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World File Search System自对准
自对准氧化铜钝化层——可靠性影响研究
用电迁移应力法研究了具有自对准氧化铜钝化层的等离子刻蚀铜线的可靠性。通过等离子氧化制备氧化钝化层，覆盖整个裸露的铜线，防止环境条件下表面氧化。空洞的形成和生长过程反映了线路断线机理。用光学显微镜监测了由晶界耗尽和晶粒变薄形成的空洞，测量了线路故障时间与线宽和电流密度的关系。增加氧化钝化层会缩短寿命，因为传热和铜扩散不良会加速空洞的形成和生长。窄线比宽线具有更长的寿命，因为晶界较少，可供磁通发散形成空洞
量子点自对准介电微球的光子喷射写入
量子点 (QDs) 能够产生非经典光态，是实现量子信息技术的非常有希望的候选者。然而，这些技术所要求的高光子收集效率可能无法达到嵌入在高折射率介质中的“独立”半导体 QD。本文介绍了一种新颖的激光写入技术，能够直接制造与电介质微球自对准的 QD（精度为 ± 30 纳米）。当使用 0.7 数值孔径的物镜时，微球的存在可使 QD 发光收集增强 7.3±0.7 倍。该技术利用激光破坏 GaAs 1-xNx:H 中 N-H 键的可能性，获得低带隙材料 GaAs 1-xNx。微球沉积在 GaAs 1 − x N x :H/GaAs 量子阱的顶部，用于产生光子纳米喷射，该光子纳米喷射可精确去除微球下方的氢，从而在距样品表面预定距离处创建 GaAs 1 − x N x QD。二阶自相关测量证实了使用此技术获得的 QD 发射单光子的能力。
自下而上制造和表征用于电子应用的自对准栅极堆叠_最终版
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数据表轻型 Ku 波段 Driveaway VSAT 系统
轻型车载卫星天线是便携式、自对准卫星通信平台。该系统可以永久安装在车辆和其他可移动工作平台上，或与滑轨支架一起使用并放置在地面或其他表面上。部署非常简单，只需提供电源、连接电缆并按下“搜索”按钮即可，非常适合政府和军事机构使用，
采用磁控溅射层间电介质直接形成 n+ 工艺，用于自对准共面氧化铟镓锌薄膜晶体管
具有交错结构（例如蚀刻停止 (ES) 和背沟道蚀刻 (BCE) 结构）的铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 已被证明可用作平板显示器中的电路器件 [1,2]。然而，由于栅极和源/漏极 (S/D) 电极之间的重叠，这些交错结构器件不可避免地具有较大的寄生电容，从而导致 TFT 器件的工作速度较低。自对准 (SA) 共面结构是克服该寄生电容问题的一种有前途的解决方案 [3]。形成导电的 n + -IGZO 以获得有源 S/D 区和 S/D 电极之间的欧姆接触是 SA 共面器件的重要工艺。已经提出了许多用于该工艺的方法，并且制备的 IGZO 器件具有良好的性能。通常使用等离子体处理（Ar、H2 等）[4,5] 和深紫外（DUV）照射 [6] 。然而，这些解决方案需要一个额外的步骤，如图 1a 所示，这会导致额外的工艺成本。在 SiO2 栅极绝缘体（GI）过蚀刻期间形成 n + -IGZO 是一种简单的方法 [7,8]。然而，当 GI 蚀刻等离子体可以蚀刻 IGZO 薄膜时，这种方法并不适用。最近，已经证明通过简单地涂覆有机层间电介质（ILD）可以形成 n + -IGZO 区域，并且获得了 24 Ω·cm 的沟道宽度归一化 S/D 串联电阻（R SD W）[9]。本报告展示了在 ILD 沉积过程中形成 n + -IGZO 区域的可能性。基于这个想法，其他制造低 R SD W SA 共面 IGZO TFT 的新方法值得研究。在这项工作中，我们使用磁控溅射工艺沉积 SiO x ILD 并同时为 SA 共面 IGZO TFT 形成 n + -IGZO 区域。这样，ILD 沉积和 n + 形成可以合并为一个步骤，如图 1b 所示。制造的器件具有相当低的 R SD W 。降低 IGZO 薄膜的机制
Domino DDC3
凭借无与伦比的可靠性，新型 DDC3 的开发旨在消除计划外停机。它采用了 Domino 独有的密封 CO 2 激光管，由公司内部设计和制造，并在全球生产线上得到验证。这种风冷编码系统无需移动部件或消耗品即可运行，确保几乎无需维护即可进行编码。它采用全新的先进电源技术，可实现更凉爽的运行和终极系统可靠性。IP56/NEMA4 控制柜可抵御最极端的工作环境，而远程激光头则具有抗冲击性，并采用新型自对准光学元件，可消除耗时的调整。
多层烧结工艺提高微型齿轮壁厚均匀性
摘要：电铸层厚度不均匀性是制约电铸微金属器件发展的瓶颈问题。微齿轮是各类微器件的关键元件，本文提出了一种提高其厚度均匀性的新制备方法。通过仿真分析研究了光刻胶厚度对均匀性的影响，结果表明随着光刻胶厚度的增加，电流密度的边缘效应减小，电铸齿轮的厚度不均匀性会减小。与传统的一步正面光刻和电铸方法不同，该方法采用多步自对准光刻和电铸工艺制备微齿轮结构，在交替光刻和电铸过程中间歇地保持光刻胶厚度的降低。实验结果表明，该方法制备的微齿轮厚度均匀性比传统方法提高了45.7%。同时，齿轮结构中部区域的粗糙度降低了17.4%。
使用 AI/AS 1610 Gemini 配置使样品吞吐量翻倍
AI/AS 1610 Gemini：简单的配置路径 硬件设置在 Gemini 配置中，无论操作模式如何，两个自动采样器都通过专用安装支架放置在前后进样器上，该支架可快速轻松地滑入安装，并在进样口和样品瓶上进行自对准。通过每个自动采样器和 GC 系统之间的单电缆连接进行电源、通信和握手，进一步简化了设置。无论是单塔配置还是 Gemini 配置，AI/AS 1610 自动采样器的设计都允许轻松访问进样口，从而方便维护操作。这是通过滑动支架实现的，可轻松将塔从进样器移开（图 3）。
硅凹陷迹线的制造和建模……
长期植入的神经微电极是神经科学研究和新兴临床应用的有力工具，但由于它们在体内数月后容易失效，因此其实用性受到限制。一种失效模式是保护导电迹线免受盐水环境影响的绝缘材料的降解。研究表明，机械应力会加速材料降解，而机械应力往往集中在凸起的地形上，例如导电迹线。因此，为了避免凸起的地形，我们开发了一种制造技术，将迹线凹进（埋入）干蚀刻、自对准沟槽中。沟槽的深度和迹线的厚度相匹配，以使上覆的绝缘材料平坦，根据有限元建模，这可以降低绝缘材料中的应力集中。在这里，我们详细介绍了工艺优化、固有应力建模以及使用 SEM、聚焦离子束横截面、轮廓测量和电化学阻抗测试进行表征。该技术不需要额外的掩模，易于与现有工艺集成，并产生约 10 纳米内的平整度。