XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System积分电路
gigahertz-rate-switchable波前通过与光子积分电路的集成
Y Yiang，Qinyi Hua，Minghao ning，A Jitao Ji，B Bin Fang，C Li Li，C Li Li，A，A，D， * Tao Li，B， * Ya Cheng， * Ya Cheng，A，D，E，E， *和Shining Zhu Zhu B， * A ESAPE SCOPEL，PROCERICS COPENAL，PRACEROC COPERATY，COPER SEMPORY，SHANG SHANG SHANJ工程和应用科学，国家固体微观结构国家实验室，中国南京C中国吉利安格大学，光学和电子技术学院，杭州，中国D Shanxi University，Shanxi University，Shanxi University，Extreme Optics，Taiyuan，Taiyuan，Taiyuan，中国E中国科学院（CAS）和CAS卓越中国超注光科学中心，中国上海
泰国智能电子行业及其生态系统的前景
20,000HDD，计算机配件积分电路（IC）空调器，复制机关开关板，控制Panelsaudio/Vision Products RepuctsRefigeratorDiodes，晶体管等。
通过通道传输视角重新访问Unicity距离
集成的光学器件用于在鲁棒和紧凑的材料内实现天文干涉法，从而提高了仪器的稳定性和灵敏度。为了在Hα线（656.3nm）上执行差分相测量，首先是600-800NM光谱互动计，即将开发光子积分电路（PIC）。此图片执行来自望远镜学生子孔的梁的可见组合。在这项工作中，玻璃中K +：Na +离子交换制造的Teem Photonics波导以单模范围和模式场直径为特征。波导扩散的索引轮廓是在BeamProp软件上建模的。模拟了第一光束组合器的构建块，尤其是可观的定向耦合器和被动π/ 2相变，以实现潜在的ABCD干涉测量组合。
3D光子整合电路的异质整合
在这项工作中，我们提出了一种异质整合解决方案，用于将高级节点CMO与GAAS激光器和光电二极管以及光子积分电路（PIC）相结合，以在增加带宽密度和减少每个区域的功率消耗方面推动限制。通过硅VIA（TSV）进行3D集成，包括高密度，20个Ilin螺距芯片到芯片互连，以及通过3D打印形成的光学互连。已经开发了一种TSV last集成方案，以与PIC制造和开发的自定义电镀解决方案兼容，以实现无效的填充。微气象夹选项，例如SN或AU，以与多项目晶圆（MPW）运行的Die兼容，并提出了测量的电气，以将CMOS芯片与3D PIC整合在一起。关键字：光子学，TSV，异质整合。
PR：liyf 4的橙色表面波导激光器由飞秒激光器写作
飞秒直接激光写入（FS DLW）是在透明介电材料中产生3D光子微结构的强大方法[1,2]。后者在短时间内通过非线性过程吸收FS脉冲的能量，从而在μM规模的辐照面积（损伤轨道）内进行了永久性的材料修饰，从而导致折射率的热变化。激光波导（WGS）最近引起了极大的关注[1]。飞秒脉冲对激光WGS的铭文受益于快速制造时间，高精度，获得各种几何形状和活性材料。对于此类WG，达到了低至中等传播损失。wg激光器代表光子积分电路的构件之一[2]。如果设计正确，它们会受益于单模模式操作，低阈值和高光强度[3]。表面WG可以通过将非线性光学材料沉积导致脉冲激光通过evanescent-Field景偶联而进行功能化[4,5]。
联邦登记册/卷。 90，第10号/1月16日，星期四，...
