我们通过数值探索光子TAMM状态(OT),该光子结构由由纳米结构的金属层组成的光子结构(DBR)上方。评估了几种极化,发生率和模式的映射及其特性。然后,我们通过在金属图案下方添加钴层并切换其磁化强度来获得OT的磁控制。该控制在等离子原料中广泛使用,利用了横向磁光kerr效应(TMOKE)。该结构的模拟Tmoke signal的幅度为10-3,与常规的磁性结构相比,在金属条纹之间提供了高能量的结果。除了可以更好地访问分析物进入敏感区域的金属层开放外,这为在生物和化学感测应用中的敏感性较高的道路铺平了道路。
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