AFRP ARAMID纤维增强塑料一种基于Tri的化合物,具有钙钛矿结构,例如Bazro 3,Basno 3和Bahfo 3,短BAMO 3(M:METAR)化合物的芳香纤维纤维增强塑料的化合物。通过将这些BMO相掺入Rebco层作为杂质(人造固定中心),可以比平常获得更高的磁场特性。在PLD方法的情况下,RebCO和BMO相可以合作生长,通过沉积已提前与BMO掺杂的固体目标,并在RebCO层中形成了纳米棒形BMO相。顺便说一句,通过更改掺杂量和膜形成过程条件,可以在一定程度上更改BMO的形状和密度。 CFRP一种FRP,代表碳纤维增强塑料。 FRP是一种结合两种或多种材料的复合材料,通过将塑料(树脂)作为基础材料并将纤维添加为增强材料,可以将塑料的轻质和高成型自由结合起来,以及纤维的高刚度和强度特性。在FRP中,添加为加固材料的碳纤维称为CFRP。 FEM分析有限元法(FEM)分析。将连续对象分为有限的“元素”,使用简单的数学模型近似于每个元素的属性,并形成同时分析整体行为的方法。 FFD的电线面对面双堆叠的缩写。两条基于RE的超导电线的超导侧与焊料或类似相连。即使一根电线杆缺陷,电流也可以通过稳定层传递到另一根钢丝杆,从而增加了基于RE的超导线的产率。此外,应力中心是两条电线的中心,这使得具有高弯曲强度。 GFRP玻璃纤维增强塑料
Terahertz Speed CMOS微处理器由平均成立(US11063118B1)设计,利用具有这些元素等离子体互连的纳米vacuum管元素,并且具有发射,检测,进行,进行,进行和分析TereraHerters范围的电信。纳米 - 载管系统对电离辐射和高温有抵抗力,并且此类系统的紧急潜力超出了数据处理的明显速度。这样的微处理器可以为紧凑的Terahertz光谱法提供一个平台,尤其是对于有机分子,这还可以包括DNA测序和DNA指纹。这种系统的另一种紧急质量是,这是首次适合于微处理器的几何边界内完整的工作电磁波长(1 THz波为0.3 mm),从而可以比较波浪和波浪傅立叶傅立叶傅立叶傅立叶变换功能。Keywords: terahertz CMOS microprocessor, nano-vacuum tube, plasma interconnect Introduction Contemporary CMOS microprocessors operate at a maximum clock speed of about 5 megahertz, but the terahertz speed CMOS microprocessor that has been designed and patented by Averoses Incorporated (Teramos) has potential emergent capabilities beyond the significant speed-up of clock 速度。[1]这种革命性的微处理器设计将Terahertz速度纳米 - 维库姆管与Terahertz速度致密的电子纳米等平常导体连接起来,该元素将使Terahertz范围内的电磁信号的生产,检测,传导和分析。NASA有兴趣开发用于核动力太空车辆应用的纳米棒管。这种设计的独特特征可以提供许多紧急功能,尤其是针对与生物学相关的应用,例如有机分子的Terahertz光谱,DNA测序,常规人工智能的速度和减少功耗以及用于更先进的人工智能设计的全合理处理。互连问题纳米效量管的逻辑元素的使用是几年前NASA探索的一个概念,因为与常规CMOS晶体管相比,这种逻辑元素对高温相对抗性和电离辐射。纳米 - 维库木管操作的Terahertz速度当时尚未引起重大兴趣,因为
2024 年 6 月 12 日至 14 日 宾夕法尼亚州立大学 注册、早餐、午餐和海报展示将在 Benkovic 大楼三楼举行 口头会议将在 Thomas 大楼举行 地图可在以下网址获取:https://www.k-state.edu/chem/conferences/ismpc_2024/attendees/transportation/transportation.html 6 月 12 日,星期三 上午 7:30 早餐/注册(Benkovic 大楼) 上午 8:10 移至 Thomas 大楼 上午 8:20 欢迎会议 1:电子结构和结构-性能关系 上午 