这被提供给振荡器馈电磁控管。磁控管的微波功率输出被引导到抛物面反射器天线阵列中,以便传输到接收端天线。为了补偿自由空间中的大量损失,空间传播和接收端的信号强度以及转换效率。天线以阵列形式连接,基于 FM 运行的信号无线电控制反馈系统为磁控管提供适当的控制信号,使其输出电平随着接收端的消费者需求而波动。通过使用高转换效率的直流到交流投资者和更高额定值的 Scotty 二极管来增加天线阵列的方向性,可以提高 WPT 系统的整体效率。
本文探讨了能够达到高温的多磁控管烤箱的设计、制造和性能。首先,模拟了合适的波导,并完成了生产过程。然后,模拟了多磁控管烤箱的拟议设计,并提出了适当的尺寸。据报道,生产的多磁控管烤箱的平均功率密度 (PD) 值为 0.37 mW/cm²,这表明了其性能和效率。该值符合标准,对人体安全。我们研究的主要目的是证明波导可以在烤箱中心达到高温而不会相互影响。在这种情况下,观察到磁控管在单、双、三和四模式下工作时产生的温度在烤箱中心逐渐升高。支持这一点的模拟结果表明 S 21 参数为 -177 dB。我们研究中提出和应用的设计高效、易于生产、对人体安全、成本低,可用于达到高温的商业和学术研究。总体而言,多磁控管烤箱设计被证明是一种成功且实用的解决方案,适用于需要高温的应用,展示了其在工业和研究方面的潜力。这项研究的结果为先进加热技术的开发提供了宝贵的见解,表明高温应用的效率和安全性得到了显著改善。
• 大致分为小FFE(3”-8”靶材)和大FFE(10”-17”靶材) • 靶材利用率高,镀膜均匀性好 • 半导体、研发、贵金属溅射、光学
摘要 — 使用有限元频域代码 ANSYS HFSS 和粒子单元 (PIC) 代码 MAGIC 设计和模拟了循环平面正交场放大器 (RPCFA)。RPCFA 是一种高功率微波装置,改编自美国密歇根州安娜堡密歇根大学开发的循环平面磁控管。平面、曲折线和慢波结构的电磁 (EM) PIC 模拟显示,1.3 MW、3 GHz 信号可放大 13.5 dB 至约 29 MW。RPCFA 设计为由密歇根电子长束加速器-陶瓷绝缘体的脉冲功率驱动,该加速器目前配置为输出 −300 kV、1-10 kA 的脉冲,脉冲长度为 0.3-1 µ s。 RF 输入驱动信号将由 MG5193 磁控管提供,该磁控管可在 3 GHz 频率下提供高达 2.6 MW 的 5 µ s 脉冲。EM PIC 模拟还展示了设计的零驱动稳定性,并用于评估由于几个实验参数的变化而导致的性能变化。驱动频率的变化表明 RPCFA 的 3 dB 放大带宽预计为 300 MHz 或 10%。
DRP配置功能现在已进一步扩展,以支持共同散布和共反应性溅射。drp 2.5使用磁控管输出配置,但具有两个或更多不同的目标材料,形成单个薄膜材料,其中包含两个或多个组成元素。没有其他磁控管输出配置(例如此)可用于共同启动或共反应溅射。这种构型产生了几个重要的好处,包括:1)较低的底物加热,这对于热敏感的底物(即塑料,包括聚对苯二甲酸酯[PET],最常见的热塑性塑料等非常重要); 2)比标准双极,双磁孔溅射(DMS)明显高的沉积速率; 3)较低的弧产生导致较低的颗粒产生。对于诸如PET之类的材料的网络涂料,较低的底物加热至关重要。
发生器规格:•制造商:NCBJ(波兰)•发射器类型:基于磁控管的微波脉冲发生器•生成的频率:2.98 GHz•脉冲功率:3 MW•脉冲持续时间:0.5 – 3 μs•脉冲重复周期:从单个脉冲到 4 ms•上升前斜率时间:0.1-0.2 μs•下降后斜率时间:0.2-0.5 μs•集成:直接波导与定向天线的结合
