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注意：本稿件由 UT-Battelle, LLC 撰写，合同编号为 DE-AC0500OR22725，与美国能源部签订。美国能源部
注意：本稿件由 UT-Battelle, LLC 撰写，合同编号为 DE-AC0500OR22725，与美国能源部签订。美国政府保留，出版商在接受文章发表时，承认美国政府保留非独占、已付费、不可撤销的全球许可，可以出于美国政府目的出版或复制本稿件的已出版形式，或允许他人这样做。能源部将根据 DOE 公共访问计划 (http://energy.gov/downloads/doe-public-access-plan) 向公众提供这些联邦资助研究的结果。
文章稿件 Ua
在进行各种研究的过程中，观察到保护环光电二极管的暗电流水平不受控制地增加的问题，这种问题在温度T 293 K 时和（很大程度上）在高温（T 358 K）下测试设备时都表现出来。众所周知，微电子技术总是使用半导体器件和集成电路的表面保护（钝化）。在这种情况下，最好的解决方案是热生长SiO 2 层。然而，即使是受介电层保护的表面也并不总是保持稳定。本文介绍了基于高电阻率p型硅的ap-i-n光电二极管的开发结果，该光电二极管具有更高的响应度和更低的保护环在1064 nm波长处的暗电流水平。在提出的光电二极管设计中，晶体外围氧化物的厚度减小，以减少电流和电荷态的位错分量对逆特性的影响。磷扩散（驱入）后，除去磷硅酸盐玻璃，并进行额外的光刻，在此期间整个外围氧化物层都被蚀刻掉。在磷扩散（蒸馏）的第二阶段，在光敏区域和晶体外围生长厚度为190-220 nm 的抗反射氧化物。光敏区域、保护环和晶体外围部分由在第一次热操作中生长的650-700 nm 厚的氧化物隔开。光电二极管的生产采用与商业生产相同的操作条件，并将其参数与标准设计制造的器件进行了比较。分析表明，与商用器件相比，所提出设计的光电二极管不仅在室温下，而且在358 K 的温度下都具有更低、更稳定的暗电流。
注意：本稿件由 UT-Battelle, LLC 撰写，合同编号为 DE-AC0500OR22725，与美国能源部签订。美国能源部
注意：本稿件由 UT-Battelle, LLC 撰写，合同编号为 DE- AC0500OR22725，与美国能源部签订。美国政府保留，出版商在接受文章发表时，承认美国政府保留非独占、已付费、不可撤销的全球许可，可以出于美国政府目的出版或复制本稿件的已出版形式，或允许他人这样做。能源部将根据 DOE 公共访问计划 (http://energy.gov/downloads/doe-public-access-plan) 向公众提供这些联邦资助研究的结果。
DOI: 10.1002/((请添加稿件编号)) 文章类型：通讯 标题：一种用于通过固定在
Seungmin Lee、Jin-young Kim、Junyoung Kim、Ali Kafash Hoshiar、Jongeon Park、Sunkey Lee、Jonghyun Kim、Salvador Pané、Bradley J. Nelson 和 Hongsoo Choi * S. Lee、J. Kim 博士、J. Kim、J. Park、S. Lee、J. Kim 教授、H. Choi 教授 * DGIST-ETH 微型机器人研究中心机器人工程系 大邱庆北科学技术研究所 (DGIST) 333, Techno jungang-daero, Hyeonpung-eup, Dalseong-Gun, Daegu, 42988, Republic of Korea 电子邮件：mems@dgist.ac.kr AK Hoshiar 博士 埃塞克斯大学计算机科学与电子工程学院 科尔切斯特，CO4 3SQ，英国 S. Pané 博士、BJ Nelson 教授，ETH 机器人与智能系统研究所苏黎世，苏黎世，CH-8092，瑞士 关键词：微型机器人；磁控；药物输送；靶向输送；固定
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注意：本稿件由 UT-Battelle, LLC 撰写，合同编号为 DE-AC0500OR22725，与美国能源部签订。美国能源部
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