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World File Search System结晶度
2D有机半导体中的激子动力学
抽象的二维（2D）半导体材料已被广泛研究其有趣的激子和光电特性，这些特性是由强烈的多体相互作用和在2D极限下的量子限制引起的。这些材料中的大多数都是无机的，例如过渡金属二北元化，磷烯等。有机半导体材料的出色电导率和低介电系数，用于在薄膜或大量材料相中的类似应用。在薄膜和散装相中缺乏结晶度，导致了激子和电子/光节间隙特性的歧义。最近的2D有机材料的出现已经打开了一个高结晶度和受控形态的新领域，从而可以研究低洼的激子状态和光电特性。与无机2D材料中的Wannier -Mott激子相比，它们已被证明具有不同的激子特性。在这里，我们介绍了我们最近对2D有机半导体材料的实验观察结果和分析。我们讨论了单晶材料的高晶和形态控制的生长及其光电特性的作用。该报告解释了有机材料中的Frenkel（FR）和电荷转移（CT）激子以及随后的光发射和吸收特性。实验研究并讨论了源于CT和FR激子之间的相互作用，这是由CT和FR激子之间的相互作用产生的，以揭示电子带的结构。然后，我们讨论我们在J型聚集的有机材料中观察到的纯FR行为，从而导致连贯的超级激体排放。在有机材料中，激发子的超级转移，由其纯粹的fr性质促进，以及在大量分子上的激子的离域化。最后，我们讨论了这些有机2D材料的应用和视力，在快速有机发光二极管，高速激发电路，量子计算设备和其他光电设备中。
开发环丙沙星载有施用的电纺纱作为抗菌手术缝合材料
摘要：手术部位感染（SSI）在术后手术过程中经常发生，并且经常用口服抗生素治疗，这可能会引起某些副作用。可以通过将抗菌/抗炎药封装在手术缝合材料中，从而避免这种感染，从而使它们可以在伤口闭合期间更有效地在作用部位作用，从而避免术后细菌感染并扩散。这项工作旨在开发新型的基于生物的抗感染纤维的纱线作为预防手术部位感染的新型缝合材料。为此，使用特殊设计的纱线收集器基于基于飞行的相互缠绕的微纤维（1.95±0.22 µm）的纱线进行原位制造。电纺纱缝合线（直径为300–500 µm）由聚（3-羟基丁酸-CO-CO-3-羟基乙烯酸）制成，具有不同的3HV单元，并包含环氧氟化物（CPX）羟化力（CPX），作为抗虫的抗腐烂药物活性药物（API）。然后通过扫描电子显微镜，傅立叶变换红外光谱，广角X射线散射，差量扫描量热法和体外药物释放来分析纱线。还根据抗菌和机械性能分析了纱线。材料表征表明，不同的聚合物分子结构影响了已达到的聚合物结晶度，该聚合物结晶度与不同的药物洗脱谱相关。此外，这些材料表现出PHBV的固有僵硬行为，API进一步增强了PHBV。最后，所有纱线缝合物呈现出5天的时间释放，均与革兰氏阳性和革兰氏阴性致病细菌相关。结果在这项研究中突出了开发的抗菌电纺纱的潜力，作为预防手术感染的潜在创新缝合材料。
有机晶体的混合和复合材料
有机分子晶体由周期性，对称结构中排列的离散分子组成，已被传统地视为不适合需要机械稳定性的应用的脆弱材料。1 - 3然而，最近的研究通过发现某些有机晶体的显着动态特性，包括弹性，质量，刺激性反应性，甚至应力诱导的发光，从而挑战了这一观念。4 - 7与传统的脆性分子固体不同，这些动态和o imentimes，机械兼容的有机晶体可以经历可逆的机械变形，例如弯曲，扭曲和盘绕，oimes，而不会显着损失其结晶度。8,9意识到，机械性敏感性和刺激性诱导的适应能力来自（相对较弱）分子间相互作用可能对
文章
利用三维受限磁控溅射源 (L-3DMS) 在低于 100 C 的温度下成功沉积了超薄锡掺杂结晶氧化铟 (ITO) 薄膜 (≤ 50 nm)。在低处理温度下沉积的超薄 ITO 薄膜的电阻率和迁移率分别约为 ∼ 5 × 10 − 4 · cm 和 > 30 cm 2 /Vs (厚度为 30 nm)。据信，利用 L-3DMS 沉积的超薄 ITO 薄膜的高质量与 L-3DMS 的高密度等离子体和低放电电压改善了 ITO 薄膜的结晶度和氧空位有关，这使得能够在低处理温度下形成晶体结构。关键词：透明导电氧化物 (TCO)、3-D 受限磁控溅射、ITO 薄膜、高等离子体密度、晶体结构、低温。
超级电容器应用的合成ZnS微球的电化学性能
将来非常需要综合的能源转换和存储机制来满足能源消耗的需求。目前的调查是为了探索在该领域具有巨大潜力的材料。本研究探讨了硫化锌（ZNS）作为超级电容器电极的电荷储存行为。合成是通过成本效益，高效和直接反射方法完成的。合成的ZnS纳米颗粒表现出极好的结晶度，平均水晶大小为17 nm，并且具有微球形态和微球形态传递了74 fg –1在电流密度下1 Ag –1的74 fg –1，而72 fg –1在扫描速率为1 mvs –1的速度速率范围内的速度能力以及对合成的能力的出色速率ands and synessn and synessn ands and ands ands and and and and an 贮存。