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World File Search System碳化硅
集成 SiC 平台中的纠缠光子对生成
摘要：纠缠在量子信息处理中起着至关重要的作用。由于其独特的材料特性，碳化硅最近成为可扩展实现先进量子信息处理能力的有希望的候选者。然而，迄今为止，在碳化硅中仅报道了核自旋的纠缠，而纠缠光子源，无论是基于块体还是芯片级技术，仍然难以捉摸。在这里，我们首次报告了集成碳化硅平台中纠缠光子源的演示。具体而言，通过在4H绝缘体上碳化硅平台中的紧凑微环谐振器中实现自发四波混频，在电信C波段波长处有效地产生强相关的光子对。在泵浦功率为 0 时，最大巧合与意外比率超过 600。17 mW，对应的成对率为 ( 9 ± 1 ) × 10 3 对/秒。针对此类信号-闲置光子对创建并验证了能量-时间纠缠，双光子干涉条纹的可见度大于 99%。还测量了预期的单光子特性，预期的 𝑔 ( 2 ) ( 0 ) 约为 10 − 3 ，表明 SiC 平台有望成为量子应用的完全集成、CMOS 兼容的单光子源。
利用三角碳化硅结构中的光子带隙实现高效的量子纳米光子硬件
由于其色心缺陷具有长自旋相干性和单光子发射特性，碳化硅成为领先的量子信息材料平台之一。碳化硅在量子网络、计算和传感中的应用依赖于将色心发射高效收集到单一光学模式中。该平台的最新硬件开发专注于角度蚀刻工艺，以保留发射极特性并产生三角形器件。然而，人们对这种几何结构中的光传播知之甚少。我们探索了三角形横截面结构中光子带隙的形成，这可以作为在碳化硅中开发高效量子纳米光子硬件的指导原则。此外，我们提出了三个领域的应用：TE 通滤波器、TM 通滤波器和高反射光子晶体镜，它们可用于高效收集和传播光发射模式选择。
使用SIC MOSFET
碳化硅（SIC）设备以其提供高压，高电流和高温组件的能力而闻名，这使它们成为创建更节能系统的理想选择，例如电动汽车中使用的系统。这些设备可以承受高功率密度并在高温下运行，这对于创建具有最大行驶范围的电动汽车至关重要。通过在电动汽车系统中使用碳化硅设备，制造商可以创建更高效，更持久，更可靠的车辆。在电池系统中使用碳化硅会导致大量节省，因为随着时间的流逝，能量回收的损失较小。此外，它允许更高的频率和密度和更好的热管理。这些好处可能会对整体系统效率和有效性产生积极影响。硅碳化物在该行业中的小时水平和可靠性最高，使其成为电力转换的绝佳材料。
2023年企业社会责任报告
为了使碳化硅在功率器件中有效工作，必须对其进行抛光并且没有缺陷。以前，抛光过程耗费大量时间和资源，每片晶圆最多需要 50 小时。Entegris 的团队由 Rajiv Singh 博士领导，开发了一种可在大约一小时内抛光材料的工艺，大大节省了时间和材料。最近的改进将抛光时间进一步缩短至几分钟。这种快速抛光工艺可产生无缺陷、原子级光滑的表面，从而能够制造出性能更高的碳化硅器件，与传统硅器件相比，可将电动汽车电池的充电时间缩短高达 50%。通过促进电动汽车的过渡和清洁能源技术的发展，Entegris 的碳化硅创新正在为更可持续的未来做出贡献。
通过铁掺杂的碳化硅石墨烯单层吸附布洛芬：DFT探索药物输送见解
通过执行密度功能理论（DFT）计算来研究非甾体类抗炎药的吸附，提供了抽象的药物输送见解。布洛芬（IBU），由铁掺杂的碳化硅（FSIC）石墨烯单层。在这方面，优化了IBU，SIC和FSIC的单个模型以获得其稳定的几何形状和特征，其中为增强的FSIC石墨烯单层发现了出色的成就，可用于原始的SIC石墨烯单层，以与IBU物质相互作用。随后，通过重新调整Bimolecular模型来获得IBU@SIC和IBU@FSIC复合物，并以-1.44 kcal/kcal/kcal/kcal/kcal/mol和-43.14 kcal/mol/mol/mol，相应地，对IBU的相互作用和SIC和SIC和FSIC的单层相互作用的形成进行了研究。