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过渡。在类似的静脉中，新型的A-A-Chip（TOC）技术在过去十年中发展巨大，并且对肿瘤学的临床应用保持着巨大的希望。本评论的重点是对CHIP场上肿瘤的定量分析，并在工程和应用方法方面对主题提供了明确的前景。我们将学术研究人员（物理学家和生物学家），临床医生以及制药公司的研究专家汇集在一起，提供了反映该领域参与者多样性的多方面观点。如今，在欧洲，新诊断的癌症患者的年数约为350万。 在2021年，欧盟癌症的任务概述了，如果不采取进一步的行动，到2035年，这个数字将大幅增加到430万。 在反抗癌症的斗争中，对癌症机制的更好理解和更有效的抗癌药物的发展仍然是高度挑战性的。 虽然传统且成熟的如今，在欧洲，新诊断的癌症患者的年数约为350万。在2021年，欧盟癌症的任务概述了，如果不采取进一步的行动，到2035年，这个数字将大幅增加到430万。在反抗癌症的斗争中，对癌症机制的更好理解和更有效的抗癌药物的发展仍然是高度挑战性的。虽然传统且成熟的
超快和纳米级的能量转导机制以及跨界面的热传输
摘要：界面和边界处电荷，热和电磁场的基本载体之间的耦合相互作用引起了能够实现各种技术的能量过程。这些耦合载体之间的能量转导导致在这些表面上的热量耗散，通常是由热边界电阻量化的，因此推动了现代纳米技术的功能，这些功能继续在计算，通信，保健，清洁能源，电源回收，感应，感应，感应和制造中继续提供计算，通信，卫生保健，清洁能源，以少数几个数字来命名一少数的益处。目的是总结有关超快和纳米级能量转导和传热机制的最新作品，当时不同的热载体夫妇靠近接口或界面。我们回顾了固体，液体，气体和等离子体的耦合传热机制，这些机制驱动所得的界面传热和温度梯度，这是由于能量和动量耦合所致的各种电子，颤音，光子光子，极化子（Plasmon polarons and Polarons and Polaronsons and Polleonsons and Polleons）和分子的动量耦合而引起的。这些具有耦合能载体的界面热运输过程涉及相对较新的研究，因此，存在一些机会，可以进一步发展这些新生的领域，我们在本综述的整个过程中对此进行了评论。关键字：界面传热，能量转导，耦合局部平衡，电子 - 声子耦合，等离子体极化子，弹道热注入，等离子体，等离子体，从头算在界面上的电子 - 振动性动态，固体 - 气体相互作用
基于p的可穿戴纳米级心脏声音传感器（...
摘要本文介绍了一种使用高压电纺丝方法制备P（VDF-TRFE）/ZnO/Graphene的柔性复合压电纳米膜的方法。组成和β相含量。通过扫描电子显微镜观察了复合膜纤维的形态。最后，将P（VDF-TRFE）/ZnO/石墨烯复合膜封装在三明治结构心脏声音传感器中，并使用Labview设计了视觉心脏声音的获取和分类系统。基于最细的邻居分类算法对心脏声音分类模型进行了训练，以预测收集的心脏声音是正常还是异常。本文设计的心脏声音检测系统可以实时收集心脏声音信号，并预测心脏声音是正常还是异常，为诊断心脏病的诊断提供了新的解决方案。
纳米级
图1显示了第一代溅射铂NW的室温LF噪声谱，该NW采用基片阶梯光刻技术制造，其工艺顺序如图2所示。5,7,8,51通过基片阶梯光刻技术制造的NW是多晶的，其晶粒尺寸小于线直径。5,7 – 9,16,20,51 – 54图1中NW的噪声幅度在近五十个频率范围内以1/f 1.15的速率增加。f = 1 Hz时的Hooge参数为γH≅3×10−4，这是溅射Pt线和薄膜的典型值。51,71,96,97方程(2)中噪声幅度的1/N≈1/NA依赖性推测波动来源于体源。 20 世纪 70 年代末到 80 年代中期的几项重要实验证明了缺陷和杂质在金属低频噪声中的关键作用。52,55,66,83,95,98 – 103 一个具有单一特征散射或跃迁时间 τ 的缺陷会导致 RTN，其 Lorentzian 频谱在高于 1/ τ 的频率下下降为 1/ f 2，在低于 1/ τ 的频率下保持恒定。55,62,66,95,104 – 106 第 II.B 节中给出了 ZnO NW 的示例。如果噪声是由具有以下分布的多个缺陷引起的
