随着 5G、人工智能、物联网等技术的快速发展,微电子设备的工作温度不断升高,对导热和电绝缘材料的需求显著增加[1-4]。这主要是因为微电子设备运行时芯片产生的热量由于一层热界面材料(TIM)而不能迅速传递到冷却设备。TIM 的主要作用是填充微电子设备与散热器翅片之间的缝隙,从而降低界面热阻[5]。环氧树脂或硅橡胶等聚合物因具有优异的黏附性、热稳定性和电绝缘性,常用作 TIM[6,7]。然而,它们的 TC 值较低(低于 0.3 W/m·K),不能满足微电子设备的需求。因此,迫切需要具有优异平面热导率的TIM,它能及时将热量传递至散热片,进而将热量传输到设备外部。通过加入陶瓷填料,如AlN[8-10]、Al2O3[11-13]、Si3N4[14]和BN[15,16],复合策略被认为是提高热导率的最有效方法。特别是对于具有与石墨类似的层状结构的BN,由于其优异的热导率(平面方向约600W/m·K)和宽的带隙[17-20],它引起了人们的极大兴趣。因此,将BN加入到聚合物中对提高热导率具有重要意义。然而,通过传统共混方法制备的BN基复合材料的平面热导率远低于平面取向的。在这方面,已经开发出一些策略来增强聚合物复合材料的平面导热性。一种策略是构建三维网络骨架。在这种结构中,
髓磷脂是一种由中枢神经系统(CNS)中的少突胶质细胞的延伸质膜形成的多层结构(Aggarwal等,2011; Baumann and Pham-Dinh,2001; Stadelmann等,2019)。它会围绕轴突充分包裹,从而产生主要由脂质(70-85%)和蛋白质(15–30%)组成的鞘,它们共同提供电绝缘。脂质成分,包括胆固醇,磷脂和糖脂,使髓磷脂具有绝缘性,而髓磷脂碱性蛋白(MBP)和蛋白质脂质蛋白(PLP)(PLP)(PLP)(PLP)稳定并稳定并压缩层。PLP还将胆固醇分流到髓磷酸室(Werner等,2013)。髓鞘鞘分为节间,它们是沿轴突髓磷脂紧密压实的区域。这些由富含电压门控离子通道的轴突的Ranvier的节点分开。这个结构性组织允许盐分传导,其中仅在节点上仅重新再生动作电位,同时降低了神经元活性的能量需求,从而显着提高了信号传播速度(Aggarwal等,2011; Baumann and Pham-Dinh,2001; Stadelmann et al。,2019年)。髓磷脂在确保沿轴突的快速有效信号传递来确保动作电位的精确同步方面起着关键作用。这种同步整合了各种兴奋性和抑制性输入,从而实现了神经元通信的准确时机。通过保持动作电位的速度和保真度,髓磷脂支持复杂的神经回路的协调,这对于适当的神经网络功能和过程(例如感觉知觉,运动控制和认知)至关重要。髓磷脂结构的小改变可以促进或破坏动作电位的同步,从而影响神经回路功能(Bonetto等,2021; Monje,2018; Xin and Chan,2020)。
杂质(Cl-)ppm < 1.5 描述 陶氏有机硅微电子胶粘剂产品旨在满足微电子和光电子封装行业的关键标准,包括高纯度、防潮性以及热稳定性和电稳定性。陶氏有机硅微电子胶粘剂产品具有出色的应力消除和高温稳定性,可出色地无需底漆粘附于各种基材和部件。这些产品非常适合需要低模量材料的微电子设备、无铅焊料回流温度(260°C)或其他高可靠性应用。这些材料具有湿式分配和预固化薄膜产品形式,可满足设备封装应用的广泛需求。陶氏有机硅微电子胶粘剂产品以方便的单组分材料形式提供,具有针对导电性、电绝缘性或导热性开发的特定配方,所有这些都通过热固化而不会产生副产品。表面准备 所有表面都应使用 DOWSIL™ OS 液体、石脑油、矿物油或甲基乙基酮 (MEK) 等溶剂彻底清洁和/或除油。建议尽可能进行轻微表面打磨,因为这样可以促进良好的清洁并增加粘合表面积。最后用丙酮或 IPA 擦拭表面也有助于去除其他清洁方法可能留下的残留物。在某些表面上,不同的清洁技术会比其他技术产生更好的效果。用户应确定最适合其应用的技术。 基材测试 由于基材类型多样且基材表面条件不同,因此无法对粘合强度和粘合强度做出一般性陈述。为了确保在特定基材上的最大粘合强度,需要使粘合剂在搭接剪切中 100% 内聚破坏或具有类似的粘合强度。这可确保粘合剂与所考虑的基材兼容。此外,此测试可用于确定最短固化时间或检测表面污染物(如脱模剂、油、油脂和氧化膜)的存在。