基于列表的许可证例外（有关所有许可例外的说明，请参见第740部分）TSR：是的，是，除非N/A除外，而对于“开发”或“生产”的“技术”：（A）真空电子设备放大器在3A001.B.8中描述的真空电子设备放大器，其操作频率超过19 GHz； （b）太阳能电池，封面 - 互连细胞或遮盖连接连接细胞（CIC）“组件”，“太阳阵列”和/或3A001.E.4中描述的太阳阵列和/或太阳能电池板； （c）3A001.B.2中的“单片微波积分电路”（“ MMIC”）放大器； （d）3A001.B.3中的离散微波晶体管； （e）3A090中描述的商品。注意：请参阅ECCN 3E001的ECCN 3E001“技术”的ECCN 3E001“技术”的§740.2（a）（9）（ii），该限制由3A001.Z控制的商品，3A090。IEC：是的，对于由3B001.Q控制的设备“技术”，请参见EAR的EAR的第740.2（a）（22）和§740.24节。
设计规则在定期螺旋二甲状腺液液中的频率转换规则
Niobate已在光电子中被商业使用。它特别有利，因为其高二阶非线性和宽阔的透明度窗口从近紫外线延伸到中期。1，2，3得益于最近的微加工的最新进展，薄膜硅锂（TFLN）现在可以直接以硅盒顶部的波导形式进行图案，从而在整个设备中实现了强烈的引导光。4，5据报道，在最新设备中，图案化的TFLN波导中的传播损失小于<0.1dB/cm。6，7，8除了其电形性能，第二阶和三阶的高非线性，以及低损失的结合，还承诺了能够提供高效率非线性频率产生的优质光子积分电路（PIC）平台。在这项工作中，在TFLN波导中研究了二阶三波混合过程，尤其是第二次谐波产生（SHG）及其在制造波动方面的公差边缘。
53 GBPS光学链接，带有共同设计的DSP和集成的EAM驱动程序，异质融合
DSP芯片是在高级填充过程中制造的，具有电吸附调制器驱动程序单一集成并与TX PHY输出共同设计。发射灯SIPHO 4通道粗波长度多路复用（CWDM）光子积分电路（PIC）是在塔中的半导体PH18DA过程中制造的[4]。图中显示了制造流的概念图。1（b）：SOI晶圆是用光子设备模式的，然后将III-V模具粘合到晶片的顶部表面，并去除IIII-V模具底物。III-V设备区域进行了进一步处理和图案。最后，形成了线金属互连的后端。通过此过程，单个硅光子晶片可以支持多种类型的III-V设备功能。在此示例中，III-V增益区域用于形成可调激光器，并使用单独的IIII III III III-V电吸附状态形成异质硅/III-V电吸附调制器。将TX PIC翻转到金属有机底物上。低损坏的边缘耦合辫子工艺被用来将图片从图片中的光线搭配到SMF纤维，如图2a。
INP高功率单一集成了可调的激光和SOA阵列，用于混合集成
摘要：我们提出了一个基于INP的光子积分电路（PIC），该电路（PIC）由广泛可调的激光主振荡器组成，该电路供应一系列集成的半导体光放大器，这些放大器是在单模式波导中进行干涉式芯片的。我们展示了稳定且有效的片上相干束组合，并从单片PIC中获得高达240 MW的平均功率，其中30-50 kHz Schawlow-townes线宽，并且在整个延伸的C波段中均具有> 180 MW的平均功率。我们还探索了基于INP的激光和放大器阵列PIC的混合整合，并具有高质量的氮化硅微孔谐振器。，我们根据来自硝基硅微孔子芯片的反馈形成的外部空腔中的外部空腔中的干涉放大器阵列的增益观察激光；这种配置导致Schawlow-townes线宽缩小到约3 kHz，在SIN输出方面的平均功率为37.9 MW。这项工作展示了一种用于高功率，狭窄线宽源的新方法，该方法可以与芯片单模波导平台集成，以用于非线性集成光子学中的潜在应用。
光子整合光束输送在Rubidium 3D磁光陷阱中
冷原子对于精度原子应用至关重要，包括时间保存和传感。用于产生冷原子云的3D磁光陷阱（3D-mot）将受益于光子波导集成，以提高可靠性并降低尺寸，重量和成本。这些陷阱需要将多个大面积，准直的激光束传递到原子真空电池。迄今为止，使用集成波导方法的光束传递仍然难以捉摸。我们使用光纤耦合的光子积分电路报告了87 RB 3D-MOT的演示，以使所有必要的光束在冷却和捕获超过5 x 10 6原子的冷却和捕获量超过200μk的捕获体积，该捕获体积比等效原子数差异差异递增的数量级。氮化硅光子电路转化了纤维耦合的780 nm冷却，并通过波导将光线降低到三个正交的非差异2.5 mm x 3.5 mm x 3.5 mm自由空间冷却，并直接将光束直接接口到苏比德池。这种完整的平面，CMOS铸造 - 兼容的集成梁输送与其他组件（例如激光器和调节器），有希望的冷原子应用系统固定溶液。