来自结构化纳米级光腔的新兴光学
图2。基于金属纳米颗粒晶格的结构性等离子体纳米腔阵列。（a）基于耦合偶极法的2D AG NP晶格的计算灭绝效率光谱。（b）扫描电子显微镜（SEM）大型Au NP晶格的图像。（c）SLR的能量分散图。（d）单晶格NP阵列的方案与增益培养基集成了激光。（e）多模式激光的多尺度超晶格阵列的方案。（f）MoiréNP晶格的方案用于层间光学相互作用。面板（a）改编自参考。23经许可；版权所有2004美国物理研究所。面板（B- C）改编自参考。32经许可；版权所有2019美国化学学会。面板（d）改编自参考。30经许可；版权2013自然出版。面板（e）改编自参考。35经许可；版权2017自然出版。面板（F）改编自参考。36经许可；版权2023自然出版。
纳米级辅助网络中的磁性顺序
3 1日本东北图牛大学，东北980-8579， 3 1 Sigma-i Co. Ltd. 980-8577，日本7 5国际研究领域倡议，东京理工学院，夏布拉，北北，北，东京北，东京108-0023，日本8 6 6 6日本东京综合电子系统中心，日本东京大学980-0845，日本980-0845，日本9 7 WPI高级研究所，日本材料研究所，日本材料研究所，987 777 777 777 777 777 777 777，托伊980-07，托尼980-07。 Insitute of Science，京都600-8411，日本11 9 9 Instituto de Nanociencia y Interialts deAragón，CSIC – Universidad de Zaragoza，50009 Zaragoza，西班牙Zaragoza，西班牙12 10 Cic Nanogune Brta，20018年，20018年，DONOSTIA – SANBASTIIA – SANSEBASTIAN，SANSANSEBASTIAN，SANSAN SEBASTIAN，SPAIN SEBASTIAN，SPAIN SEPAIN，SPAIN 133 1 Sigma-i Co. Ltd. 980-8577，日本7 5国际研究领域倡议，东京理工学院，夏布拉，北北，北，东京北，东京108-0023，日本8 6 6 6日本东京综合电子系统中心，日本东京大学980-0845，日本980-0845，日本9 7 WPI高级研究所，日本材料研究所，日本材料研究所，987 777 777 777 777 777 777 777，托伊980-07，托尼980-07。 Insitute of Science，京都600-8411，日本11 9 9 Instituto de Nanociencia y Interialts deAragón，CSIC – Universidad de Zaragoza，50009 Zaragoza，西班牙Zaragoza，西班牙12 10 Cic Nanogune Brta，20018年，20018年，DONOSTIA – SANBASTIIA – SANSEBASTIAN，SANSANSEBASTIAN，SANSAN SEBASTIAN，SPAIN SEBASTIAN，SPAIN SEPAIN，SPAIN 13
RSC Advances 斑马鱼胚胎中DNA纳米摄取的时空动力学用于靶向组织生物成像应用 材料视野-RSC出版 基于生物的农产品：促进循环经济的农业化学物质的可持续替代品 EES催化-RSC Publishing 能源进步-RSC Publishing 锂离子电池回收：Per -RSC Publishing的来源 能源存储和转换中的人工智能和机器学习 深入了解碳钢氨基酸的三种新型苯咪唑衍生物的腐蚀性能（X56）1 M HCl溶液 高级功能材料和制造过程 能源进步-RSC Publishing 材料进步-RSC出版 纳米级进步-RSC Publishing RSC Advances
