XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System自旋
实际的A位点GD掺入NDFEO3钙钛矿晶格中，以诱导自旋应用的磁顺序过渡
在这里，我们研究了掺杂（X = 0、0.05和0.1）氧化二聚体（X = 0、0.05和0.1）的结构和磁性能的影响，该氧化物（NDFEO₃）纳米颗粒通过慢速溶液燃烧技术合成。X-射线衍射（XRD）分析证实了带有空间群PBNM的原晶晶体结构（JCPDS卡No。25 - 1149），并且随着GD掺杂浓度的增加，结晶石的尺寸从52 nm降至32 nm。场发射扫描电子显微镜（FESEM）揭示了具有一致粒径的良好组织和团聚的纳米颗粒。使用squid磁力计对所有样品的铁磁特征进行了磁性测量，随着GD掺杂浓度的增加，磁矩的增加。滞后曲线显示出雷神磁化的增加，并且凝固性从0.7 t增加到0.4 t。这些发现表明，GD掺杂的NDFEO纳米颗粒具有增强的磁矩和降低的凝聚力，降低了渗透率，对纺纱应用的潜力持有。
光学自旋初始化和读数，并在平面磁场中使用腔耦合量子点
耦合到光腔的带电半导体量子点（QD）的自旋是高限制自旋 - 光子接口的有前途的候选者；腔体有选择地修饰光学跃迁的衰减速率，以便在单个磁场几何形状中可以旋转初始化，操纵和读数。通过执行空腔QED计算，我们表明具有单个线性极化模式的空腔可以同时支持高实现的光学自旋初始化和读数，并在单个平面内（VOIGT几何学）磁场中同时支持。此外，我们证明了单模型腔始终在实验性良好的驾驶方案中胜过双峰腔。我们的分析与VOIGT几何形状结合了既定的控制方法，为高实现初始化和读数提供了最佳参数制度，并在两种腔体配置中提供了一致的控制，并为QD Spin-Photone Interface的设计和开发提供了QD Spin-Phot-Phot-Phot-Phot-Phot-Phot-Phot-Photone Interface的洞察力。
从随机自旋链到量子 Kardar-Parisi-......
随机幺正动力学是量子力学中描述系统与环境或外部场相互作用演化的一种有效方式。 其最初想法由 Caldeira 和 Leggett 提出，用于研究自旋集合与玻色子浴相互作用的有效动力学 [1]。 由于与未知自由度的相互作用引起的涨落和耗散，此类系统的性质预计会与孤立系统有明显不同。 随机幺正动力学也可用于理论研究量子混沌系统的典型和普遍行为。 因此，这类研究最近重新焕发了活力，特别是在随机幺正电路 [2-9] 以及传统多体系统 [10-16] 的背景下。通过增加随机性，这些系统应该会失去其与特殊性有关的优良性质，例如守恒定律，从而允许出现一般性质。这些包括纠缠的产生 [ 2 , 4 , 17 – 24 ]、信息的扰乱 [ 3 , 6 , 25 , 26 ] 或在收敛到热或非平衡稳态的系统中算符的扩展 [ 5 , 7 , 8 ]。特别是在一些量子随机模型 [ 4 , 14 , 15 , 19 ] 中，有人认为纠缠熵的增长和涨落受 Kardar-Parisi-Zhang (KPZ) 方程 [ 27 – 33 ] 支配。随机共形场论中纠缠增长的大偏差涨落也被证明属于 KPZ 类 [ 34 ]。最近，在超扩散非随机自旋链模型 [ 35 – 38 ] 中，还发现了 KPZ 方程的一些标度特征，这些特征与自旋-自旋关联函数的长期衰减有关。KPZ 类行为在量子多体系统中的普遍性程度仍是一个悬而未决的问题。
优化新型工业半导体自旋量子比特装置中的自旋量子比特控制项目描述：
工业半导体制造已经能够生产具有数十亿至数万亿个晶体管的传统处理器。有趣的是，半导体量子点器件中的量子比特与经典晶体管结构有许多相似之处。利用工业制造技术生产大规模半导体自旋量子比特处理器使半导体量子比特平台成为实现通用量子计算最有希望的候选平台之一。
英特尔新芯片将推动硅自旋量子比特研究，助力量子计算
