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化学和解决方案。氯化镁（MGCL 2），碳酸氢铵（NH 4 HCO 3），L-甘氨酸，Trizma®碱基，Tween-20，乙醇胺（EA），N-（3-二甲基氨基氨基丙基）-N'-乙基甲基二二二二二二二二二二二二二二二二二二二二二二二二酰基（EDC） bovine serum albumin (BSA), sodium hydroxide, sodium chloride, 4-morpholineethanesulfonic acid monohydrate (MES), hydrochloric acid, formic acid (FA), streptavidin-alkaline phosphatase from Streptomyces avidinii conjugate (Strep-ALP) and lysozyme from chicken egg white were purchased from Merck （意大利米兰）。磷酸钾（KH 2 PO 4），二氯磷酸二硫酸氢钾（K 2 HPO 4），磷酸钠二迪巴斯二硫酸二硫代十二碳水化酸盐（Na 2 HPO 4·12H 2 O），氯化钾和无rnase含水量和无RNase水的含量是从Carlo Erba（Cornaredo Erba（Cornaredo）（Cornaredo）（Cornaredo）（Cornaredo）（Cornaredo），Milan，Milan，Milan，Milan，Milan，Italan，Italan，Italy。氢喹酮双磷酸（HQDP）由Metrohm Italiana（Origgio，意大利Varese）提供。通过Milli-Q Element A10系统（Millipore，旧金山，加利福尼亚州，美国）获得了去离子水，并用于缓冲溶液制备。缓冲溶液的组成如下。无RNase缓冲液用于所有RNA适体的实验中。单链DNA序列购自Biomers.net（德国ULM），而C80RNA序列是从代替（Carlo Erba，Carlo Erba，Milan，意大利）。所有的寡核酸均处于干燥状态，适当地等分以避免反复的冻结/解冻周期。在Milli-Q水中以DNA寡核素进行了冻干等分试样的重悬，而C80RNA的无RNase水中的水则达到了供应商建议的100μM终浓度。库存溶液存储在-20°C。MES缓冲液：25毫米ME（pH 5.0）; Tris缓冲液：0.1 MTrizma®基础，5 mm MGCL 2（pH 7.4）; TRIS-T缓冲液：0.1 MTrizma®基础，5 mm MGCL 2，0.05％w/vtween®20（pH 7.4）; TRIS盐水缓冲液：20 mMTrizma®基础，5 mM MGCL 2，0.1 M NaCl（pH 7.4）;含镁离子（PBS-MG 2+）的磷酸盐缓冲盐盐水：1.5 mm kH 2 PO 4，8 mm Na 2 HPO 4，137 mm NaCl，2.7 mm KCl，1 mm MGCL 2（pH 7.4）；从Thermo Fisher Scientific（美国马萨诸塞州沃尔瑟姆）购买磷酸盐缓冲盐水（PBS）作为干燥粉末，其溶解后具有以下成分：0.1 m Na 2 HPO 4，0.15 m NaCl（pH 7.2）； Tris甘氨酸钾（TGK）缓冲液：25 mMTrizma®基础，192 mm L-甘氨酸，5 mm K 2 HPO 4（pH 8.3）。
《光电子与生物医学材料杂志》第 15 卷，第 2 期，2023 年 4 月 - 6 月，第 55 - 64 页 射频磁控管的表面研究
使用不同靶到基片距离的化学计量氮化硅靶，通过射频磁控溅射在单面 P 型抛光掺硼硅晶片基片上沉积氮化硅薄膜。改变靶到基片的间距（非常规参数）以优化表面粗糙度和晶粒尺寸。这种优化提供了均匀、密集的氮化硅薄膜的正态分布，没有表面裂纹。采用原子力显微镜探索氮化硅薄膜的精确表面粗糙度参数。所有样品的表面粗糙度和晶粒分析都表现出直接关系，并与靶到基片的间距呈反比关系。通过以下参数分析了 Si3N4 的表面形貌：平均粗糙度、均方根粗糙度、最大峰谷高度、十点平均粗糙度、线的偏度和峰度。氮化硅薄膜的表面粗糙度在基于氮化硅波导的生物传感器制造中具有重要意义。 (2022 年 8 月 4 日收到；2023 年 4 月 3 日接受) 关键词：原子力显微镜、射频磁控溅射、氮化硅、靶材到基板间距、薄膜 1. 简介 氮化硅具有卓越的光学、化学和机械性能，是微电子学中用作电介质和钝化层 [1] 以及微机电系统 (MEMS) 中结构材料最广泛的材料 [2, 3]。氮化硅薄膜由于其在可见光和近红外 (NIR) 区域的高折射率和透明度，在光电子应用中也发挥着至关重要的作用 [4, 5]。氮化硅薄膜在光电子领域的主要应用是基于光波导的生物传感器作为平面光波导 [6-8]。平面光波导是一种三层结构，其中通常称为芯的高折射率薄膜夹在两个低折射率膜（称为下包层和上包层）之间。平面波导内部的光传播基于全内反射原理。据报道，光波导中芯体表面的粗糙度是造成波导边界处光传播损耗的原因 [10, 11]。这是由于界面处的反射和折射现象而不是全内反射造成的。芯体的粗糙表面可以将光散射到不同方向。芯体和包层之间的折射率差 ∆n 越大，光在芯体中的限制就越大。因此，由于氮化硅的折射率约为 2，而二氧化硅的折射率约为 1，因此二氧化硅/氮化硅/二氧化硅的特定结构是平面光波导的合适候选材料。46 作为上下包层，折射率差 ∆n ~ 0.5[9]。Si 3 N 4 薄膜通过低压化学气相沉积、热蒸发、等离子体增强化学气相沉积和磁控溅射系统制备[12-16]。然而，磁控溅射技术由于无毒气体、低温沉积、易于调节沉积速率和沉积系统简单而比 PECVD 技术具有相当大的优势[17]。薄膜的常规参数
高性能液体冷却系统“SAN ACE MC Liquid”
增加散热片面积和通过散热的通风量，可以提高散热器的冷却性能。实际上，如果散热片数量过多，散热器的负荷（通风阻力）就会上升，与散热片较少的散热器相比，通风量就会减少。此外，负荷大时，噪音也会增大。本产品的散热器通过优化芯体厚度和散热片间距，实现了冷却性能和噪音之间的平衡。
高性能液体冷却系统“SAN ACE MC Liquid”
增加散热片面积和通过散热的通风量，可以提高散热器的冷却性能。实际上，如果散热片数量过多，散热器的负荷（通风阻力）就会上升，与散热片较少的散热器相比，通风量就会减少。此外，负荷大时，噪音也会增大。本产品的散热器通过优化芯体厚度和散热片间距，实现了冷却性能和噪音之间的平衡。
