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玻璃芯基板：CHIPS和MMI的机遇
SK 集团将在佐治亚州科文顿建立首家基于玻璃的半导体部件合资企业（Absolics）与 GT-PRC 的互动 州长 Brian P. Kemp 宣布（佐治亚州亚特兰大 – 2021 年 10 月 28 日） 公司将在这个前所未有的合资企业中投资超过 4.73 亿美元，并将在牛顿县创造 400 多个新工作岗位 2022 年 11 月动工 2024 年产量最低；2025 年产量最高
集成光子芯片中的编码纠错
1 香港理工大学量子技术研究所 (IQT)，香港 2 南洋理工大学量子科学与工程中心 (QSec)，新加坡 639798 3 哥本哈根大学尼尔斯·玻尔研究所混合量子网络中心 (Hy-Q)，丹麦哥本哈根 DK-1165 4 布里斯托大学 HH Wills 物理实验室和电气电子工程系量子工程技术实验室，布里斯托 BS8 1QU，英国 5 同济大学物理科学与工程学院精密光学工程研究所，上海 200092，中国 6 新加坡科技研究局微电子研究所，新加坡 138634 7 先进微晶圆代工厂，新加坡 117685 8 新加坡国立大学量子技术中心，新加坡 117543 9 南洋理工大学国立教育学院，新加坡 637616
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利用人工智能（AI）技术与电磁学进行优化设计 [I]
(1) MP Bendsøe 和 N. Kikuchi，“使用均质化方法在结构设计中生成最佳拓扑”，Comp. Methods in Appl. Mech. Eng.，第 71 卷，第 197-224 页，1988 年。 (2) MP Bendsøe 和 O. Sigmund，拓扑优化，理论、方法和应用，Springer，2004 年。 (3) Hidenori Sasaki 和 Hajime Igarashi，“使用傅里叶级数对 IPM 电机进行拓扑优化”，Journal of Electrical Engineering (B)，第 137 卷，第 3 期，第 245-253 页，2017 年 3 月。 (4) Y. Tsuji 和 K. Hirayama，“使用基于函数扩展的折射率分布的拓扑优化方法设计光路设备”，IEEE Photonics Technol. Lett.， (5) T. Sato、H. Igarashi、S. Takahashi、S. Uchiyama、K. Matsuo 和 D. Matsuhashi，“使用拓扑优化实现内置永磁同步电机转子形状优化”，《电气工程杂志 (D)》，第 135 卷，第 3 期，第 291-298 页，2015 年 3 月。 (6) S. Kobayashi，“实数编码 GA 的前沿”，《人工智能杂志》，第 24 卷，第 1 期，第 147-162 页，2009 年 1 月。 (7) T. Sato、K. Watanabe 和 H. Igarashi，“基于正则化高斯网络的电机多材料拓扑优化”，《IEEE 会刊》， (8) S. Hiruma、M. Ohtani、S. Soma、Y. Kubota 和 H. Igarashi，“参数和拓扑优化的新型混合：应用于永磁电机，”IEEE Trans. Magn.，第 57 卷，第 7 期，8204604，2021 年 (9) Y. Otomo 和 H. Igarashi，“用于无线电源传输设备的磁芯 3-D 拓扑优化，”IEEE Trans. Magn.，第 55 卷，第 6 期，8103005，2019 年。 (10) K. Itoh、H. Nakajima、H. Matsuda、M. Tanaka 和 H. Igarashi，“使用带归一化高斯网络的拓扑优化开发用于缝隙天线的小型介电透镜，”IEICE Trans. Electron.， E101-C 卷，第 10 期，第 784-790 页，2018 年 10 月。 (11) N. Hansen、SD Müller 和 P. Koumoutsakos，“通过协方差矩阵自适应降低去随机化进化策略的时间复杂度（CMA-ES），”进化计算，第 11 卷，第 1 期，第 1-18 页，2003 年。 (12) N. Aage、E. Andreassen、BS Lazarov 和 O. Sigmund，“用于结构设计的千兆体素计算形态发生”，自然，第 550 卷，23911，2017 年。
卡普尔塔拉 IK 古杰拉尔旁遮普技术大学
1. 了解各种电力半导体器件和开关电路的基本操作。 2. 分析和设计 PWM 转换器的变压器 3. 学习开关电源的原理和操作。 4. 学习和分析不间断电源和其他电源 单元 1：电力半导体器件 GTO、功率 BJT、功率 MOSFET、IGBT、MCT 等电力器件的一般特性。 单元 2：变压器设计基础、磁芯材料的选择、绝缘材料和电线、脉冲变压器的设计方法、高频变压器、PWM 转换器的变压器设计。 单元 3：线圈基础、磁芯材料的选择、绝缘材料和电线、工频、射频和高频电感器的设计。 单元 4：开关电源基本调节器、降压、升压、降压升压、派生拓扑、反激式、正向式、推挽式、半桥和全桥转换器、特殊转换器（如 Cuk' 转换器）、PWM 控制技术、PWM 控制研究
高压低功耗集成直流变换器拓扑结构...
