描述 IRS21867 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固的单片结构。低 VCC 操作允许在电池供电应用中使用。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度地减少驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT,工作电压高达 600V。
ISL8560 是一款降压 DC/DC 电源开关稳压器,可接受 9V 至 60V 输入,并提供高达 2A 的输出电流。输出电压可通过外部电阻分压器设置在 1.21V 至 35V 之间。该器件使用内部功率 DMOS 晶体管,典型 r DS(ON) 为 0.19 ,可获得极高的效率和高开关速度。可实现 100kHz 至 600kHz 范围内的开关频率(必须注意各种封装的最大功耗)。这款下一代 DC/DC 转换器的显著特点包括脉冲逐脉冲电流限制(用于 FET 保护)、间歇模式短路保护、电压前馈、频率 SYNC、软启动、禁用状态下典型 60µA 的低待机电流以及热关断。该器件采用 20 Ld QFN 封装。
具有极快响应时间的爆炸能量转换材料在能源、医疗、国防和采矿领域有着广泛且日益增长的应用。对该领域潜在机制的研究和新候选材料的搜索非常有限,以至于环境不友好的 Pb(Zr,Ti)O 3 在半个世纪后仍然占主导地位。在这里,我们报告了一种以前未被发现的无铅 (Ag 0.935 K 0.065 )NbO 3 材料的发现,该材料具有创纪录的高能量存储密度 5.401 J/g,可在 1.8 微秒内实现约 22 A 的脉冲电流。它还表现出高达 150°C 的优异温度稳定性。各种现场实验和理论研究表明,这种爆炸能量转换的潜在机制可以归因于压力引起的八面体倾斜变化,从 a − a − c + 到 a − a − c − / a − a − c +,这与不可逆的压力驱动铁电-反铁电相变一致。这项工作为 Pb(Zr,Ti)O 3 提供了一种高性能替代品,也为进一步开发用于爆炸能量转换的新材料和设备提供了指导。
上述外壳尺寸为典型尺寸。具体尺寸取决于订单数量。 9. ! 注意 9-1.浪涌电流 施加到产品上的浪涌电流(脉冲电流或冲击电流)超过规定的额定电流可能会导致严重故障,例如开路、因温度过高而烧毁。如果施加浪涌电流,请提前联系我们。 9-2. 应用限制 在将我们的产品用于下列需要特别高可靠性的用途之前,请与我们联系,以防止可能直接对第三方的生命、身体或财产造成损害的缺陷。 (1)飞机设备 (2)航空航天设备 (3)海底设备 (4)发电厂控制设备 (5)医疗设备 (6)防灾/防盗设备 (7)交通信号设备 (8)运输设备(汽车、火车、轮船等) (9)数据处理设备 (10)与上述用途具有相似复杂性和/或可靠性要求的用途 10. 注意事项 本产品设计为焊接安装。如需使用导电粘合剂等其他安装方法,请提前咨询我们。 10-1. 焊盘图案设计 标准焊盘尺寸(流动和回流焊接) 焊接 a b c
摘要:放电等离子烧结(SPS),也称为脉冲电流烧结(PECS)或场辅助烧结技术(FAST),是一种在中等单轴压力(最大 0.15 GPa)和高温(高达 2500 °C)下烧结粉末的技术。与传统工艺相比,它可以在更低的烧结温度和更短的加工时间内实现陶瓷或金属粉末的完全致密化,为纳米材料致密化开辟了新的可能性,因此在过去几年中得到了广泛的应用。最近,通过将 SPS 与高压(高达 ~10 GPa)结合起来,出现了新的机遇。目前,一个广阔的令人兴奋的学术研究领域正在使用高压 SPS(HP-SPS)来调节烧结的各种参数,如晶粒生长、结构稳定性和化学反应性,从而实现亚稳态或难烧结材料的完全致密化。本综述总结了 HP-SPS 对烧结多种先进功能材料的各种好处。它介绍了各种 HP-SPS 技术的最新研究成果,特别强调了它们的相关计量学及其获得的主要突出成果。最后,在最后一节中,本综述列出了一些关于当前挑战和未来方向的观点,HP-SPS 领域在未来几年可能会取得重大突破。
选择性5-羟色胺再摄取抑制剂(SSRI)用于一线治疗抑郁症,并在心理药理学方面取得了重大治疗进展。治疗原则是抑制神经递质再摄取。通过阻断长5-羟色胺前再摄取泵,在体体自身受体和轴突中,它们会增加5-羟色胺效应。首先,5-羟色胺水平仅在体育区域上升。随着水平的增加,神经元脉冲电流增加,轴突末端刺激5-羟色胺释放。因此,突触裂隙中的5-羟色胺浓度增加。所有SSRI都是5-羟色胺激动剂。人脑中含有5-羟色胺的神经元在脑干和脊髓中高度局限。这些神经元将其轴突发送到大脑每个区域中含有5-羟色胺的末端。因此,脑部脑部在关键的大脑区域增加。由于这种分布,5-羟色胺神经元的功能障碍与许多疾病有关。因此,5-羟色胺活性药物可以具有许多临床作用。除了抑郁症外,SSRI还用于治疗焦虑症,疼痛障碍,恐慌症,强迫症,酒精中毒,肥胖和偏头痛。有人建议5-羟色胺还调节多巴胺 - 甲肾上腺素和GABA之间的稳态。SSRI是高亲脂性分子,并积聚在富含脂肪的组织(例如CNS细胞)中。它们主要由细胞色素P-450酶系统在肝脏中代谢。SSRI用于防止VM攻击。但是,关于VM预防的功效的数据不足。