在过去的几十年中,人们一直在积极讨论“非热”微波辅助微生物灭活机制。这项工作介绍了一种新颖的非侵入式声学测量方法,测量家用微波炉腔体磁控管的工作频率为 fo = 2.45 ± 0.05 GHz(λ o ~ 12.2 cm),并在时间域(0 至 2 分钟)内进行调制。测量结果揭示了腔体磁控管阴极灯丝冷启动预热周期和脉冲宽度调制周期(开启时间、关闭时间和基准周期,其中开启时间减去基准时间 = 占空比)。波形信息用于重建历史微波“非热”均质微生物灭活实验:其中自来水用于模拟微生物悬浮液;冰、碎冰和冰浆混合物用作冷却介质。实验使用文字、图表和照片进行描述。确定了影响悬浮液时间相关温度曲线的四个关键实验参数。首先,当所选工艺时间 > 时间基准时,应为每一秒的微波照射使用腔体磁控管连续波额定功率。其次,由于外部碎冰和冰浆浴的热吸收率不同,它们会产生不同的冷却曲线。此外,外部浴可能会屏蔽悬浮液,从而延缓时间相关的加热曲线。第三,由于周围没有冰块,内部冷却系统要求悬浮液直接暴露在微波照射下。第四,四个独立的水假负载隔离并控制悬浮液的热传递(传导),从而将一部分微波功率从悬浮液中转移出去。使用能量相空间投影将 800 W 时 0.03 至 0.1 kJ ⋅ m −1 的“非热”能量密度与报道的 1050 ± 50 W 时 0.5 至 5 kJ ⋅ m −1 的热微波辅助微生物灭活能量密度进行比较。
使用不同靶到基片距离的化学计量氮化硅靶,通过射频磁控溅射在单面 P 型抛光掺硼硅晶片基片上沉积氮化硅薄膜。改变靶到基片的间距(非常规参数)以优化表面粗糙度和晶粒尺寸。这种优化提供了均匀、密集的氮化硅薄膜的正态分布,没有表面裂纹。采用原子力显微镜探索氮化硅薄膜的精确表面粗糙度参数。所有样品的表面粗糙度和晶粒分析都表现出直接关系,并与靶到基片的间距呈反比关系。通过以下参数分析了 Si3N4 的表面形貌:平均粗糙度、均方根粗糙度、最大峰谷高度、十点平均粗糙度、线的偏度和峰度。氮化硅薄膜的表面粗糙度在基于氮化硅波导的生物传感器制造中具有重要意义。 (2022 年 8 月 4 日收到;2023 年 4 月 3 日接受) 关键词:原子力显微镜、射频磁控溅射、氮化硅、靶材到基板间距、薄膜 1. 简介 氮化硅具有卓越的光学、化学和机械性能,是微电子学中用作电介质和钝化层 [1] 以及微机电系统 (MEMS) 中结构材料最广泛的材料 [2, 3]。氮化硅薄膜由于其在可见光和近红外 (NIR) 区域的高折射率和透明度,在光电子应用中也发挥着至关重要的作用 [4, 5]。氮化硅薄膜在光电子领域的主要应用是基于光波导的生物传感器作为平面光波导 [6-8]。平面光波导是一种三层结构,其中通常称为芯的高折射率薄膜夹在两个低折射率膜(称为下包层和上包层)之间。平面波导内部的光传播基于全内反射原理。据报道,光波导中芯体表面的粗糙度是造成波导边界处光传播损耗的原因 [10, 11]。这是由于界面处的反射和折射现象而不是全内反射造成的。芯体的粗糙表面可以将光散射到不同方向。芯体和包层之间的折射率差 ∆n 越大,光在芯体中的限制就越大。因此,由于氮化硅的折射率约为 2,而二氧化硅的折射率约为 1,因此二氧化硅/氮化硅/二氧化硅的特定结构是平面光波导的合适候选材料。46 作为上下包层,折射率差 ∆n ~ 0.5[9]。Si 3 N 4 薄膜通过低压化学气相沉积、热蒸发、等离子体增强化学气相沉积和磁控溅射系统制备[12-16]。然而,磁控溅射技术由于无毒气体、低温沉积、易于调节沉积速率和沉积系统简单而比 PECVD 技术具有相当大的优势[17]。薄膜的常规参数