，并允许感测额外的
从第一原理研究原子单层中的挠曲电性
我们利用从头算密度泛函理论 (DFT) 研究了 54 个选定原子单层中的挠曲电效应。具体来说，我们考虑了 III 族单硫属化物、过渡金属二硫属化物 (TMD)、IV 族、III-V 族、V 族单层、IV 族二硫属化物、IV 族单硫属化物、过渡金属三硫属化物 (TMT) 和 V 族硫属化物的代表性材料，执行对称性适应的 DFT 模拟，以计算在实际相关的弯曲曲率下沿主方向的横向挠曲电系数。我们发现这些材料表现出线性行为，沿两个主方向具有相似的系数，TMT 的值比石墨烯大五倍。此外，我们发现了挠曲电效应的电子起源，该效应随着单层厚度、弯曲方向的弹性模量和组成原子的极化率之和而增加。挠曲电性 1-8 是半导体/绝缘体共有的机电特性，代表应变梯度和极化之间的双向耦合。与压电性不同，它不限于非中心对称的材料，即不具有反演对称性的晶格结构，与电致伸缩相反，它允许通过反转电场来反转应变，并允许感测额外的
属属ruminococcus and Order_burkholderiales通过调节微生物群轴
方法：我们使用开放式基因组关联研究（GWAS）数据（GWAS）对肠道微生物和骨质疏松症的数据进行了分析。使用两样本MR分析进行分析，并通过逆差异加权（IVW），EGGER，EGGER，加权中位数和加权模式方法检查因果关系。双侧卵形切除术被用于复制小鼠骨质疏松模型，该模型通过微计算机断层扫描（CT），病理测试和骨转化指数评估。此外，在粪便样品上进行了16S rDNA测序，而在结肠样品中检查了IL-6，IL-1β和TNF-α炎症因子的SIGA和索引。通过免疫荧光和组织病理学，评估了紧密连接蛋白的表达水平，例如Claudin-1，ZO-1和occludin，并对差异细菌和相关环境因素进行了相关性分析。
二剑属属的营养潜力和抗氧化活性。块茎
摘要野生山药Hirtiflora subsp。Orientalis是坦桑尼亚Mtwara农村地区的本地，尽管其营养和健康益处可观，但仍未得到充分利用。这项研究旨在评估其块茎的营养成分和抗氧化特性。使用标准的AOAC程序来分析干块茎样品，同时评估了抗氧化剂和抗氧化剂能力。发现块茎的含量从21.02％到23.57％，原油蛋白从1.0％到1.5％，粗脂质在0.46％至0.68％之间，粗纤从11.26％到13.52％，至13.52％，至97.26至101.1.1.1.1.1.1 kcal/100 g。维生素C含量从18.9至26.4 mg/100 g，β-胡萝卜素从4.15到17.8 µg/g，番茄红素从6.89到9.10 µg/g。甲醇提取物显示，总酚含量范围为60.28至122.51 mg gae/g，类黄酮含量为599至1240.4 mg rue/g，具有显着的DPPH自由基清除活性，表现为EC 50的EC 50的0.04 mg/ml的EC 50，用于棕色的Tuber Expraction和0.09 MG/ML的EC 509 mg/ml。这些发现表明，hirtiflora是重要营养素和抗氧化剂的丰富来源，具有增强局部饮食的潜力，并作为开发富含抗氧化剂的补充剂或功能性食品的基础。未来的研究应着重于提取提取技术并探索这一宝贵块茎的健康应用。关键字：野生山药（Dioscorea Orientalis）；营养成分；酚类黄酮含量；抗氧化活性简介
属属授予西方电力清洁能源合同...
