第 1 章 简介 1 1.1 简介 1 1.2 定子绕组绝缘系统 3 1.2.1 线束和匝绝缘 4 1.2.2 接地壁绝缘系统 5 1.2.3 应力分级系统 7 1.3 PWM-VSC 波形应力 8 1.3.1 非线性电压分布引起的应力 10 1.3.2 电缆长度的影响 12 1.3.3 局部放电 (PD) 侵蚀 13 1.3.4 空间电荷的后果 14 1.4 文献综述 18 1.4.1 电磁线涂层中的空间电荷积累、捕获和电荷注入 18 1.4.2 纳米填充电磁线的性能 20 1.4.3 建模 22 1.4.4 接地壁绝缘的评估 23 1.5 本研究的目的工作和论文组织 25 第 2 章 材料、实验设置和建模 27 2.1 简介 27 2.2 材料 27 2.2.1 磁线基材 27 2.2.2 磁线外涂层纳米填料 28 2.2.3 绝缘试验的匝间样本 31 2.2.4 接地壁测试样品的制备 34 2.3 统计分析 35 2.3.1 威布尔分析 37 2.4 具有匝间应力的系统建模 38 2.4.1 有限元法 (FEM) 39 2.5 固体电介质中存储电荷的表征 40 2.5.1 热刺激去极化电流 (TSDC) 方法 41 2.5.2 存储电荷和捕获能级 43 2.6 实验设置 43 2.6.1 PD 测量 44 2.6.2 使用红外摄像机进行温度测量 46 2.6.3 TSDC 测量 48 2.6.4 脉冲老化测试电路 50 2.6.5 用于表面粗糙度测量的 SEM 和图像工具软件 55
第 1 章 简介 1 1.1 简介 1 1.2 定子绕组绝缘系统 3 1.2.1 线束和匝绝缘 4 1.2.2 接地壁绝缘系统 5 1.2.3 应力分级系统 7 1.3 PWM-VSC 波形应力 8 1.3.1 非线性电压分布引起的应力 10 1.3.2 电缆长度的影响 12 1.3.3 局部放电 (PD) 侵蚀 13 1.3.4 空间电荷的后果 14 1.4 文献综述 18 1.4.1 电磁线涂层中的空间电荷积累、捕获和电荷注入 18 1.4.2 纳米填充电磁线的性能 20 1.4.3 建模 22 1.4.4 接地壁绝缘的评估 23 1.5 本研究的目的工作和论文组织 25 第 2 章 材料、实验设置和建模 27 2.1 简介 27 2.2 材料 27 2.2.1 磁线基材 27 2.2.2 磁线外涂层纳米填料 28 2.2.3 绝缘试验的匝间样本 31 2.2.4 接地壁测试样品的制备 34 2.3 统计分析 35 2.3.1 威布尔分析 37 2.4 具有匝间应力的系统建模 38 2.4.1 有限元法 (FEM) 39 2.5 固体电介质中存储电荷的表征 40 2.5.1 热刺激去极化电流 (TSDC) 方法 41 2.5.2 存储电荷和捕获能级 43 2.6 实验设置 43 2.6.1 PD 测量 44 2.6.2 使用红外摄像机进行温度测量 46 2.6.3 TSDC 测量 48 2.6.4 脉冲老化测试电路 50 2.6.5 用于表面粗糙度测量的 SEM 和图像工具软件 55
摘要:制备了NiO/β-Ga2O3异质结栅场效应晶体管(HJ-FET),并通过实验研究了在不同栅极应力电压(VG,s)和应力时间(ts)下器件的不稳定性机制。发现了器件在负偏压应力(NBS)下的两种不同退化机制。在较低的VG,s和较短的ts下,NiO体陷阱捕获/脱捕获电子分别导致漏电流的减少/恢复。在较高的VG,s或较长的ts下,器件的传输特性曲线和阈值电压(VTH)几乎永久地负移。这是因为界面偶极子几乎永久地电离并中和了异质结界面上的空间电荷区(SCR)中的电离电荷,导致SCR变窄。这为研究NiO/β-Ga2O3异质结器件在电力电子应用中的可靠性提供了重要的理论指导。
了解有机半导体在光照下的电荷传输的物理原理对于开发新型光电应用至关重要。我们研究了可见光谱中单色光对基于 2,8-二氟-5,11-双(三乙基硅乙炔基)蒽二噻吩的有机薄膜晶体管通道的影响。当晶体管通道被红光、绿光或蓝光照射时,测量到的电荷载流子比光子吸收产生的激子多,导致光子到电荷载流子的转换效率远大于 100%。我们使用一个模型来解释这一现象,该模型结合了空间电荷限制的光电荷和由于光生电子降低势垒而导致的源电极空穴注入增强。
