本文对在独立衬底上生长的 GaN 外延层上的 Ni 肖特基势垒进行了表征。首先,通过对裸材料进行透射电子显微镜 (TEM) 图像和导电原子力显微镜 (C-AFM) 的纳米级电学分析,可以看到晶体中的结构缺陷以及电流传导的局部不均匀性。在外延层上制造的 Ni/GaN 垂直肖特基二极管的正向电流-电压 (IV) 特性给出的肖特基势垒高度平均值为 0.79 eV,理想因子为 1.14。对一组二极管的统计分析,结合温度依赖性测量,证实了在该材料中形成了非均质肖特基势垒。从 Φ B 与 n 的关系图中可以估算出接近 0.9 eV 的理想均质势垒,与通过电容-电压 (C – V) 分析推断出的势垒相似。通过 C-AFM 获得的局部 IV 曲线显示了电流传导开始点的不均匀分布,这又类似于在宏观肖特基二极管中观察到的电流传导开始点。最后,在不同温度下获得了在无缺陷区域制造的二极管的反向特性,并通过热电子场发射 (TFE) 模型描述了其行为。
是人体最大的器官和最外层的皮肤,是针对各种外部致病因素的第一线防御,包括物理,化学和生物学胁迫,并且在预防脱水方面起着关键作用。维护这些功能主要依赖于声音屏障;皮肤屏障的任何功能或结构缺陷都可能诱导各种皮肤病,例如特应性皮炎(AD)(1)和牛皮癣(2)。除了皮肤物理屏障(主要由角质形成细胞及其产品组成)外,最近还发现皮肤屏障免疫在维持皮肤屏障的完整性方面起着重要作用(3)。最近的研究发现,包括Langerhans细胞(LCS),树突状细胞(DCS),先天淋巴样细胞(ILCS)和T细胞在内的皮肤居住的免疫细胞和皮肤驻留的结构细胞(例如角膜细胞和细胞)一起工作,以保护皮肤平衡(4)。皮肤屏障的完整性密切取决于皮肤屏障免疫的体内平衡,并在不可逆转地损害稳态时受到挑战。在过去的几年中,人们认识到,位于亚木核和真皮底部的皮肤相关脂肪细胞可能在调节皮肤免疫中起着重要作用,通过产生各种细胞因子,脂肪因子,脂肪因子,
疲劳裂纹是钢结构的常见缺陷,在不同的负载和各种环境因素的长期影响之后[1]。如果没有及时有效治疗,它最终可能导致结构性疲劳失败。维修和加固技术的出现提供了一种解决此问题的新方法。与更换损坏的结构部件相比,维修和加固技术在时间和成本方面都具有很大的优势[2,3]。在裂纹尖端上使用裂纹停止孔是最常用的临时控制技术之一。在过去的几十年中,许多学者研究了裂纹停止孔的工程应用[4,5]。结果表明,裂纹停止孔的形状,尺寸和姿势的合理设计可以有效地降低裂纹的生长速度并增加残留疲劳寿命。但是,当在疲劳裂纹尖端处理裂纹停止孔时,原始结构的机械强度被削弱,并创建了新的容易疲劳的区域。更重要的是,当裂纹从裂纹停止的边缘启动时,由于存在停止孔的存在,新裂纹的膨胀速率不会改变[6]。作为一种复合材料,纤维增强聚合物(FRP)材料具有高强度重量比,良好的耐腐蚀性和疲劳性能,并且几乎可以将其分为几乎所有所需的形状。在过去的几年中,关于结构缺陷大小的影响[7,8],粘合剂的特性[9,10]和FRP键合法
微/纳米结构对热导率的影响是一个具有重大科学意义的课题,对热电技术尤其重要。目前的理解是,结构缺陷主要通过声子散射降低热导率,其中描述热传输时声子色散和声速是固定的,特别是当化学成分不变时。对 PbTe 模型系统进行的实验表明,声速随内部应变的增加而线性减小。这种材料晶格的软化完全解释了晶格热导率的降低,而无需引入额外的声子散射机制。此外,我们表明,高效率 Na 掺杂 PbTe 的热导率降低和随之而来的热电品质因数(zT > 2)的提高主要归因于这种内部应变引起的晶格软化效应。虽然已知非均匀内部应变场会引入声子散射中心,但这项研究表明,内部应变也能平均软化材料晶格,从而改变声速和声子色散。这为控制晶格热导率提供了新途径,超越了声子散射,利用微结构缺陷和内部应变。在实践中,许多工程材料都会表现出软化和散射效应,就像硅中显示的那样。这项研究为能源材料、微电子和纳米级传热领域的热导率研究带来了新的启示。