8:30 Tatsuya Tsukuda(东京大学):“化学修饰的金超原子的电子结构和光学特性” 上午 9:00 Hannu Häkkinen(于韦斯屈莱大学):“单层保护金属团簇的计算机模拟的前景与挑战” 上午 9:30 Sukhendu Mandal(印度科学教育与研究中心特里凡得琅校区):“原子级精准银和铜纳米团簇的结构-性能关联” 上午 10:00 休息 第 2 场:合成和结构控制与表征方面的进展 上午 10:30 Thalappil Pradeep(印度理工学院马德拉斯分校):“碳硼烷硫醇:用于原子级精准团簇的多功能配体平台” 上午 11:00 Anindita Das(南卫理公会大学):“基于锑基配体的原子级精准金属纳米化学” 上午 11:30 Kevin Stamplecoskie,皇后大学,“硫醇和卡宾稳定的金纳米团簇的光化学合成、纯化和表征” 下午 12:00 Vivek Yadev(印度理工学院马德拉斯分校):“通过位点特定原子掺杂对纳米团簇进行光学调制” M 17 纳米团簇:以 Ag 17 、 AuAg 16 、 Cu 4 Ag 13 和 AuCu 4 Ag 12 为例” 12:15 pm Subarna Maity(东京大学):“具有少原子银壳的金超薄纳米棒的表面等离子体共振” 12:30 pm 午餐(Benkovic 大楼)
金属氧化物半导体是一类在我们的生活中得到日益广泛应用的材料,因为它们具有有趣的可调能带隙、优异的化学和机械稳定性等。随着技术的进步,能够生产出薄膜、纳米粒子、纳米线和纳米棒形式的金属氧化物,它们的应用多年来不断增长,从半导体电子器件扩展到传感器、光电子器件、催化、能量收集和存储设备。1 – 38 半导体金属氧化物的一个有趣的应用源于这样一个事实:一些金属氧化物可以掺杂外来元素,从而表现出与金属相当的电导率。这种氧化物的薄膜允许光通过,几乎不产生吸收,因此这种薄膜非常适用于作为光电器件的电极,因为光电器件需要既对光透明又能像金属一样导电的材料。这导致了透明导电氧化物 (TCO) 的发展,它是近代大多数光电子和光伏设备不可或缺的一部分。导电透明金属氧化物薄膜,例如 SnO 2 和 ZnO(氧化锌),正在许多消费电子产品中找到应用,尤其是平板显示器、触摸屏、光伏设备、低辐射玻璃、节能窗和储能设备。8 – 10,12 – 14,39 透明导电膜是一种薄层导电材料,在可见光范围内具有低吸收率(或高光透射率),是上述任何设备的基本要求。20 电导率和透明度可以进行定制,以扩大其在大量应用中的效用。 20 – 26 除透明导电薄膜外,氧化物/金属/氧化物多层结构也得到了广泛的研究,以提高它们的光透射率和电导率,以满足 TCO 的要求。11,40 – 42 图 1 显示了不同的透明氧化物及其在光伏设备、触摸屏、平板显示器和节能智能窗中的应用。然而,只有少数掺杂特定元素的金属氧化物作为 TCO 表现出令人满意的性能,例如铟 (In) 掺杂的 SnO 2 (ITO)、氟 (F) 掺杂的 SnO 2、铝 (Al) 掺杂的 ZnO、镓 (Ga) 掺杂的 ZnO 等,尽管这些都有各自的局限性。二氧化锡作为透明导电氧化物 (TCO) 因其广泛的应用而受到了广泛的研究关注,并得到了许多研究人员的评述。 9,12,43,44 评论文章主要讨论了 ITO 的挑战和机遇。它既具有低电阻率,又具有
教育经历 1980-84 英国剑桥大学冶金与材料科学博士学位 1980-81 英国剑桥大学自然科学研究生学习证书 1975-80 印度理工学院、贝拿勒斯印度教大学冶金工程技术学士学位 专业经历 2014 年至今 冶金与材料工程系教授、系主任、Freeport McMoRan 冶金与材料工程杰出教授 2009-2014 路易斯安那大学拉斐特分校材料科学与工程杰出教授(化学工程系) 2013-14 材料研究与创新研究所所长(创始所长 - 2013 年) 2013-14 路易斯安那大学拉斐特分校路易斯安那加速器中心副主任 2004-14 路易斯安那大学拉斐特分校结构与功能材料中心主任拉斐特(创始主任 - 2001 年构思,2004 年成立并获批准) 2001-14 路易斯安那大学拉斐特分校 Stuller 冶金学讲座教授兼教授 2012-至今 中国东北大学名誉教授 1984-98 印度国防冶金研究实验室科学家 研究兴趣 高强度高韧性组合金属和合金;纳米结构材料;生物材料;先进性能材料;能源系统材料;聚合物纳米复合材料 - 特别关注加工-微观结构-性能关系;变形和断裂。