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World File Search System磷化合物
INP和III-V化合物
III-V半导体材料组的生长特性与硅具有相似的生长特性，该特性在微电子学中已良好。III-V半导体材料是在单晶半导体底物上的外延生长的。主要区别在于光电特性中，大多数III-V半导体具有直接的带隙，这是制造有效激光器和光学放大器的先决条件，缺少属性硅。此外，几个III-V半导体（例如GAAS和INP）具有比硅具有更好的电子性能，这使它们适合于高端RF插图。各种III-V半导体之间的关键差异是波长范围，它们支持光学功能，例如发光，放大，传输和检测光。对于GAA，这是在半导体激光器中应用的第一种III-V材料，操作窗口的范围为800-1100 nm，使其适用于短期通信。GAAS垂直腔表面发射激光器（VCSELS）是短距离（<几百米）通信的主要光源。用于INP及其第四纪化合物Ingaasp和Ingaalas，可以在INP底物上生长，操作窗口范围为1200-1700 nm，范围涵盖了在更长距离（O波段，C-Band，C-Band和l频段）高速通信的最重要波长。因此，这是长时间和中距离高速通信的首选材料。这使其成为在复杂图片中使用的首选材料，在复杂图片中，必须将广泛的功能集成到单个芯片中。光过滤器）。INP及其化合物Ingaasp和Ingaalas的另一个优点是，它们的光学特性（增益，透明度，吸收和检测以及电光调制效率）可以在晶圆中进行本地设计，同时保留在宽波长范围内优化性能的可能性。示例是连贯的发射器和接收器，更一般而言，需要将激光器和光学放大器与有效调节器和检测器集成在一起的任何电路，以及低损坏的被动光元素（例如，用于钝化和隔离的介电材料与用于硅微电子的介电材料非常相似。电气间连接的金属不同。黄金由于其良好的电气和机械性能而经常用于III-V半导体，而由于它具有扩散到硅非常有害的风险，因此它没有应用于硅上。另一方面，铝和铜很少用于III-V材料。特别是铜杂质在III-V材料中降解电和光学特性。晶片小于硅。对于GAAS 4“，6”和8英寸的直径可在市售。INP晶圆具有2英寸，3英寸和4英寸的直径，质量良好。 较大的6英寸晶片可用于研发目的，其蚀刻坑密度（EPD）稍大，在需求增加时将改善。INP晶圆具有2英寸，3英寸和4英寸的直径，质量良好。较大的6英寸晶片可用于研发目的，其蚀刻坑密度（EPD）稍大，在需求增加时将改善。
有机化合物的定性分析
Q. 在DUMAS的估计方法中，有机化合物的0.3g在300 K温度和715 mM压力下收集了50毫升的氮。 计算化合物中氮的百分比组成。 （300 k = 15 mm的水张力）Q.在DUMAS的估计方法中，有机化合物的0.3g在300 K温度和715 mM压力下收集了50毫升的氮。计算化合物中氮的百分比组成。（300 k = 15 mm的水张力）
Hach BioTector® 在线 TOC 分析仪
测量术语 总有机碳包括： 总结合氮测量 总磷测量 • 不可清除有机碳 总和： • (NPOC) 和可清除有机物的总和： • 结合（有机和无机） • 正磷酸盐 (PO 4 -P) 碳 (POC) 氮 • 结合（有机和无机） • 铵氮 (NH 4 -N) 磷化合物 BioTector 的 TOC 模式 • 硝酸盐氮 (NO 3 -N) • 多磷酸盐测量 NPOC • 亚硝酸盐氮 (NO 2 -N) • 其他反应性磷酸盐分子（PO 2 -P、PO 3 -P 等）BioTector 的 TOC/VOC 模式 • 其他磷化合物，测量 NPOC 和 POC，例如膦酸盐、次膦酸盐等
环磷酰胺 - 横纹肌溶解的风险
高剂量（HD）Melphalan（100mg/m2/day）连续两天使用时可能导致严重的粘膜炎和胃肠道损伤，从而导致恶心，呕吐，腹泻，痉挛，痉挛，偶尔以及偶尔急性腹痛。WHO 3或4级胃肠道的患病率可高达20％-60％。近年来，美国FDA已批准重组产品（角质细胞细胞生长因子），用于管理与血液毒性治疗有关血肿干细胞支持的患者的严重口服粘膜炎与血液毒性疗法相关的患者（预计制剂疗法预计会诱导粘液型粘膜炎患者）。在II期试验中，与安慰剂相比，环蛋白被证明会降低3/4级粘膜炎的发生率以及中位持续时间。限制使用环脂蛋白的主要副作用是皮肤毒性，淀粉酶和脂肪酶升高。
磷端基聚合物对硅的掺杂
半导体技术依赖于通过在半导体基质材料的晶格中控制引入替代杂质（掺杂）来调整基板的电性能的能力，以便调整其电子、光学和/或磁性。1 然而，目前的原位掺杂策略不能轻易扩展到纳米级。随着半导体器件的尺寸缩小到纳米级，半导体内单个原子的标准随机分布变得至关重要，因为均匀掺杂分布的假设不再成立。2,3 目前，科学界正在努力开发一种新技术，以展示纳米级半导体结构的确定性掺杂。传统的掺杂技术主要基于离子注入，即用高能含掺杂剂的离子轰击目标半导体，随后使用高温热处理诱导离子替换晶格中的原子。 1 该技术的主要优势在于可以独立控制半导体主体内的掺杂剂量和杂质原子的深度分布。这种方法已被广泛探索，并已成为微电子领域的主力，因为它可以保证大面积的出色掺杂均匀性。
关注清单的物质
0 ppm 24 Perchlorates Several FI 0 ppm 25 Perfluorohexane sulfonic acid (PFHxS) and its salts and related substances Several FI 0 ppm 26 Perfluorohexanoic acid (PFHxA) and its salts and related substances Several FI 0 ppm 27 Perfluorooctane sulfonates (PFOS) Several FI 0 ppm 28 Phenol and Phenol化合物几个0 ppm 29磷和磷化合物化合物几个fi 0 ppm 30邻苯二甲酸酯几个fi 0 ppm 31 ppm 31多溴的双苯基（PBBS）几个FI 0 ppm
第一过渡金属砷化物非线性光学材料
四甲基磷族化合物最近才因其作为红外非线性光学 (IR-NLO) 材料的优势而受到关注，2 - 9 '16 '17 与更受欢迎和研究更多的硫族化物相比。我们为磷化物开发的合成方法包括磷与原子混合的难熔前体预熔 M+Si 的反应，从而发现了几种以前无法获得的化合物。21819 在本研究中，我们将这种方法扩展到砷化物。基于标题化合物 lrSi 3 As 3 的合成和发现的简易性，预计许多其他金属四甲基砷化物也具有同样令人兴奋的特性。报道了 lrSi 3 As 3 的结构-性质关系。