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World File Search System磁化强度
含N,N-二甲基甲酰胺水溶液中电沉积铁铬合金薄膜的磁化强度和显微硬度
电沉积是制备合金的重要方法之一。利用电沉积合成合金的方法引起了广泛关注，因为它能够在室温下在金属基材上制备合金薄膜。到目前为止，含有六价铬（Cr 6 +）离子的电解槽已用于金属铬的电沉积。然而，众所周知，Cr 6 + 离子会引起有害的环境污染[4,5]。在欧盟，WEEE/RoHS（废弃电子电气设备/限制在电子电气设备中使用某些有害物质）指令限制使用Cr 6 + 离子[6]。因此，作为一种替代工艺，许多研究人员提出了从含三价铬（Cr 3 +）离子的电解槽中电沉积金属铬合金（例如 Co e Cr 和 Ni e Cr 合金 [7]、Fe e Cr 合金 [8] 和 Fe e Cr e Ni 合金 [9]）。然而，众所周知，电沉积的电流效率受到很大限制，因为 Cr/Cr 3 + 的标准电极电位为 0.937 V（vs. Ag/AgCl/饱和 KCl），远不如铁族金属（例如 Ni/Ni 2 +、Co/Co 2 + 和 Fe/Fe 2 +）的电位高 [10]。在从水溶液中电沉积次贵金属的过程中，随着电流密度的增加，阴极附近的pH值升高[11]。pH值升高的原因是高电流密度下氢气析出速率高，导致阴极附近的H+离子消耗速率高。因此，在简单的水溶液中，Cr3+离子在高电流密度下会与阴极附近的六个水分子形成复合物[Cr(H2O)6]3+。具体而言，这些[Cr(H2O)6]3+离子会在酸性pH区（pH > 4.5）通过羟桥反应形成羟基桥接胶体聚合物[12，13]。阴极附近的这种胶体聚合物会抑制金属铬的电沉积。因此，通常在水溶液中加入甘氨酸、尿素或 N,N-二甲基甲酰胺 (DMF) 等络合剂来抑制 [Cr(H 2 O) 6 ] 3 + 离子的形成。在这些络合剂中，DMF 是众所周知的在金属电沉积过程中减少氢析出的有效络合剂 [14]。之前有几种
超流二极管效应、自旋扭矩和稳健零点
我们考虑三层 F 1 F 2 F 3 约瑟夫森结，它们在二维上是有限的，并且每个铁磁体 F i (i=1,2,3) 具有任意磁化强度。三层夹在两个 s 波超导体之间，它们具有宏观相位差∆ φ。我们的结果表明，当磁化具有三个正交分量时，超电流可以在∆ φ = 0 处流动。利用我们的广义理论和数值技术，我们研究了电荷超电流、自旋超电流、自旋扭矩和态密度的平面空间分布和∆ φ 依赖性。值得注意的是，当将中心铁磁层的磁化强度增加到半金属极限时，自偏置电流和感应二次谐波分量显著增强，而临界超电流达到其最大值。此外，对于很宽范围的交换场强度和方向，系统的基态可以调整为任意相位差 ϕ 0 。对于中间层 F 2 中的中等交换场强度，可以出现 ϕ 0 状态，从而产生超导二极管效应，从而可以调整 ∆ ϕ 以产生单向无耗散电流。自旋电流和有效磁矩揭示了半金属相中的长距离自旋扭矩。此外，态密度揭示了相互正交磁化配置的零能量峰的出现。我们的结果表明，这种简单的三层约瑟夫森结可以成为产生实验上可获得的长距离自偏置超电流和超流二极管效应特征的绝佳候选者。
轨道轨道的非平衡轨道角动量
电流流动的附加导体。在2000年代提出了通过将自旋式电子注射到FM中，提出了通过电流来操纵电流的磁化的想法（图1C）[2]。注入的旋转与磁化相互作用，最终，传出的电子将获取FM的自旋偏振。由于总角动量是保守的，因此进出状态的旋转的差异意味着磁化强度必须经历扭矩作为背部动作。相应的过程称为自旋扭矩，它可以通过电流进行有效的磁化操作。GMR和自旋扭矩是旋转记忆设备（例如磁随机存储器（MRAM））背后的关键机制，它可以用作内存和神经形态计算设备以及存储式内存的可靠硬件。
等摩尔高熵合金中的超导性
