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World File Search System罗布尔
巴恩斯特布尔镇 2002 年度报告
前排： ROYDEN RICHARDSON，第 4 选区；GARY BROWN，第 8 选区；GARY BLAZIS，主席，第 10 选区；RICHARD CLARK，第 1 选区，后排：GREGORY MILNE，第 9 选区；RICHARD ELRICK，第 2 选区；CARL RIEDELL，第 5 选区；JANET JOAKIM，第 6 选区；AUDREY LOUGHNANE，第 11 选区；RICHARD BARRY，第 7 选区； ROBERT JONES，副总统，第 3 选区 David Hansen，摄影 封面： Mercy Otis Warren，W.，马萨诸塞州巴恩斯特布尔 Iyanough，（Iyanno，Iannis）雕像 爱国者，诗人，历史学家，自由捍卫者 Mattachiest 部落的酋长 倡导者 – 权利法案，1728-1814 马萨诸塞州巴恩斯特布尔 Cummaquid – 约 1620 年 雕像 – 巴恩斯特布尔高等法院 雕像 – 海恩尼斯大街 雕塑家：David Lewis 雕塑家：David Lewis James Otis Jr.，W. 马萨诸塞州巴恩斯特布尔 消防员纪念碑 革命爱国者，1725-1783 森特维尔消防局倡导者，演说家，政治家 马萨诸塞州森特维尔 雕像 – 巴恩斯特布尔高等法院 揭幕 – 2002 年 10 月 10 日雕塑家：大卫·刘易斯 雕塑家：大卫·刘易斯
格勒诺布尔尼尔学院
半导体中单个磁性原子的自旋光子接口 总体范围：半导体中的单个自旋对量子信息技术的发展大有裨益。由于其期待已久的相干时间，单个缺陷上的局部自旋是量子信息存储的首选介质，而半导体平台提供了有趣的集成前景。对于充当量子节点的局部自旋的长距离耦合，需要自旋光子接口。这些接口通常基于特定的光学选择规则。对于非光学活性磁性杂质，可以通过它们与半导体载体的交换相互作用实现光学接口。这已在插入半导体量子点 (QD) 的过渡金属元素 (Mn、Cr、Co、Fe 等) 中得到证实。这些磁性元素提供了广泛的局部电子自旋、核自旋和轨道矩选择。 研究主题和可用设施：我们旨在利用 QD 的光学特性来探测和控制嵌入式磁性原子的耦合电子和核自旋的相干动力学。我们将结合射频 (RF) 激发和共振荧光，对单个自旋进行相干控制和探测。实习将专注于开发共振荧光实验，以检测无应变 QD 中 Mn 原子耦合电子和核自旋的磁共振。我们还将开始模拟微柱腔中共振驱动磁性 QD 的光信号自旋诱导波动，这是未来正在开发的自旋光子器件尺寸确定的必要步骤。我们将分析连续共振光学读出下的量子动力学，以展示量子芝诺效应如何有助于增加此类系统中量子信息的存储时间。与我们的合作伙伴合作，我们还将研究具有较大自旋应变耦合的磁性离子 (Cr 2+ 、Co 2+ )，这些离子可以通过表面声波的应变场进行相干控制。我们将致力于模拟局部应变分布对点磁光光谱的影响，以估计它们的自旋应变耦合。实验将在配备磁光低温恒温器（1.5 K、9T/2T 磁体、光学和射频接入）、可调单模和脉冲（ps）激光器（用于共振光激发）和高分辨率光谱仪（用于检测）的微型光谱设备上进行。参考文献：L. Besombes 等人，Phys. Rev. B 107, 235305 (2023) ；V. Tiwari 等人，Phys. Rev. B 106, 045308 (2022) ；V. Tiwari 等人，Phys. Rev. B Letter 104, L041301 (2021) 。可能的合作和交流：这项工作将在 NanoPhysique et Semi-Conducteurs 小组（NPSC，法国国家科学研究院/尼尔研究所和 CEA/IRIG 与筑波大学和华沙大学合作，对部分样品进行了培养。 是否可继续攻读博士学位：是 所需技能：硕士 2（或同等学历），具备固体物理学（电、光、磁特性）、量子力学、光学、光物质相互作用方面的丰富知识。 开始日期：2024 年 3 月（灵活） 联系人：L. Besombes，尼尔研究所，电话：0456387158，电子邮件：lucien.besombes@neel.cnrs.fr 更多信息：http://neel.cnrs.fr
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杜尔加布尔国立科技学院