“我们期待与该项目紧密合作，这是在中西部解锁可再生能源生产机会的关键，从而提高了我们北部网络的关键能力，以使工业和社区受益。我们正在不断调查网络容量的扩展和加强选择，以最大程度地利用现有网络基础设施，走廊和地役权，并最大程度地减少对社区和环境的影响。
通过原子层取代调整二维过渡金属磷三硫属化物中的自旋波
摘要 二维 (2D) 范德华过渡金属磷三硫属化物家族由于其固有的 2D 反铁磁性而重新引起了人们的关注，这证明它们是单层极限下自旋电子学和磁子学中前所未有且高度可调的构建块。在此，受 Janus 过渡金属二硫属化物中表现出的原子取代潜能的启发，我们从第一性原理研究了基于 MnPS 3 和 NiPS 3 的硒化 Janus 单层的晶体、电子和磁性结构。此外，我们计算了磁振子色散并进行实时实空间原子动态模拟，以探索自旋波在 MnPS 3 、NiPS 3 、MnPS 1.5 Se 1.5 和 NiPS 1.5 Se 1.5 中的传播。我们的计算预测磁各向异性将大幅增强，并会出现较大的 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用，这是由于 2D Janus 层中诱导的反演对称性破缺所致。这些结果为开发 Janus 2D 过渡金属磷三硫属化物铺平了道路，并凸显了它们在磁子应用方面的潜力。
过渡金属硫属化物基阳极在钾离子混合电容器中的研究进展：综述
混合离子电容器 (HIC) 是一种快速发展的技术，它结合了电池和 SC 的最佳特性，可在长时间内以高速率产生巨大的能量密度。根据之前的研究，这些 HIC 可以提供 60 到 200 W h kg 1 之间的能量（考虑到活性材料的质量），优于传统的 SC，它们的主要强度在 200 到 20 000 W kg 1 之间，大大高于电池。20,21 与锂（0.0017%）相比，钠（Na，2.6%）和钾（K，2.1%）在地壳中储量丰富，使它们成为促进电池发展的有希望的替代品。22,23 此外，K 和 Na 都属于元素周期表中锂之后的同一组，表现出相似的物理化学性质。因此，对 Na + /K + 存储技术的研究正在获得发展势头，为成功的可再生能源存储系统商业化铺平了道路。 24 K + 存储装置之所以受到关注，是因为它们的工作电压比 Na 离子存储装置高，电解质中的离子电导率也更出色。例如，K/K + 氧化还原对的电位为 2.93 V（相对于标准氢电极 (SHE)），低于 Na/Na +
ETMOS：外延过渡金属二硫属化物到宽带隙六方半导体上，用于先进
ETMOS 项目旨在通过分子束外延 (MBE) 和脉冲激光沉积 (PLD) 开发电子级过渡金属二硫属化物 (TMD) 的大面积生长。根据最近关于在六方晶体衬底上生长的 MoS2 外延质量的报告和初步结果，我们将推动这些材料在宽带隙 (WBG) 六方半导体 (SiC、GaN、AlN、AlGaN 合金) 和绝缘蓝宝石上的外延层生长。五个合作伙伴在薄膜生长 (CNRS、SAS)、高级特性和模拟 (CNR、HAS、U-Pa)、加工和电子设备原型 (CNR) 方面拥有互补的技能。将在不同衬底 (Si、蓝宝石、SiC、块状 GaN) 上生长 WBG 半导体模板/薄膜，以完全控制起始材料的特性并制备外延就绪表面，从而实现高质量和均匀的 TMD MBE 和 PLD 生长。沉积范围将从单层 (1L) 到几层 (最多 5) MoS2 和 WSe2，并在直径最大为 100 毫米的晶片上控制亚单层厚度。将开发 MBE 或 PLD 期间的 TMD 替代掺杂，重点是 MoS2 的 p+ 掺杂，这对设备应用具有战略意义。除了生长设施外，ETMOS 联盟还拥有整套形态、结构、化学、光学和电扫描探针表征，有助于在每个生长步骤中实现高质量。将通过专门设计的测试设备研究 TMD 的电性能 (掺杂、迁移率、电阻率等) 以及跨 TMD/WBG 异质结的电流传输。实验将通过生长模拟和 WBG 上 TMD 电子能带结构的从头计算来补充。将制定多尺度表征协议，以将我们的外延 TMD 与使用相同或互补沉积方法的其他小组的结果进行对比。最后，将制造利用 TMDs/WBG 异质结特性的器件原型，包括：(i) 基于 p+-MoS2 与 n-GaN 或 n-SiC 原子突变异质结的带间隧穿二极管和晶体管；(ii) MoS2/GaN 和 MoS2/SiC UV 光电二极管；(iii) 具有 Al(Ga)N/GaN 发射极和 1L TMD 基极的热电子晶体管。开发的材料/工艺的目标是在项目结束时达到 TRL=5。由于 ETMOS 合作伙伴与 SiC 和 GaN 领域的领先工业企业（STMicroelectronics、TopGaN、Lumilog）保持着持续合作，因此来自行业的代表将成为 ETMOS 顾问委员会的成员，为工艺与生产环境的兼容性提供指导。我们的 TMDs 生长活动与常用的 CVD 方法高度互补。我们预计与石墨烯旗舰项目第 1 和第 3 部门的团队将产生强大的协同作用，从而促进欧洲在 TMD 和设备应用大面积增长方面的能力。