A.P.,印度。 摘要:本研究的重点是Zn X La 1 -X TiO 3(x = 0.1-0.7)(Zlto)纳米颗粒的合成和表征。 X射线衍射模式证实了四方结构和相纯度,随着锌含量的增加,晶胞尺寸扩大。 形态分析揭示了球形颗粒,杆和纳米级颗粒的形成。 紫外可见光谱表明,根据“ x”的值,范围为3.01 eV至3.64 eV的带隙(E G)。 还检查了介电参数的频率和组成依赖性。 使用复杂的介电模量和阻抗光谱法有效地分析了空间电荷极化。 cole-cole地块证实了Zlto材料的半导体性质,这是由完整的半圆形弧证明的,并揭示了存在非狂热型弛豫的存在。 关键字:纳米颗粒;水热;结构;形态学;乐队差距;电介质。A.P.,印度。摘要:本研究的重点是Zn X La 1 -X TiO 3(x = 0.1-0.7)(Zlto)纳米颗粒的合成和表征。X射线衍射模式证实了四方结构和相纯度,随着锌含量的增加,晶胞尺寸扩大。形态分析揭示了球形颗粒,杆和纳米级颗粒的形成。紫外可见光谱表明,根据“ x”的值,范围为3.01 eV至3.64 eV的带隙(E G)。还检查了介电参数的频率和组成依赖性。使用复杂的介电模量和阻抗光谱法有效地分析了空间电荷极化。cole-cole地块证实了Zlto材料的半导体性质,这是由完整的半圆形弧证明的,并揭示了存在非狂热型弛豫的存在。关键字:纳米颗粒;水热;结构;形态学;乐队差距;电介质。
作为下一代电池,全稳态电池(ASSB)吸引了广泛的关注。通常,ASSB包括无机固体电解电池,聚合物固体电解电池,复合聚合物/陶瓷固体电解电池等。但是,在Assb的设计和制造中仍然存在令人生畏的挑战。ASSB的最大挑战是接口问题,这导致ASB的容量,骑自行车和速率表现远低于传统LIB的能力。通常,界面问题非常复杂,可以在[24]中找到详细的讨论。图2(b)显示了ASSB的典型接口问题[25]。通常,空间电荷层和界面层会导致较大的界面阻抗,从而降低反应动力学并限制电池的性能。此外,充电和放电将进一步加剧接口问题。在
这项工作报道了基于 MgO/Al 2 O 3 的电阻随机存取存储器 (ReRAM) 器件的电阻开关特性。分析表明,由于加入了 Al 2 O 3 插入层,主要导电机制从空间电荷限制导电变为肖特基发射。与单层器件相比,MgO/Al 2 O 3 双层 ReRAM 器件表现出更低的功率运行(降低 50.6%)和更好的开关均匀性,具体取决于堆栈配置。这可归因于 MgO/Al 2 O 3 界面处较低的氧空位积累和细丝限制,从而导致更可控的开关操作。对双层器件的进一步 X 射线光电子能谱 (XPS) 深度剖面分析表明,开关动力学与氧空位浓度直接相关。这些发现表明界面层工程对于改善 MgO 基存储器件的电阻开关特性的重要性,从而可以实现低功耗应用。
摘要 — 使用仿真软件包高频结构模拟器 (HFSS) 和计算机仿真技术-粒子工作室 (CST-PS) 研究了磁绝缘线振荡器 (MILO)。HFSS 用于查找慢波结构的色散特性并预测谐振模式频率。CST-PS 用于分析包含空间电荷的器件的运行。在施加 500 kV 电压时,CST-PS 预测在 1.2 GHz 下产生 1.25 千兆瓦 (GW) 的微波,同时吸收 57 kA。这些模拟与之前发布的类似 MILO 的实验结果一致。CST-PS 模型用于预测 MILO 操作与注入电压的关系,并进行了一项单独的研究来评估独立的外部施加轴向磁场的影响。这些模拟工作是为了支持密歇根大学即将进行的实验,本文研究的 MILO 将在新的线性变压器驱动器设备上进行测试。
本综述重点介绍了聚烯烃在高压直流 (HVDC) 电缆和电容器中的应用。首先简要介绍 HVDC 电缆和电容器的最新发展和当前用途,然后介绍电绝缘和电容器功能的基础知识。介绍了确定介电性能的方法,包括电荷传输、空间电荷、电阻率、介电损耗和击穿强度。介绍了聚乙烯和全同立构聚丙烯的半结晶结构,并讨论了其与介电性能的关系。本综述的很大一部分致力于描述聚烯烃电或介电性能的建模和预测的最新进展,同时考虑了原子和连续方法。此外,还介绍了材料纯度和纳米颗粒存在的影响,并以这些材料的可持续性方面结束综述。总之,有效利用建模与实验工作相结合是理解和设计下一代高压输电电绝缘材料的重要途径。
模块 II(10 小时) 介电特性:简介、介电常数、介电极化(极化率)、介电体中的不同类型极化(电子、离子、取向和空间电荷极化、内部场(无推导)、克劳修斯-莫索蒂方程、介电损耗、击穿和强度、介电材料的应用 磁性:简介、基本定义、玻尔磁子、磁性材料的分类- 铁磁性、顺磁性、铁磁性、反铁磁性和亚铁磁性,磁滞曲线- 软磁和硬磁材料,磁性材料的应用 超导性:一般特性、迈森效应、同位素效应、超导体中的能隙、相干长度、临界磁场、磁通量化穿透深度、直流和交流约瑟夫森效应 I 型和 II 型超导体、BCS 理论、伦敦方程、超导体的应用