项目部门专业注册。编号 学号 姓名 性别 类别 州 M.Tech-BT 生物技术 生物技术 22P10091 22BT4101 RAJDIP BISWAS M SC 西孟加拉邦 M.Tech-BT 生物技术 生物技术 22P10107 22BT4102 MAHESWAR RAM SM OPEN 泰米尔纳德邦 M.Tech-BT 生物技术 生物技术 22P10179 22BT4103 SAYANI GHOSH F OPEN 西孟加拉邦 M.Tech-BT 生物技术 生物技术 22P10184 22BT4104 TIYASA BHUNIYA F OPEN 西孟加拉邦 M.Tech-BT 生物技术 生物技术 22P10190 22BT4105 NILANJAN PAUL M OPEN 西孟加拉邦 M.Tech-BT 生物技术 生物技术 22P10196 22BT4106 PIU DAS F OPEN 西孟加拉邦 M.Tech-BT 生物技术 生物技术 22P10240 22BT4107 INDRANI CHELL F OBC 西孟加拉邦 M.Tech-BT 生物技术 生物技术 22P10256 22BT4108 MAHIBALAN TM SC 泰米尔纳德邦 M.Tech-BT 生物技术 生物技术 22P10261 22BT4109 SEEMA MEHTO F OPEN 德里 M.Tech-BT 生物技术 生物技术 22P10342 22BT4110 PRINCE KUMAR TIWARI M GEN-EWS 北方邦M.Tech-BT 生物技术 生物技术 22P10349 22BT4111 KUNALIKA MHF OPEN 卡纳塔克邦 M.Tech-BT 生物技术 生物技术 22P10350 22BT4112 ABHISHEK KUMAR M OBC 比哈尔邦 M.tech-CE 土木工程 结构工程 22P10100 22CE4103 AVINASH SINGH M GEN-EWS 北方邦 M.tech-CE 土木工程 结构工程 22P10131 22CE4104 EKAMBARAM TADUKU M SC 安得拉邦 M.tech-CE 土木工程 结构工程 22P10134 22CE4105 SOUMYAJIT GHOSH M OPEN 西孟加拉邦 M.tech-CE 土木工程 结构工程 22P10143 22CE4107 ANJUNUR RAHMAN M OPEN 阿萨姆邦 M.tech-CE 土木工程 结构工程 22P10148 22CE4108 RAHUL KARMAKAR M SC 西孟加拉邦 M.tech-CE 土木工程 结构工程 22P10151 22CE4109 RRISHABH BHUSHAN HARIVEDI M SC 德里 M.tech-CE 土木工程 结构工程 22P10154 22CE4110 RAVI PRATAP SINGH M OPEN 北方邦M.tech-CE 土木工程 结构工程 22P10168 22CE4111 SRIJAN KUNDU M OPEN 西孟加拉邦 M.tech-CE 土木工程 结构工程 22P10194 22CE4113 BIKASH BEHERA M OBC 奥里萨邦 M.tech-CE 土木工程 结构工程 22P10213 22CE4114 SUBHASHISH PRASAD M OBC 贾坎德邦 M.tech-CE 土木工程 结构工程 22P10293 22CE4117 BIKRANT KUMAR YADAV M FS 其他 M.tech-CE 土木工程 结构工程22P10301 22CE4118 ADARSH KUMAR M OBC 安得拉邦 M.tech-CE 土木工程 结构工程 22P10309 22CE4119 BRIJESH CHAUHAN M OBC 北方邦 M.tech-CE 土木工程 结构工程 22P10318 22CE4121 ANCHAL PARIHAR F OPEN 北方邦 M.tech-CE 土木工程 结构工程 22P10338 22CE4123 BALLE VENKATA SATYANARAYANA M GEN-EWS 安得拉邦 M.tech-CE 土木工程 结构工程 22P10345 22CE4124 SHIKHA F OPEN Bihar M.tech-CE 土木工程结构工程 22P10353 22CE4125 SAMBARATHI PAVANKALYAN M OBC Telangana M.tech-CE 土木工程结构工程 22P10356 22CE4126 AMIN RAZA M OBC Jharkhand M.tech-CE 土木工程 岩土工程 22P10176 22CE4201 ANAND RAJ M OBC Bihar M.tech-CE 土木工程 岩土工程 22P10094 22CE4202 KESHAV KUMAR SINGH M OBC Bihar M.tech-CE 土木工程 岩土工程 22P10211 22CE4203 NIJEE PRIYA F OBC Bihar