• 最大磁通密度：变压器尺寸和损耗对于满足规格至关重要。对于此标准，根据施加在初级侧的最大伏秒来评估最大磁通密度 B MAX。变压器内部的磁芯损耗与此参数直接相关，因此会影响变压器的设计（几何形状、磁芯材料等）。 • 电气应力：为了管理高输入电压，功率级需要高压功率开关。某些结构可以帮助降低施加在功率开关上的电压应力。它可以减小它们的尺寸并提高它们的性能，因为在硅集成环境中，没有多少功率开关可以承受 1 kV。 • ZVS：某些拓扑结构支持 ZVS（零电压开关）操作，可以减少开关损耗，这对于高压来说非常重要。然而，这种模式需要特别注意功率级的命令。 • 复杂性：为了减小功率级尺寸，一种选择是减少所需的组件数量及其尺寸。如果变压器尺寸已经由第一个标准描述，那么开关（MOSFET、二极管）、电容器等的数量也是功率级在电路板上所占空间的指示。这些元件的值和额定电压当然会影响它们的尺寸，也可以指示将它们集成到芯片中的可能性。• 其他标准也很重要，如启动、反馈回路、稳定性方法等，但这里不予考虑。
CU 芯柱可实现细间距和高频...
引言 产业界要求器件薄、轻、短、小、性能高，细间距、高密度封装成为必然手段。然而，为了完全实现产业化，许多特性还有待改进，如散热、导电性、热导率、尺寸精度等。此外，在3D封装组装结构中，特别是像堆叠封装（PoP），焊料凸块可能会因为顶部封装的重量而坍塌。几年前，产业界引入了铜芯焊球来改善这些问题。顾名思义，铜芯焊球以球形铜为芯，在中心镀镍和焊料[1]-[2]。镀镍可有效防止锡和铜之间的扩散。铜芯焊球本身具有优异的导电特性和间隙高度优点，可以控制和保持一致的空间，防止封装之间的凸块坍塌。除此之外，Cu还有三大物理特性：高熔点（1083℃）、高电导率、高热导率。
表征感应的实验策略...
摘要：通过自供电传感器系统对高压电力线进行状态监测已成为公用事业的首要任务，目的是检测潜在问题、提高电力传输和配电网络的可靠性并减轻故障的不利影响。从流过高压线的交流电产生的磁场中收集能量可以为监测系统提供运行所需的电力，而无需依赖硬接线或基于电池的方法。然而，开发一种从如此有限的能源中获取电力的能量收集器需要详细的设计考虑，这可能无法产生技术和经济上最优的解决方案。本文提出了一种创新的基于模拟的策略来表征感应电磁能量收集器和功率调节系统。可以对收集的功率和输出电压范围或磁芯饱和度水平提出性能要求。模拟模型已经产生了满足要求的不同收集器配置。通过基于能量收集器的实验装置验证了该方法的准确性和效率，该能量收集器由硅钢磁芯和功率调节单元组成。对于最坏情况，当初级电流为 5 A 时，收集器提取的最大功率可以接近 165 mW，功率密度为 2.79 mW/cm3。