抽象目的:这项研究的目的是研究使用细胞化学方法的特发性不育男性中的精子DNA完整性与常规精液参数之间的关系。方法:通过使用酸性苯胺蓝色染色来评估精子DNA的完整性,指定核染色质凝结和TUNEL方法鉴定了40个特发性不育男性中的精子DNA断裂。涂片上的精子头被计为Tunel+和苯胺蓝+,显示了精子DNA损伤。这些发现用于确定鲁丁精液参数与精子DNA完整性测试结果之间的相关性。结果:苯胺蓝+染色的百分比与精子形态和进行性运动之间存在显着的负相关。和在TUNEL+染色的百分比与正常形态和进行性运动性(P <0.01)之间观察到了负相关,在这些相关性与精子浓度和精子总运动性方面没有相关性。结论:诸如酸性苯胺蓝色和TUNEL之类的方法可以显示出独立于常规精液参数的精子的结构缺陷。尽管这些方法与某些精液参数相关,但它们特别适用于特发性不育患者组,可能会对辅助生殖技术的成功产生积极贡献。关键字:精子,染色质冷凝,DNA碎片,tunel,苯胺蓝
鳞状地衣病是一种常见疾病,在不同国家影响着 1%至 3%的人口(例如,丹麦 - 2.9%,北欧(包括英国) - 2%,美国 - 1.4%,中国 - 0.37%)。该病会慢性发作,持续多年,反复复发和缓解,伴有严重的心理障碍,并可能导致身体残疾。关于牛皮癣的起源有几种观点。主要有病毒性、遗传性、神经性、溶酶体先天不稳定性假说和皮肤毛细血管先天性结构缺陷等。肿瘤坏死因子α(TNF-α)也被认为在牛皮癣的发病机制中发挥作用。牛皮癣有两种类型。I型银屑病与HLA抗原系统相关,65%的患者患有此病,且发病年龄较轻(18-25岁)。II 型银屑病与 HLA 抗原系统无关,且发生在较成熟的年龄。免疫系统的变化起着重要作用,这种变化是由遗传引起的,或者是由于接触多种外部和内部因素而获得的。诱发因素可能是皮肤损伤、压力、使用某些药物、酗酒、传染病(尤其是由链球菌、病毒性疾病引起的疾病)。已经在细胞和体液水平上发现了免疫系统的变化。这种疾病的开始方式有很多种。通常在疾病开始时会出现少量皮疹,它们可以在同一位置停留很长时间,尤其是在头皮和大关节区域,并逐渐进展。在上述诱发因素的影响下,可以立即出现包含多种因素的大量皮疹,例如
(公元 1453–1689 年) 是指患有精神病的人,他们被认为是心理或人格结构异常的人。18 世纪 90 年代,法国医生菲利普·皮内尔 (Philippe Pinel) 将疯人院改建成医院,并开始应用心理社会疗法治疗精神病患者。随着时间的推移,精神病逐渐被认为是一种具有生物学基础的脑部疾病。20 世纪初,德国精神病学家埃米尔·克雷佩林 (Emil Kraepelin) 按照特定的症状组合对精神障碍进行了重新分类,他的内源性精神病概念成为了精神病学的基础,至今已有 100 多年的历史。从 1930 年开始,各种假设的发展导致多种疗法的发明,这些疗法采用了热疗、胰岛素、电击和脑白质切断术等方式。幸运的是,这些疗法由于其不人道和无效性而未能持续下去或成为主流。后来,出现了其他更合理的精神分裂症假说,包括脑结构缺陷、多巴胺系统失调和脑炎症。多巴胺假说占了上风;自 20 世纪 50 年代以来,阻断多巴胺 D2 受体的药物一直被用作一线抗精神病药物。后来,提出了一种生物心理社会医学模型来解释精神病的一般原因。6 然而,尽管现有抗精神病药物的反应率低 7 且副作用多种多样,但近几十年来,治疗精神疾病方面并没有取得类似的重大进展。精神病的病理学研究和药物开发遇到了尚未克服的障碍。
