对随机和不规则抽样的时间序列进行建模是在广泛的应用中发现的一个具有挑战性的问题,尤其是在医学中。神经随机微分方程(神经SDE)是针对此问题的有吸引力的建模技术,它可以将SDE的漂移和扩散项与神经网络相关。但是,当前用于训练神经SDE的算法需要通过SDE动力学进行反向传播,从而极大地限制了它们的可扩展性和稳定性。为了解决这个问题,我们提出了轨迹流匹配(TFM),该轨迹以无模拟方式训练神经SDE,通过动力学绕过反向传播。TFM利用从生成建模到模型时间序列的流量匹配技术。在这项工作中,我们首先为TFM学习时间序列数据建立必要条件。接下来,我们提出了一个改善训练稳定性的重新聚集技巧。最后,我们将TFM适应了临床时间序列设置,从绝对性能和不确定性预测方面,在四个临床时间序列数据集上的性能提高了,这是在这种情况下的关键参数。
业界越来越倾向于采用三维 (3D) 微电子封装,这要求开发新的创新型故障分析方法。为此,我们的团队正在开发一种称为量子金刚石显微镜 (QDM) 的工具,该工具利用金刚石中的一组氮空位 (NV) 中心,在环境条件下同时对微电子进行宽视野、高空间分辨率的矢量磁场成像 [1,2]。在这里,我们展示了 8 nm 工艺节点倒装芯片集成电路 (IC) 中的二维 (2D) 电流分布和定制多层印刷电路板 (PCB) 中的 3D 电流分布的 QDM 测量结果。倒装芯片中 C4 凸块发出的磁场在 QDM 测量中占主导地位,但这些磁场已被证明可用于图像配准,并且可以减去它们以分辨芯片中微米级相邻的电流轨迹。通孔是 3D IC 中的一个重要组件,由于其垂直方向,因此仅显示 B x 和 B y 磁场,而使用传统上仅测量磁场 B z 分量(与 IC 表面正交)的磁强计很难检测到这些磁场。使用多层 PCB,我们证明了 QDM 能够同时测量 3D 结构中的 B x 、B y 和 B z 磁场分量,这对于在电流通过层间时解析通孔磁场非常有利。两个导电层之间的高度差由磁场图像确定,并且与 PCB 设计规范一致。在我们最初使用 QDM 为复杂 3D 电路中的电流源提供更多 z 深度信息的步骤中,我们证明了由于麦克斯韦方程的线性特性,可以从整个结构的磁场图像中减去各个层的磁场图像。这允许从设备中的各个层中分离信号,该信号可用于通过求解 2D 磁逆来映射嵌入式电流路径。这种方法提出了一种迭代分析协议,利用神经网络对包含各种类别的电流源、隔离距离和噪声的图像进行训练,并结合 IC 的先验信息,
磁特征和方法标准收集了具有多年磁传感器经验的人员的企业知识。这些个人因其对该学科的贡献而受到认可和尊重。大约有 32 名或更多技术人员为本文档的编写做出了贡献。这项团队工作涉及政府、军队、大学和公司的多个机构。这些组织包括但不限于德克萨斯大学;国家地面情报中心;尤马试验场;白沙导弹靶场;MITRE 公司;宾夕法尼亚州立大学;佛罗里达州埃格林空军基地的 46TW/TSR;美国陆军研究实验室 - 皮卡汀尼兵工厂;Sentech, Inc.;阿诺德工程开发中心;美国陆军水道实验站;阿伯丁测试中心;Bishop Multisensors 公司;和 BAE 系统。
Exxelia 是一家复杂无源元件和精密子系统制造商,专注于高要求的终端市场、应用和功能。Exxelia 产品组合包括各种电容器、电感器、变压器、电阻器、滤波器、位置传感器、滑环和高精度机械零件,服务于航空航天、国防、医疗、铁路、能源和电信等众多领先的工业领域。
摘要:铁磁性和超导性(FMS)的共存一直是冷凝物质物理学的迷人领域,可洞悉非常规超导配对,自旋三重相互作用以及拓扑保护的表面状态。本文综述了FMS研究中最新的理论和实验进步,重点是隧道光谱,自旋轨道耦合以及拓扑材料的作用。我们讨论了自旋极性电流,超导间隙和铁磁顺序之间的相互作用,以及在包括拓扑绝缘子和石墨烯在内的新型材料中识别和操纵这些现象的挑战。特定的重点是使用隧道光谱作为探测对称性的工具,以及外部磁场和自旋轨道耦合对这些系统的影响。
图 1. 不同 PHBV 膜表面和横截面 SEM 显微照片:a) PHBV_70:30 (CF:DMF)、b) PHBV_85:15 (CF:DMF)、c) PHBV_DMF、d) PHBV_DMSO;横截面:e) PHBV_70:30 (CF:DMF)、f) PHBV_85:15 (CF:DMF)、g) PHBV_DMF、h) PHBV_DMSO。所有图像的比例均为 20 µm。i) 不同 PHBV 膜的孔隙度。
记录的版本:此预印本的一个版本于2024年8月31日在自然通讯上发布。请参阅https://doi.org/10.1038/s41467-024-52084-0。
抽象磁传感设备是极为重要的检测器,这些检测器被使用了几种重要且有用的应用。几何磁磁性(EMR)是与非磁性半导体 - 金属杂交结构相关的几何磁磁性,并受几何形状的影响。是洛伦兹力的结果,在半导体 - 金属杂交结构中,当前的路径从金属(没有磁场)变为半导体(在磁场的征服下)是EMR现象的关键,即一旦将金属放入半导体中,它就可以用作短路,大多数应用的电流通过金属的无机性移动,几乎全部的半导体 - 金属杂化结构的全部阻力下降到小于均质半导体的值小于均质的磁场,在其他磁场上,在其他磁场上,在其他磁场上都在磁场上,在磁场上,在磁场上进行了启动,在磁场上既有磁场,又在磁场上进行了启动的途径。并且整个电阻变成了相当高的幅度,取决于设备的几何形式。变量控制这些现象是金属和半导体电导率,半导体载体迁移率和装置几何形状。在本综述中,概述了EMR现象历史记录,变量控制IT,材料和应用程序的应用。
准一维(Q1D)自旋链体系由于其量子磁性而在高密度信息存储设备、量子信息和计算机中有着巨大的潜在应用。人们在 ANb 2 O 6(A = Mn、Fe、Co 或 Ni)化合物中研究了其低维磁行为,其结构和磁性非常有趣,因为该系统呈现出弱相互作用的伊辛链,从而导致了这种准一维磁序。我们的研究结合了比热和磁测量;X 射线和中子衍射(ND)。在这项工作中,我们提出了一种 Co/Ni 正交结构,称为铌矿,它与 Pbcn 空间群结晶,其分子式为 Co 0.4 Ni 0.6 Nb 2 O 6 。Co 取代 Ni 导致晶格体积连续减小,从而保持正交晶体结构。磁化率和比热测量表明,由于链间相互作用较弱,在 3.4 K 时会出现反铁磁序。磁性离子的部分取代往往会改变在 CoNb 2 O 6 和 NiNb 2 O 6 中观察到的磁序。最后,我们展示了这种磁结构随 Ni-Co 取代而发生的变化。