摘要 标题为“金属和塑料表面处理 (STM)”的最佳可行技术 (BREF) 传单基于根据理事会指令 96/61/EC (IPPC-准则)。本摘要描述了最重要的结果、BAT 的主要结论以及相关的排放和消耗值。应结合前言来理解,前言解释了本文件的目标、其用途及其法律依据。可以作为一个独立的文档来阅读和理解。但是,为了与摘要的性质保持一致,并未包含整个传单的所有方面。因此,在 BAT 决策过程中,本摘要不应被视为全文的替代品。本文件的范围 本文件的范围源自 IPPC 指令 96/61/EC 的附件 I 第 2.6 号:“通过电解或化学工艺对金属和塑料进行表面处理的设备,如果有效体积浴室超过 30 m 3”。“如果活性浴池的体积超过 30 m 3”的解释对于决定特定系统是否需要 IVU 许可证非常重要。该指令附件一的介绍是相关的:“如果同一运营商在同一设施或同一地点开展同一类别的多项活动,则这些活动的能力相加”。许多工厂混合使用小型和大型生产线以及电解和化学工艺及相关活动。这意味着在交换信息时,范围内的所有程序都会被考虑在内,无论其大小。实际上,目前使用的电解和化学过程都是在水基上进行的。还描述了与其直接相关的活动。金属和塑料的表面处理 (STM) 对金属和塑料进行处理以改变其表面特性,其目的如下:装饰和反射、提高硬度和耐磨性、耐腐蚀性以及作为其他处理更好粘附力的基础例如用于印刷的油漆或感光涂料。该信息表不包括: • 硬化(氢脆化除外) • 其他物理表面处理,例如金属真空气相沉积 • 钢铁的热浸镀锌和整体酸洗:这些内容在黑色金属加工的 BREF 信息表 • BREF 中讨论了使用溶剂进行表面处理的表面处理工艺,尽管本文件考虑了使用溶剂进行脱脂提到的一种脱脂替代方案是 • 电泳涂漆,STS 的 BREF 中也对此进行了讨论。塑料价格低廉,易于铸造或模制,保留了其绝缘性和柔韧性等特性,同时其表面可以赋予金属特性。电路板是一种特殊情况,因为它们涉及在塑料表面使用金属来生产复杂的电子电路。
摘要 最佳可用技术 (BREF) 参考文件“金属和塑料表面处理 (STM)”基于理事会指令 96/61/EC (IPPC 指令) 第 16(2) 条的信息交换。本摘要描述了主要结果、主要 BAT 结论以及相关的排放和消耗水平。本文件应与前言一起阅读,前言解释了本文件的目的、用途及其法律依据。它可以作为独立文档来阅读和理解。然而,为了保持摘要的性质,并未包括整个传单的所有方面。因此,在 BAT 决策过程中,本摘要不应被视为全文的替代品。本文件的范围 本文件的范围源自 IPPC 指令 96/61/EC 附件 I 第 2.6 点:“通过电解或化学工艺对金属和塑料进行表面处理的装置,其中处理槽的体积超过 30 m3”。 “如果活跃浴池的体积超过 30 立方米”的解释对于决定特定设施是否需要 IPPC 许可证非常重要。该指令附件一的介绍具有决定性作用:“当同一运营者在同一设施或同一场地开展多项同一类别的活动时,这些活动的容量应加在一起”。许多工厂都混合运营小型和大型生产线以及电解和化学工艺及相关活动。这意味着在信息交换中将考虑适用范围内的所有程序,无论其规模大小。实际上,当前使用的电解和化学过程都是在水基上进行的。还描述了直接相关的活动。以下内容未在本情况说明书中涵盖:• 硬化(氢脱脆除外)• 其他物理表面处理,如金属的真空沉积• 热浸镀锌和钢铁的大规模酸洗:这些在最佳可行技术参考文献中针对黑色金属加工进行了讨论• 表面处理工艺,在最佳可行技术参考文献中针对溶剂表面处理进行了讨论,尽管本文中提到溶剂脱脂是一种脱脂替代方法• 电泳涂装,也在 STS 的最佳可行技术参考文献中进行了讨论。金属和塑料的表面处理 (STM) 对金属和塑料进行处理以改变其表面特性,用于以下目的:装饰和反射,提高硬度和耐磨性、耐腐蚀性,并作为更好地粘附其他处理(如清漆或印刷感光涂层)的基础。塑料价格低廉、易于铸造或成型,保留了塑料的绝缘性和柔韧性等特性,同时还可以赋予塑料表面金属的特性。印刷电路板是一个特殊的例子,因为它们涉及使用塑料表面的金属来生产复杂的电子电路。