桑迪亚国家实验室杰出技术人员 Dwight Luhman 博士表示：“桑迪亚国家实验室很高兴成为 Tunnel Falls 芯片的接收者。该设备是一个灵活的平台，使桑迪亚的量子研究人员能够直接比较不同的量子比特编码并开发新的量子比特操作模式，这在以前是不可能做到的。这种复杂程度使我们能够在多量子比特范围内创新新的量子操作和算法，并加快我们在硅基量子系统中的学习速度。Tunnel Falls 的预期可靠性还将使桑迪亚能够快速入职并培训从事硅量子比特技术的新员工。”
使用来自质子-质子碰撞的轻子+喷流事件（在 sqrt(s) = 13 TeV）测量极化和自旋关联并观察顶夸克对中的纠缠
使用单个电子或μ子事件和终态喷流来测量顶夸克对 (tt) 的极化和自旋关联。测量基于 CMS 实验在√ s = 13 TeV 下收集的 LHC 质子-质子碰撞数据，对应于积分光度 138 fb − 1 。通过对数据进行分箱似然拟合，同时提取极化矢量和自旋关联矩阵的所有系数。测量是全面进行的，并包含其他可观测量，例如 tt 系统的质量和 tt 静止框架中的顶夸克散射角。测得的极化和自旋关联与标准模型一致。从测得的自旋关联，应用佩雷斯-霍罗德基标准得出关于 tt 自旋纠缠的结论。标准模型预测在生产阈值和 tt 系统高质量时 tt 态的纠缠自旋。这是首次在高 tt 质量事件中观察到纠缠，其中大部分 tt 衰变是空间分离的，预期和观察到的显著性均高于 5 个标准差。
自旋图中量子纠缠的产生及其鲁棒性
摘要 纠缠是量子信息处理的关键资源，因此需要在各种硬件平台上生成高保真度纠缠态的协议。虽然自旋链已被广泛研究以产生纠缠，但图结构也具有这种潜力；然而，只有几类图被用于这项特定任务。在本文中，我们将一种涉及两种不同耦合强度的特殊耦合方案应用于两个互连的 3×3 方图的图，使得它实际上包含三个缺陷。我们展示了这种结构如何生成贝尔态，其保真度取决于所选的耦合比。我们应用分区图论来降低图的维数，并表明，使用简化图或简化链，我们仍然可以模拟具有相同动态的相同协议。最后，我们研究了制造误差如何影响纠缠生成协议以及不同的等效结构如何受到影响，发现对于某些特定的耦合比，它们非常稳健。
自旋三重态超导体候选材料 CeRh2As2 中的准二维反铁磁自旋涨落
四方重费米子超导体 CeRh2As2 (Tc=0.3K) 对 Bkc 表现出 14T 的极高临界场。它在超导态之间经历场驱动的一级相变，可能从自旋单重态转变为自旋三重态超导。为了进一步了解这些超导态和磁性的作用，我们利用中子散射探测 CeRh2As2 中的自旋涨落。我们发现动态 ðπ；πÞ 反铁磁 (AFM) 自旋关联具有各向异性的准二维关联体积。我们的数据将相应 N'eel 级的交错磁化强度的上限设置为 0.31μB，T=0.08K。密度泛函理论计算将 Ce4f 电子视为核心态，表明 AFM 波矢连接费米面的很大一部分区域。我们的研究结果表明当ℏω<1.2meV时CeRh2As2中的主要激发是磁性的，并且表明CeRh2As2中的超导性是由与近似量子临界点相关的AFM自旋波动介导的。
使用质子-质子碰撞产生的轻子+喷流事件测量极化和自旋关联并观察顶夸克对中的纠缠
使用单个电子或μ子事件和处于终态的喷流来测量顶夸克对 ( t ¯ t ) 的极化和自旋关联。测量基于 CMS 实验收集的 LHC 在 ffiffiffi sp ¼ 13 TeV 处的质子-质子碰撞数据，对应于积分光度 138 fb − 1 。通过对数据进行分箱似然拟合，同时提取极化矢量和自旋关联矩阵的所有系数。测量是全面进行的，并包含其他可观测量，例如 t ¯ t 系统的质量和 t ¯ t 静止框架中的顶夸克散射角。测得的极化和自旋关联与标准模型一致。从测得的自旋关联中，应用佩雷斯-霍罗德基标准得出关于 t ¯ t 自旋纠缠的结论。标准模型预测在生产阈值和 t ¯ t 系统质量较高时，t ¯ t 态将发生纠缠自旋。这是首次在高 t ¯ t 质量事件中观察到纠缠，其中大部分 t ¯ t 衰变是空间分离的，预期和观测显著性均高于 5 个标准差。