随着人们的生活质量的不断提高，近年来能源消耗日益增加。即将到来的全球能源危机引起了全世界的关注。此外，传统燃料的减少会引起能源危机，传统燃料的燃烧会引起温室的影响，这对人们的现有环境产生了重要的威胁。在这种严峻的情况下，多年来的大量研究集中在将相变材料（PCM）纳入建筑材料中，以实现节能和传热增强的目的。1,2将PCM纳入具有稳定形状的建筑材料中，近年来已被广泛考虑。PCM是一种新型的功能材料，通过改变形式并保持温度不变，吸收或释放大量能量。它在建筑能源节能，太阳能利用，热恢复，温度控制，电池热管理和其他ELD的应用方面具有良好的前景。3 - 7根据相变状态，PCM通常分为三类：固体 -
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对可持续能源开发的需求显着增加了对可再生资源的兴趣。太阳能是一种突出的可再生能源，可提供“无限”的无排放能量。在许多半导体材料中，硅具有将近70年的发育历史，用于光伏目的。基于Si-Wafer的PV技术约占2020年总产量的95％（参考文献1）由于几个原因：硅是地壳中第二大元素；硅的带隙在最佳区域内（1.1 - 1.4 eV），用于有效的太阳能转换；它是稳定且无毒的，硅半导体技术已经建立得很好。当前的晶硅（C-SI）太阳能电池效率记录为26.7％。2但是，最大可实现的功率转换效率（PCE）限制为29.43％（参考3）通过硅的间接带隙在1.12 eV和非放射性螺旋螺旋体重组 - c-SI光伏电池的主要固有损耗机制。C-SI太阳能电池开发的另一个瓶颈是材料成本，约占太阳能电池板成本的50％。4，由于硅的间接带隙，使用单次通量吸收获得的光电流很低，除非厚度超过许多微米。因此，
利用纳米级暗场 X 射线显微镜研究 GaN 聚结
这项研究展示了暗场 X 射线显微镜 (DFXM)（一种纳米结构的 3D 成像技术）在表征 GaN/AlN/Si/SiO 2 纳米柱顶部的新型氮化镓 (GaN) 外延结构以用于光电应用方面的潜力。纳米柱旨在使独立的 GaN 纳米结构聚结成高度取向的薄膜，因为 SiO 2 层在 GaN 生长温度下变软。在纳米级的不同类型的样品上展示了 DFXM，结果表明，通过这种生长方法可以实现取向极好的 GaN 线（标准偏差为 0.04）以及面积高达 10 10 平方毫米的区域的高度取向材料。在宏观尺度上，高强度 X 射线衍射表明 GaN 金字塔的聚结会导致纳米柱中硅的方向错误，这意味着生长按预期进行（即柱在聚结过程中旋转）。这两种衍射方法证明了这种生长方法对于微型显示器和微型 LED 的巨大前景，这些显示器和 LED 需要小岛状的高质量 GaN 材料，并提供了一种新方法来丰富对最高空间分辨率下光电相关材料的基本理解。
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提高 ITC 的传统策略是 (i) 用热界面材料填充两个接触表面之间的间隙，23 (ii) 提高界面的耦合强度，或 (iii) 增加共价键的密度。24 据报道，使用键合有机纳米分子单层可以使铜和二氧化硅之间的 ITC 增加四倍，这可以提供与金属和电介质材料的强键合相互作用。25 据报道，在金和无定形聚乙烯系统中，通过分子桥也可以类似地增加 ITC。26 然而，即使对于通过强共价键连接的两个理想的光滑界面，由于两种不同材料之间的晶格常数和固有声子性质差异很大，界面热阻仍然存在。27,28 人们已经付出了很多努力来提高具有强共价键的界面的 ITC。例如，Tian 等人。发现原子混合引起的界面粗糙度可以提高声子传输系数和 ITC。29 此外，虽然点缺陷降低了纳米材料的热导率，但它