c物理系,巴凡恩的Vivekananda科学,人文与商业学院,海得拉巴,Telangana,Telangana,500094,印度D,D d diveabhapatnam,Vishakhapatnam,Andhra Pradesh 530045,印度,印度纳米型纳米级液压型载体的使用,自1960年代以来,但是对于表面活性剂浓度,对结构和磁性的关注很少。本文研究了表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)浓度对钴铁酸盐(COFE 2 O 4)纳米颗粒的影响,该纳米颗粒是在250°C和500°C的退火温度下通过反向胶束制备的。对SDS比率变化的样品(CO:SDS = 1:0.33,1:0.5,1:0.66)进行了XRD,TGA,TEM,FTIR和VSM研究。所有样品表现出单相尖晶石结构,晶体直径范围为10至18 nm。随着SDS浓度的增加,晶体的尺寸减小。TEM图像显示粒径在7.6 -17.7 nm的范围内。VSM调查显示样品的铁磁行为。相同浓度相对于退火温度相对于退火温度,观察到的增加反映了纳米颗粒的单域性质。这强调了退火条件在定制钴铁岩纳米颗粒中的关键作用,作为在纵向磁记录介质中的合适应用。(2024年3月26日收到; 2024年6月7日接受)关键词:钴与SDS比,粒径,反向胶束,十二烷基硫酸钠1.引言铁氧体磁性纳米颗粒一直是其广泛应用的最深入研究和研究的材料之一,包括铁氟烷基技术,磁性冷冻,磁共振成像(MRI),高密度记录,Spintronics,spintronics,抗肿瘤药物,抗肿瘤药物输送,磁性超热和其他[1-4]。钴铁氧体纳米颗粒由于其混合尖晶石结构而引起了很多兴趣,其中包含晶格中A和B位点的二价钴阳离子和三价铁阳离子[5]。钴铁氧体(COFE 2 O 4)具有显着的物理和机械性能,并且具有异常稳定和电绝缘性[6,7]。这些特殊特征使钴铁岩成为广泛医疗应用的可行竞争者[8]。合成铁氧体纳米颗粒的各种方法的目标是匹配其特征,例如粒度和分布,形状,团聚程度和粒子组成程度与特定应用。控制这些质量使您可以在各种应用中提高纳米颗粒的性能,包括磁数据存储,生物成像,催化和环境清理。sol-gel [9],共沉淀[10],微乳液[11]和其他流行的方法,它们具有其优点和局限性。
经过半个世纪的微型化,微电子技术面临着两大问题,即缩小尺寸极限和能耗。为了克服这些挑战,新策略的探索包括寻找新材料、新物理和新架构。在此背景下,量子材料引起了广泛关注。特别是,作为一类广泛的量子材料的莫特绝缘体,根据传统的能带理论预计是金属的,但由于现场电子-电子排斥而具有绝缘性。在这样的系统中,电子掺杂或外部压力可能会驱动绝缘体到金属的转变 (IMT),并导致高 Tc 超导或巨磁电阻等显著特性。在过去的几十年里,莫特绝缘体中的填充或带宽控制 IMT(即莫特转变)一直是基础研究的热门话题 [1]。然而,由于一个非常简单的原因,这些 IMT 在应用中的使用仍然相当稀少。事实上,在实际设备中,压力或掺杂并不是容易控制的参数。我们 IMN 的研究小组证明,电场是破坏莫特绝缘状态并诱导绝缘体向金属转变的有效参数 [2]。我们首先证明了单晶上的非挥发性和可逆性转换,并进一步在多晶薄层上验证了莫特绝缘体家族的几个成员的转换 [3]。这种现象被称为“电莫特转变”(EMT),在微电子应用方面前景广阔,并可能为基于莫特绝缘体的新型电子器件打开大门,称为 Mottronics [4]。进一步的研究表明,这种 EMT 是由大量热电子的产生引起的,导致丝状导电路径内发生电子雪崩 [5]。我们证明了这种机制正在驱动具有不同化学成分的多种莫特绝缘体中的 EMT,例如硫族化物 AM 4 Q 8(A=Ga、Ge;M=Nb、V、Ta、Mo;Q=S、Se、Te)和 Ni(S、Se) 2、氧化物 (V 1-x Cr x ) 2 O 3 和分子系统 Au(Et-thiazdt) 2 [6]。非挥发性 EMT 的特性适合于信息存储:“莫特存储器”与基于金属氧化物 (OxRAM) 或相变材料 (PCRAM) 的 ReRAM 相比显示出明显的优势 [7]。此外,我们还表明,受到一连串电脉冲作用的莫特绝缘体可能基于挥发性 EMT 表现出泄漏集成和起火行为。因此,莫特绝缘体可以复制人类大脑中神经元的主要功能,这使得它们可能适合构建人工神经元和硬件人工神经网络 [8]。一个有趣的颠覆性解决方案确实是用节能的人工神经元和突触“硬件”网络(即基于莫特绝缘体的构建块)取代能源密集型的软件网络。从长远来看,我们最近基于超快激光的研究表明,在基于 Mott 绝缘体的电光或全光设备中,可以实现皮秒范围内的最终切换时间 [9]。本演讲将首先回顾电 Mott 跃迁以及此特性所实现的新功能。然后,它将介绍一些 Mottronics 设备的示例,特别是用于数据存储和人工智能应用的示例。