此外，还发现了铁掺杂区域在管理FSIC和IBU对应物之间的相互作用方面的显着作用。o…fe相互作用在IBU@FSIC复合物中的存在得到了分子（QTAIM）分析中原子量子理论的结果肯定。电子分子轨道结果表明，与SIC石墨烯单层相比，FSIC石墨烯单层较软，可以更好地参与与IBU物质的相互作用。比较了态度（DOS）图（DOS）图和能量差距（GAP）距离的距离（GAP）的距离（GAP）的距离（GAP）距离与单一石墨烯单层与复杂状态的边界分子水平的距离相比，FSIC比SIC更容易IBU检测IBU检测。作为最后的说明，在该领域进一步研究后，发现了IBU@FSIC复合物的适用性，可作为拟议的药物输送平台工作。
碳化硅超表面中强耦合声子极化子的光谱和干涉和频成像
声子极化子能够实现红外光的波导和定位，具有极强的限制性和低损耗。通常使用互补技术（例如近场光学显微镜和远场反射光谱）来探测此类极化子的空间传播和光谱共振。这里，介绍了红外-可见和频光谱显微镜作为声子极化子光谱成像的工具。该技术同时提供亚波长空间分辨率和高分辨率光谱共振信息。这是通过使用可调红外激光共振激发极化子和对上转换光进行宽场显微镜检测来实现的。该技术用于对 SiC 微柱超表面中局部和传播表面声子极化子的杂交和强耦合进行成像。光谱显微镜允许通过角度相关共振成像同时测量动量空间中的极化子色散，并通过极化子干涉测量法在实空间中测量极化子色散。值得注意的是，可以直接成像强耦合如何影响极化子的空间定位，而这是传统光谱技术无法实现的。在强耦合阻止极化子传播到超表面的激发频率下观察到边缘态的形成。该技术适用于具有破坏反演对称性的广泛极化子材料，可用作快速、非微扰工具来成像极化子杂化和传播。
绿色 - 绿色 - 绿色...
在这份白皮书中，我们已经确定了以下领域，即采用复合半导体可能有助于更有效的生态系统：1可再生能源产生：风能和太阳能技术都可以从碳化硅（SIC）中受益，碳化硅（SIC）具有较高的功率转换效率，可减少能源转化损失，最大减少90％。对于风能，SIC技术的整合可以提高运营效率和可靠性。在太阳能中，SIC的热量耗散特性有助于延长太阳能光伏（PV）系统的生命周期。
使材料有所不同-Cumi Aerospace＆Defense
cumi生产具有高化学纯度，受控特异性表面积，高度化学惰性的超细碳化物亚微米粉末，适用于工程陶瓷化合物。这种超细碳化硅粉末是Cumi高度可靠的弹道溶液的重要组成部分。我们的当代解决方案与传统的笨重和重金属装甲形成了鲜明的对比。由氧化铝和碳化硅制造而成，Cumi的轻质陶瓷弹道解决方案具有符合人体工程学，易于穿着，可定制为各种尺寸和形状。
适用于 X 波段 AESA 雷达应用的 10W GaN on SiC CPW MMIC 高功率放大器，PAE 为 44.53%
本文介绍了一种用于雷达应用的新型 X 波段碳化硅 (SiC) 共面波导 (CPW) 单片微波集成电路 (MMIC) 高功率放大器 (HPA) 设计。在设计中，采用了 0.25 μ m γ 形栅极和高电子迁移率晶体管 (HEMT)，它们采用了碳化硅基氮化镓技术，因为它们具有高热导率和高功率处理能力。此外，在 8.5 GHz 至 10.5 GHz 的频率范围内，反射系数低于 -10 dB，可产生 21.05% 的分数带宽。此外，MMIC HPA 在 2 GHz 带宽内实现了 44.53% 的功率附加效率 (PAE)，输出功率为 40.06 dBm。此外，由于 MMIC HPA 具有高输出功率、宽工作带宽、高 PAE 和紧凑尺寸，因此非常适合用于 X 波段有源电子扫描阵列雷达应用。索引术语 — 有源电子扫描阵列 (AESA) 雷达、共面波导 (CPW)、碳化硅 (SiC) 上的氮化镓 (GaN)、高电子迁移率晶体管 (HEMT)、单片微波集成电路 (MMIC)、高功率放大器 (HPA)。