*通讯作者,电子邮件:cyprian.mieszczynski@ncbj.gov.pl摘要摘要McChasy Code的主要目标是,通过模拟在Cryselline结构和crysefters cryselline cropters cryselline cropters和collesters的过程中,在通道(RBS/c)中记录了Rutherford反向散射光谱实验实验,该光谱实验是在频道/c/c中复制了。该代码的2.0版本提供了模拟大型频道的可能性(Ca.10 8原子)基于晶体学数据或分子动态(MD)计算而创建的任意结构。在这项工作中,我们介绍了代码的当前状态以及最近对镍(Ni)单晶形成的扩展结构缺陷(边缘位错和位错环)的研究结果。描述了两种建模扩展缺陷的方法:一种使用McChasy Code(PEIERLS-NABARRO方法)开发的,另一种是通过MD(LAMMPS代码)对Ni结构进行修改和热化获得的另一种。由局部弹丸 - 通量密度分布在缺陷周围进行了定性和定量研究。1。在过去的几十年中,许多组对不同材料的辐射缺陷进行了广泛的研究。许多作者[1-4]将卢瑟福的反向散射光谱(RBS/C)技术用作分析离子植入单晶的结构特性的标准方法[1-4]。不幸的是,缺乏适当的RBS/C光谱分析和过度简化方法的工具,通常会引起误导性结果。因此,开发一个适当的工具,可以分别针对在研究晶体中形成的各种缺陷进行详细的定量分析。McChasy V.1.0是在八十年代末在国家核研究中心开发的[5,6]。该代码的第一个版本的主要原理是通过模拟He-ions在内部旅行
在大部分多晶样品中对局部应变的成像需要对纳米镜面水平的晶体结构变形具有高渗透深度和敏感性的探针。随着同步器仪器的重大进展,这是可能的,特别是在过去二十年中开发的一致散射方法。Bragg相干衍射成像(CDI)(Robinson等人,2001年; Miao等。,2002年; Pfeifer等。,2006年; Robinson&Harder,2009年)现在被确定为成像单个纳米晶体中的结构变形和结构缺陷的强大工具(Ulvestad等人。,2015年; Kim等。,2021)。由于晶体通常是多种多样的,因此测量不同位置的几个颗粒以收集样品中足够的统计信息(Singer等人。,2018年)。在此类实验中通常未知测量颗粒的精确位置,因此通常假定样品的均匀性。对于材料响应不统一的系统,获取位置信息很重要。例如,在带有厚度阴极的锂离子电池中,预计充电行为将取决于阴极表面下的深度(Zheng等人。,2012年; Lee等。,2018年)。增强Operando Bragg CDI的能力,并可以绘制测得的颗粒的可能性将在单个纳米颗粒的性能与超厚电极的3D结构之间提供缺失的联系。,2012年),作为解决此问题的一般解决方案,在这里,我们建议一种确定Bragg CDI实验中测得颗粒的3D位置的方法。我们的方法与涉及从微观摄影中跨相关性检测旋转中心检测的程序有一些相似之处(Pan等
半导体 CNT 制成的场效应晶体管 (FET) 的特性。使用等离子体辐射故意向 CNT 中添加缺陷,并通过拉曼光谱确认缺陷(主要是空位)的存在。添加缺陷的 CNT-FET 对 NO 2 的化学电阻响应比具有基线缺陷水平的 CNT-FET 大得多,再次表明缺陷会改善化学电阻响应。大量 CNT 研究调查了晶格缺陷,这里指的是结构缺陷和与 sp 2 键合碳原子完美网络的取代偏差。在 CNT 生长过程中,当一个或多个碳原子被其他元素的原子取代时,可能会发生取代“掺杂”。氮 21,22 和硼 23,24 是最常研究的取代掺杂剂。由于掺杂这两种元素的CNT在电池中表现出良好的储能性能,因此已经开发出可控工艺来按需应用此类掺杂剂。掺杂元素会在CNT结构中产生局部变化25,从而增强纳米管26的表面反应性,因此也可能改善气体传感性能。在已发表的实验中,硼和氮掺杂的双壁和多壁CNT对NH 3 和NO 2 检测表现出了改进的化学电阻灵敏度。26–28结构晶格缺陷(例如空位、双空位和Stone-Wales缺陷)也可能出现在CNT生产过程中29–31,并且已知会改变纳米管的电子特性32,33它们对化学电阻气体传感的灵敏度和选择性影响已被研究19,34,并被发现可以提高CNT在NH 3 、NO 2 和H 2 检测中的性能。