在半导体和高级材料行业中需要使用非接触式和非毁灭性工具,以表征散装,薄膜和2D材料的电气性能。
功率模块中的引线键合是封装中最薄弱的环节之一,通常会导致整个功率模块故障。与 CTE 不匹配相关的引线键合中的热机械应力会导致裂纹扩散到键合界面附近的区域。在本文中,键合过程后的扫描电子显微镜 (SEM) 分析清楚地显示了引线和芯片金属化界面附近的小晶粒和不同的纹理。为了提高引线键合的可靠性,建议在功率模块制造后进行热处理。热处理通过增加晶粒尺寸、降低位错密度和合并引线和金属化的晶粒,对键合区域产生积极影响。此外,已进行的功率循环显示,与由未经处理的相同(交付时)功率 IGBT 模块组成的参考产品相比,经过热处理的功率模块的使用寿命有所增加。
微镜◼1x4,1x8至1xn镜头阵列,具有完美对齐的镜头◼单元<0.6 x 0.6 x 0.6 x 1mmm³◼准入和重新聚焦◼大型尺寸和长距离
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“使用光子线键合在硅光子集成芯片上的包装可调单模III-V激光”,(2024)Deenadayalan等人,IEEE,IEEE 74th(ECTC),Denver,Colorado,Colorado,USA
单片微电路(或集成电路)。一种微电路,仅由在单个半导体基板上或内部原位形成的元件组成,其中至少一个元件形成在基板内。大多数合格的 QML 供应商都使用铝楔形键合,大概是为了保持 IC 上的键合为单金属。
楔形键合机使用超声波能量将金属线键合到金属基板上,整个过程仅需几毫秒。在大批量生产中,故障会导致停机和成本增加。在线监控系统用于减少故障并确定根本原因。我们开发并测试了一种算法来对超声波线键合生产中的异常值进行分类。该算法用于大型线楔形键合机,以测量和分析过程信号并检测和分类键合异常值。它可以帮助键合机操作员、生产主管和工艺工程师检测工艺偏差并解决潜在的根本原因。该算法测量键合信号,例如变形、超声波电流和超声波频率。根据键合顺序和工艺参数,键合会自动分为子组,然后对子组内的信号进行归一化。对于异常值分类,从归一化信号中提取特征并将其组合成故障类别值。污染、无线、高变形、线错位和基板不稳定等故障类别是独立计算的。我们测量了大型铝线键合故障类别的检测率,并演示了该算法如何根据信号计算故障类别值。此外,我们还展示了如何定义新的信号特征和故障类别来检测特定于生产或罕见的故障类别。关键词楔形键合机、超声波引线键合、异常值分类、键合故障、检测算法。
(2008) 指出,RSM 可以清楚地预测参数交互作用和平方项的显著性。RSM 技术可以根据显著参数、它们的交互作用和平方项对响应进行建模。因此,该方法是一种比田口方法更好的优化工具。田口方法的大多数应用都解决单响应问题,对多响应问题的关注有限 (Su, 2013)。在解决多响应问题时,应用传统的田口方法会导致在确定最佳参数设置时产生冲突。也就是说,当找到满足质量特性 A 的最佳参数组合时,可能无法满足质量特性 B。在实践中,工程师通常使用反复试验来调整引线键合参数。为了在不损失质量的情况下降低制造成本,铜线
2 Fraunhofer IZM Berlin Gustav-Meyer-Allee 25, 13355 Berlin Germany Email: martin.schneider-ramelow@izm.fraunhofer.de 摘要 本文介绍了德语国家和欧洲国家广泛使用的引线键合标准 DVS-2811。该标准于 1996 年推出,现在包含所有当前使用的键合方法的定义和限值,包括其他所有官方标准中都没有的重/粗引线键合连接的剪切测试。特别是考虑到电池键合用户数量的不断增长,指定适当的粗引线测试限值具有重要意义。除了概述当前状态之外,还展望了未来 1-2 年的进一步更新。 关键词 引线键合、拉力测试、剪切测试、质量、标准、测试 I. 简介 标准和细间距引线键合技术继续经历小幅发展,材料更加精炼、几何尺寸更小,可靠性要求也不断变化。当前可用的引线键合标准无法回答在测试此类先进引线键合触点时出现的问题。需要在这一领域开展活动。向新技术领域的发展在重引线键合中更为明显。一个例子是,用于生产电池模块的大面积键合机的需求不断增加。此外,新功能已集成到现有的键合机机器平台中,包括激光键合技术(F&K Delvotec)和智能焊接技术(Hesse Mechatronics、Kulicke & Soffa)。目前没有跟上这种快速发展的一个方面是过程控制和质量检查的标准化。现有标准(如 MIL-883、ASTM F1269 或 JEDEC 22B116B)不包含任何测试粗线(直径 > 100 µm)的指导。偏离此几何形状(如重带或超声波焊接成型部件或接线片)也没有得到解决。这给用户、机器供应商和最终客户带来了挑战。测试规范、工具属性、极限值等的定义必须单独讨论并达成一致。25 年来,DVS 公告 2811 一直
1.1.1。球键故障球键故障是微电子包装中最常见的故障模式[2]。通常是由于热老化引起的金属间生长。来自金属间层中的微裂纹并削弱了键[3]。球键合AU,Cu,Ag基线到Al金属化形成热老化的金属间化合物(铝制)。[4]在不同的金属超声波或热音线键中有限的界面IMC形成会增加键强度。但是,过度的IMC形成可能导致债券的性能下降。IMC的厚度增加会产生较高的电阻,从而导致流动流动时较高的热量产生。这会产生乘数效应,因为由于电阻率升高而引起的加热促进了粘合界面中其他IMC的形成[5]。imcs的形成以及界面处的相关空隙和裂纹决定键的强度和可靠性。IMC的形成对粘结强度有益,但是它们的过度生长可以增加键和接触电阻的脆性,从而导致键失败[6]。