搜索表现出非偏射运输的超导系统,并且通常是二极管效应,近年来已经增殖。这种趋势包括各种系统,包括平面杂交结构,不对称鱿鱼和某些非中心对称超导体。这种系统的一个共同特征是一种陀螺对称性,以不同的尺度实现,并以极性vector的形式进行了特征。随着时间逆转对称性的破坏,极轴的存在允许磁电效应,当与接近性诱导的超导二极管结合时,这会导致自发的非脉冲电流,从而支持超导二极管效应。通过建立这种对称性,我们提出了一项全面的理论研究,该研究是在约瑟夫森结的侧面结合,由正常的金属支撑旋转霍尔效应组成,并附着在铁磁绝缘子上。由于后者的存在,磁电效应会产生,而无需外部磁场。我们确定异常电流对自旋松弛长度和旋转三位型通常用于表征金属和铁磁绝缘子之间的相互作用的转运参数的依赖性。因此,我们的理论自然会在具有经典的旋转效果的超导系统中统一非转化转运,例如自旋霍尔效应,自旋电流效应和自旋霍尔磁磁性。我们提出了一个实验,涉及在正常状态和超导状态下非偏置转运的磁阻的测量。一方面,此类实验将允许确定模型的参数,从而以更高的精度验证正常系统中磁电效应的理论。另一方面,它将有助于更深入地了解确定这些参数的基本微型起源。
影响锂离子电池能量转移的因素之一是内部电阻。这种内部电阻是由于电化学材料及其离子成分的电阻率而发生的。同时,电池的内部电阻受温度及其充电状态等多种因素的影响。为了保持电池健康并防止快速降解,应避免在高温下使用电池。在这种关系中,涉及电池内部电阻的研究主要在理想的温度范围内进行。这使得高温下内部电阻的数据稀缺和不足。因此,此内部电阻数据是预测电池温度的重要关键组件。高温下良好的内部电阻数据可以有助于更准确的电池温度预测。这项研究的目的是通过实验在广泛的温度下为LI-MNC电池提供内部电阻数据。在这项研究中,通过高电流放电方法升高了40AH的锂离子锰 - 尼克果(LI-MNC)电池的温度。使用的排放电流为120a(3c)和160a(4C)。排放温度从26°C到80°C进行。内部电阻将从测得的电压响应时,当1C(40a)脉冲电流流动流过电池时。结果表明,随着温度的升高,内部电阻的值降低。同时,降低速率下降,直到在高温范围内几乎恒定直至达到80°C。这项研究的目的是在高达80°C的广泛温度范围内提供电池内电阻的数据。此信息对于开发可以预测电池性能和温度的精确电池电热模型很重要。在此扩展方面,此信息将有助于开发更好的电池管理系统,以确保良好的电池使用和安全性。
高温燃料的快速发展对于部署核热推进(NTP)系统至关重要。NTP使用核反应堆将流动的氢气流到> 2000 K,提供了高脉冲推进,大约是化学火箭的能力的两倍。但是,两种由美国平民舰队运营的燃料形式,而历史方法的其他燃料与当前的绩效和运营安全要求不相容。一种称为Tristructral各向同性(TRISO)的替代燃料形式可以满足这些要求。Triso颗粒每个都包含一个可裂变的微球(例如uo 2),由热解碳(PYC),SIC和PYC三重涂层。相应的PYC和SIC“壳”为每个制造的Triso颗粒(〜1 mm)提供裂变产物(FP)遏制系统和压力容器。具体而言,已证明了辐照的Triso颗粒中的FP遏制(1,2),代表了“基于材料的”工程控制,以实现操作安全性。从2011年开始,Triso颗粒的合并是通过在烧结的SIC矩阵中随机堆积进行的。SIC矩阵有效地替换了HTGR中发现的典型石墨。SIC表现出次要的FP障碍,以及其他不同的燃料效果。SIC被氧化物添加剂烧结(3)。使用这种类型的方法,也称为纳米浸润瞬态共晶(nite)SIC,在没有损坏Triso颗粒的情况下进行整合。通常,需要低温和施加压力(约1850°C,20 MPa)以防止Triso损坏。这种方法类似于仔细的基质巩固,以防止复合烧结中的纤维损坏。Nite SIC是已知辐射稳定的少数SIC材料之一。(4)此外,使用脉冲电流烧结(PECS)轴承轴轴轴承堆叠的TRISO颗粒阵列验证了零破裂FCM燃料的工业可行性方法。最近,在2000K的热氢条件下,Benensky等人(5)在2000K的热氢条件下进行了氢测试,显示出相对较高的质量损失动力学和氧化物晶界边界相的浸出。目前尚不清楚Nite SIC的其他变体是否具有相同的局限性。其他碳化物(例如ZRC)的稳定性通过数量级和2000k以上的稳定性提高。