轻巧的高熵合金代表了一类创新的多组分系统，该系统将低密度与高渗透合金的特性相结合。我们介绍了3D富含等值的高熵超导体SC-TI-V-NB-CU的详细综合和研究，该合成器sc-ti-v-nb-cu在体内以身体为中心的立方结构中结晶。磁化强度，电阻率和热容量测量值证实了弱耦合的II型超导率，具有7.21（3）K转型温度和12.9（1）T的上部临界场。上部临界场接近Pauli Parmagnetic极限，表明潜在的不常规行为。低密度，中等过渡温度和高临界场引起了SC-TI-V-NB-CU，是下一代超导设备应用的有前途的候选人。
反铁磁体超快激发下的稳健磁序
自从 Beaurepaire 等人发现超快退磁以来 [1]，大量研究应用三温度模型 (3TM) 的变体来描述实验性超快磁化动力学。 [2–10] 通过引入瞬态电子、晶格和自旋自由度的有效温度（见图 1 d），3TM 使用三个耦合的微分方程来描述子系统之间的相互能量传递，为定量分析超快磁化动力学提供了一种直观的现象学方法。微观三温度模型 (M3TM) 改进了 3TM，通过 Elliott-Yafet 自旋翻转散射用磁化强度代替现象学自旋温度，考虑超快磁化动力学中的动量守恒。 [2] 此类公式与 Landau-Lifshitz-Bloch (LLB) 方程有关，其中与电子的耦合细节
铁磁半导体中各向异性磁阻效应的综述
电阻是衡量电流流过材料时遇到的阻力大小的一种量度。在某些材料中，这种阻力还取决于施加在材料上的磁化强度和方向。这种现象称为各向异性磁阻 (AMR)。1856 年，苏格兰物理学家开尔文勋爵通过对铁和镍等铁磁金属进行实验首次观察到了这种现象[1]。他发现，当磁力方向垂直于电流时，电阻减小，而当磁力方向一致时，电阻增大。AMR 的应用可以在自旋电子学中找到，这是一项固态技术，其中电子自旋可以被操纵以产生有用的特性。自旋电子学用于各种技术，例如车辆中的导航系统和用于数据存储的硬盘[2]。
新型的甲基转移酶G9a抑制剂通过NRF2/HO-1途径诱导多发性骨髓瘤的铁毒性2D纳米结构的磁磁结构中的光学TAMM状态
我们通过数值探索光子TAMM状态（OT），该光子结构由由纳米结构的金属层组成的光子结构（DBR）上方。评估了几种极化，发生率和模式的映射及其特性。然后，我们通过在金属图案下方添加钴层并切换其磁化强度来获得OT的磁控制。该控制在等离子原料中广泛使用，利用了横向磁光kerr效应（TMOKE）。该结构的模拟Tmoke signal的幅度为10-3，与常规的磁性结构相比，在金属条纹之间提供了高能量的结果。除了可以更好地访问分析物进入敏感区域的金属层开放外，这为在生物和化学感测应用中的敏感性较高的道路铺平了道路。
fermi-surface不稳定在重屈力超导体UTE 2
我们提出的不同运输测量值在最近发现的重毛力超导体UTE 2中，沿着以身体为中心的原晶结构的易于磁化A轴施加了磁场。热电功率随温度高于超导过渡的温度而变化，T SC = 1。5 K，表明超导性在费米液体方向发展。作为场的函数，热电学功率显示了连续的异常，这归因于场诱导的费米表面不稳定性。这些费米 - 表面不稳定性出现在磁极化的临界值处。值得注意的是，与沿B-轴施加的磁性的第一阶metAgnetic跃迁相比，磁化强度（0.4 µ b）的磁性临界值（0.4 µ b）的最低磁场不稳定发生。低温下估计的电荷载体数量揭示了与LDA计算不同的金属基态，表明强电子相关是该化合物中的主要问题。
绝热地消灭米克尔文温度，带有扭曲的正方形晶格磁铁$ {\ rm naybgeo} _ {4} $
我们报告了Millikelvin绝热去磁性消防制冷（MK-ADR）候选材料Naybgeo 4的合成，表征，低温磁和热力学测量值，该候选物质Naybgeo 4表现出扭曲的YBO 6磁性单元的平方晶格。磁化强度和特定热量表明弱相互作用的有效自旋1 /2低于10 K的有效自旋1 /2矩，质量 - 韦斯温度仅为15 mk，可以通过1 t级的磁场进行偏振。对于ADR性能测试，我们启动了从5 t的温度下的5 t启动〜2 k的温度，并达到〜2 k的温度，并达到150毫克的最低温度。变暖曲线表明在210 MK处的热容量中的磁性急剧过渡，这仅表示磁性弱弱。与在相似条件下研究的沮丧的ytterbium-Ox-odr ADR材料相比，S GS≃101MJ K-1 cm-3的熵密度并保持低于2 k的2 k的时间是竞争性的，而最小温度则更高。