这些感兴趣的领域涉及使用广泛的材料表征技术,包括透射和扫描电子显微镜、电子背散射衍射 (EBSD)、电子断层扫描、原子力显微镜和机械测试。奖项、荣誉和专利 2013 年印度贝拿勒斯印度教大学杰出校友奖 2013 年路易斯安那大学拉斐特分校创新者奖 2012 年美国专利 (8197890 B2),“制造磁性纳米棒的方法。” 2011 年美国专利 (7964013 B2),“用于超高密度存储介质的 FeRh-FePt 核壳纳米结构。” 2009 年杰出大学教授 2009 年美国专利 (7504130 B1),“合成具有磁核和光催化壳的抗菌纳米粒子的方法:TiO 2 -NiFe 2 O 4 体系。” 2009 年美国专利 (7635518),“树枝状磁性纳米结构及其制造方法。” 2007 年英国材料研究所颁发的 2007 年 Charles Hatchett 奖。 2007年荣获英国材料学会颁发的2007年度复合材料奖。
纳米级和特定的光学相互作用在纳米级的相互作用是一个迅速提高科学意义和技术相关性的话题。纳米级光 - 物质相互作用对于在生物光收集系统中的光转化为化学能以及人工光伏设备中的光到电流转换至关重要。这些相互作用定义了金属纳米结构的相当惊人的线性,尤其是非线性光学特性,因此是理解和操纵纳米级在表面等离子体(SP)激发形式的纳米级定位的关键。这种光定位现象正在发现,从癌症治疗和水分分裂或光催化的根本性相关应用到一般而言,到单分子(Bio-)传感。在用超短,飞秒的光脉冲照明金属纳米结构时,很容易达到局部局部强度,这些强度很容易产生高谐波辐射或将这些颗粒中的电子驱动到这些颗粒中,从而产生femtosecond Electon Electon Electron Electrone Electigrightimah intrighighighighightightige intrighightightimah rections intrighightightige sirtighightigh。混合纳米结构,包括金属,半导体和/或分子聚集体,可以在超快开关中找到全新的应用,或设计具有前所未有敏感性的新的光子晶体管。钻石纳米颗粒中氮空位的电子自旋激发是精心敏感的磁性传感器,在将来的信息处理中作为量子位有趣。在聚合膜上沉积金属纳米结构时,SP激发可能会导致局部光聚合,这可用于探测光学接近纤维或研究纳米级的光化学。纳米级光学的所有这些和许多其他新兴应用都呼吁广泛概述这一引人入胜的领域中正在进行的研究。这是本期特刊的目的 - 物质互动,以提供字段的概述。为此,我们在此领域收集了一系列25篇文章。本期特刊始于C Bauer和H Giessen [1]的有关上等离子晶体的线性光学特性的教程,并包括三篇评论论文和21篇原始文章。该教程之后是一篇有关基于等离子的光聚合及其在近距离传感和光化学中的应用的评论文章[2]。giugni等[3]对“绝热纳米焦焦”的基础和应用进行了有趣的综述,即,将sp polartons转化为纳米含量的sp,例如锥形金属taper虫。Peruch等人[4]的第三次审查仍在印刷中,讨论了基于金属纳米棒阵列的超快全光开关的光学特性。
概要:胶体的概念涵盖了从合成纳米粒子、纳米棒和纳米片到功能性生物单元等各种各向同性和各向异性的粒子,它们具有多种尺寸、形状和功能。材料科学致力于研究它们的各种功能,而它们在生物世界中无处不在,具有多种功能。由于其科学和技术重要性,人们对其进行了研究的各种合成胶体;但它们的特点是尺寸分布有限、形状和相互作用不完善,功能尚未完全工程化。这与尺寸、形状和功能精确的生物胶体形成鲜明对比。材料科学一直在从生物世界中寻找灵感,以通过自组装和层次结构进行结构控制,并在生物灵感中确定功能组合的新途径。在此,我们首先讨论基于生物基序引导组装的技术相关合成胶体的高度定义结构控制的不同方法。首先,我们描述如何在空心蛋白质笼内组装多分散纳米粒子,以实现明确定义的组装和分层堆积。另一种方法依赖于基于 DNA 纳米技术的组装,其中工程 DNA 结构允许程序化组装。然后,我们将讨论具有特别窄的尺寸分散性或甚至原子精确结构的合成胶体,用于新的组装和潜在功能。此类胶体可以具有明确定义的膜填料,从而允许高模量。它们可以使用光响应部分进行切换,并且可以启动不同几何形状的较大组装的堆积。