乌代布尔科技工程学院
1 Chinmay Jain Gen Ankur Jain RJ Jee（Mains）289454 2 Krishnapal Singh Rathore Ews Virendra Singh Rathore RJ Jee（Mains）420978 3 Divisha soni soni gen gen manish soni soni soni soni soni soni rj jee（Mains）494881 4 vedik vyas vyas bhases jee jee 7 jee 7 sc Appu Lal Sargara RJ Jee（Mains）762941 6 Sonu Sharma EWS Ashok Kumar Sharma RJ Jee（Mains）775550 7 Vinit Gandharav SC Sanjay Kumar Gandharav gandharav rj Jee（Mains） EWS Dharmendra Singh RJ 12th PCB 10 11 Krishna Kumawat OBC-NCL 12 届 Sampat Ram RJ 12 届 AG 12 Rizwan Ansari OBC-NCL 13 Rudra Dhabhai OBC-NCL 14 Yogesh Dhabhai RJ 12 届 PCM
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具有量子布尔函数的随机网络
摘要：我们提出了量子布尔网络，它可以归类为确定性可逆异步布尔网络。该模型基于先前开发的量子布尔函数概念。量子布尔网络是一种布尔网络，其中与节点相关的函数是量子布尔函数。我们研究了这个新模型的一些特性，并使用量子模拟器研究了网络连接函数和我们允许的运算符集的动态变化。对于某些配置，该模型类似于可逆布尔网络的行为，而对于其他配置，可能会出现更复杂的动态。例如，观察到大于 2 N 的循环。此外，使用类似于以前用于随机布尔网络的方案，我们计算了网络的平均熵和复杂度。与经典的随机布尔网络（其中“复杂”动态主要局限于接近相变的连通性）相反，量子布尔网络可以表现出稳定、复杂和不稳定的动态，而与其连通性无关。
格勒诺布尔圣马可教堂
我们的位置 格勒诺布尔市位于法国东南部，阿尔卑斯山边缘。该市及其周边地区约有 40 万居民。在过去的几十年里，人口增长了数倍，而且该市很大一部分居民并非出生在这里。平均年龄为 37 岁。越来越多的寻求庇护者（其中许多是英语使用者）来到格勒诺布尔，因为这里以热情好客而闻名。格勒诺布尔是继巴黎之后法国第二大重要研究基地，也是欧洲最重要的科学和技术中心之一，在微电子、计算机科学、工程、核研究、水力学、材料科学、化学和造纸等领域都占有一席之地。惠普、卡特彼勒、施耐德电气和意法半导体等国际公司都位于该市及其周边地区。许多小公司都位于梅朗-蒙邦诺“硅谷”（Inovallée）。
位于密歇根州塞布尔港
港口特征 位于休伦湖西岸，萨吉诺湾东北侧奥塞布尔角以北 8 英里处 授权：1945 年 3 月 2 日《河流与港口法》 浅吃水休闲港口 入口航道项目深度为 12 英尺，内航道项目深度为 10 英尺 维护的联邦航道长约 3,000 英尺 维护的码头和防波堤长超过 2,000 英尺 疏浚物沿海滩放置，作为
艾哈迈布尔的出版清单
4。Razi，Reza；哈哈，哈立德；艾哈迈德（Ahmad） Mehrasa，Majid；巴查，塞迪克； Gholami，Mehrdad； Labonne，Antoine； Turker，Harun，“考虑到电池健康状况的插件电动汽车的智能充电的预测性两阶段用户中心算法”，IEEE运输电气化交易（2023）。Razi，Reza；哈哈，哈立德；艾哈迈德（Ahmad） Mehrasa，Majid；巴查，塞迪克； Gholami，Mehrdad； Labonne，Antoine； Turker，Harun，“考虑到电池健康状况的插件电动汽车的智能充电的预测性两阶段用户中心算法”，IEEE运输电气化交易（2023）。