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2D 晶体管有多好？特定应用的基准研究
图 2. 使用宽度归一化导通电流除以源漏电场与栅极场感应载流子浓度，对 HP 晶体管类别中的一组 2D FET 演示进行性能基准测试。1L：单层。>3L：厚度超过三层。2020 IRDS HP：IRDS 预计的 5 纳米节点高性能逻辑晶体管规格。2020 IRDS HD：IRDS 预计的 5 纳米节点高密度或低功耗逻辑晶体管规格。带有叠加“×”的数据点表示 I Max /E SD 是从输出特性（I DS 与 V DS ）的线性区域中提取的情况，因此与来自饱和状态的其他点相比可能被夸大。插图：底部栅极 2D FET 的示意图（添加了顶部栅极，在某些报告的设备中使用），其中突出显示了关键参数。 12,51,53-65
通过散射矩阵方法实现非线性散射介质中的非线性谐波操控
摘要。由于介质不均匀性而导致的波（例如光）的散射在物理学中普遍存在，并且被认为对许多应用有害。波前整形技术是一种强大的工具，可以消除散射并通过非均匀介质聚焦光，这对于光学成像、通信、治疗等至关重要。基于散射矩阵 (SM) 的波前整形在处理线性区域中的动态过程中非常有用。然而，在非线性介质中控制光的这种方法的实现仍然是一个挑战，至今尚未被探索。我们报告了一种确定具有二阶非线性的非线性散射介质的 SM 的方法。我们通过实验证明了其在波前控制中的可行性，并通过强散射二次介质实现了非线性信号的聚焦。此外，我们表明该 SM 的统计特性仍然遵循随机矩阵理论。非线性散射介质的散射矩阵方法为非线性信号恢复、非线性成像、微观物体跟踪和复杂环境量子信息处理开辟了道路。