重点是原子定义的纳米团簇,其允许通过超分子相互作用(例如定向氢键)进行明确定义的组装。最后,我们将讨论刺激响应胶体的新功能,甚至是受生命启发的复杂响应功能。其中,受生物学习启发的刺激响应材料可以实现下一代此类材料。经典条件作用是最简单的生物学习概念之一,需要两个刺激和可触发的记忆。其中我们使用热响应水凝胶与等离子体金纳米粒子和螺吡喃光酸作为模型。加热是导致热响应凝胶熔化的非条件刺激,而光(在特定波长下)最初会导致 pH 值降低,而不会因空间凝胶稳定而导致等离子体或结构变化。在热诱导凝胶熔化下,光会导致 pH 值降低和金纳米粒子链状聚集,从而产生新的等离子体响应。因此,同时加热和光照可以对新衍生的刺激进行条件作用,其中的逻辑图类似于巴甫洛夫条件作用。所示的组件展示了当尺寸和分散性受控时使用胶体可实现的不同功能。■ 主要参考文献
新兴的宽带隙 (WBG) 半导体有望推动全球产业发展,就如同 50 多年前硅 (Si) 芯片的发明推动了现代计算机时代的到来一样。基于 SiC 和 GaN 的器件正开始变得更加商业化。与同类的基于 Si 的元件相比,这些 WBG 器件更小、更快、更高效,在更严苛的操作条件下也能提供更高的可靠性。此外,在此框架下,一种新型微电子级半导体材料被创造出来,其带隙甚至比之前建立的宽带隙半导体(如 GaN 和 SiC)还要大,因此被称为“超宽带隙”材料。这些材料包括 AlGaN、AlN、金刚石和 BN 氧化物基材料,它们在理论上具有更优越的性能,包括更高的临界击穿场、更高的工作温度和潜在的更高辐射耐受性。这些特性反过来又使得革命性的新器件可用于极端环境成为可能,例如高效功率晶体管(因为巴利加品质因数有所提高)、超高压脉冲功率开关、高效 UV-LED、激光二极管和 RF 电子设备。本期特刊发表了 20 篇论文,重点关注基于宽带隙的器件:设计、制造和应用。三篇论文 [1-3] 涉及未来 5G 应用和其他高速高功率应用的 RF 功率电子设备。其中九篇论文 [4-12] 探讨了宽带隙高功率器件的各种设计。其余论文涵盖了基于宽带隙的各种应用,如用于提高 GaN 基光子发射器光子提取效率的 ZnO 纳米棒 [13]、InGaZnO 薄膜晶体管 [14]、宽带隙 WO3 薄膜 [15]、银纳米环 [16、17] 和 InGaN 激光二极管 [18-20]。特别是在 RF GaN 器件方面,Kuchta 等人 [1] 提出了一种基于 GaN 的功率放大器设计,该设计降低了透射率畸变。Lee 等人 [2] 展示了一种用于 2.5 至 6 GHz 干扰系统的紧凑型 20 W GaN 内部匹配功率放大器,它使用高介电常数基板、单层电容器和分流/串联电阻器实现低 Q 匹配和低频稳定。 Lin 等人 [3] 通过集成厚铜金属化层实现了 Ka 波段 8.2 W/mm 的高输出功率密度。关于 GaN 功率器件,Wu 等人 [4] 研究了一种双 AlGaN 势垒设计以实现增强模式特性。Ma 等人 [5] 介绍了一种使用 GaN 的数字控制 2 kVA 三相分流 APF 系统。Tajalli 等人 [6] 通过进行缓冲分解研究了 GaN-on-Si 外延结构中垂直漏电和击穿的起源。可以确定每个缓冲层与垂直漏电和击穿电压相关的贡献。Sun 等人 [7] 研究了 GaN-on-Si 外延结构中垂直漏电和击穿电压的分布。[7] 提出了一种利用 TCAD 实现常关型 GaN HEMT 的新方法。该概念基于将栅极沟道方向从长水平方向转置为短垂直方向。Mao 等 [8] 在 IGBT 的集电极侧引入了一部分 p-polySi/p-SiC 异质结,以在不牺牲器件其他特性的情况下降低关断损耗。Kim 等 [9] 实现了 SiC 微加热器芯片作为下一代功率模块的新型热评估设备,并评估了其耐热性能。
更广泛的上下文电池供电的电动汽车是将运输集成到电网中的有前途的解决方案。但是,尚未广泛采用电动汽车的消费者,部分原因是成本较高,车辆行驶里程较小以及充电的不便。可以鼓励使用电动汽车的新电池化学的重要目标包括低成本,大型驾驶范围,许多周期和长架子。带有石墨阳极的电流,可充电的锂离子电池的能量密度太低,无法达到前两个目标,但是诸如硅等不同的阳极化学物质可以实现成本和范围目标。在硅阳极可以替代石墨阳极之前,仍然存在障碍,但是,由于静电期间硅体积较大及其高反应性表面的大量膨胀,这两者都会导致不可逆的容量损失。