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二维材料范德华异质结光电探测器研究进展
图 3 掺杂调控 vdW 异质结理论研究典型成果（ a ）结构优化后的 C 、 N 空位及 B 、 C 、 P 、 S 原子掺杂 g-C 3 N 4 /WSe 2 异质结 的俯视图 [56] ；（ b ）图（ a ）中六种结构的能带结构图 [56] ；（ c ）掺杂的异质结模型图、本征 graphene/MoS 2 异质结的能带结 构及 F 掺杂 graphene/ MoS 2 异质结的能带结构 [57] ；（ d ） Nb 掺杂 MoS 2 原子结构的俯视图和侧视图以及 MoS 2 和 Nb 掺杂
与范德华异质结构
摘要X射线光学的科学和技术已经走了很远，从而使X射线专注于高分辨率X射线光谱，成像和辐照。尽管如此，在X射线制度中，许多形式的裁缝波对光学状态的应用产生了重大影响。从根本上讲，这种差异源于所有材料在高频上接近统一的折射率的趋势，这使得X射线光分量（例如镜片）和镜像更难创建，并且通常效率更低。在这里，我们提出了一个新概念，用于X射线聚焦，基于将弯曲的波前诱导到X射线生成过程中，从而导致X射线波的内在聚焦。这个概念可以看作是有效地将光学元件整合为发射机制的一部分，从而绕过X射线光学组件施加的效率限制，从而实现了具有纳米级焦点斑点大小和微米尺度的纳米镜的创建。特别是，我们通过设计由自由电子驱动时会塑造X射线的大约VDW异质结构来实现此概念。聚焦热点的参数，例如侧向尺寸和焦点深度，是层间间距chirp和电子能量的函数。期待，创建多层VDW异质结构的持续进展开放了X射线纳米梁的焦点和任意形状的前所未有的视野。
探测范德华磁性半导体crsbr
摘要：本研究通过全面的光致发光（PL）表征研究了硫磺溴（CRSBR）的电子带结构。我们清楚地确定了两个紧密相邻的传导带状态和两个不同的价带状态之间的低温光学转变。对PL数据的分析稳健地揭示了跨CRSBR的不同厚度（从单层到散装）的不同厚度的能量分裂，带隙和激子跃迁。依赖温度依赖性PL测量阐明了在NE e el温度以下的频带拆分的稳定性，这表明镁与激子结合的元素负责使对称性断裂和从二级传导带最小值（CBM2）向全局价最大带（VBM1）的对称性破坏和增亮。共同揭示了在传导和价带中的分裂，而且还突出了我们对抗超磁性二维Van der waals晶体的光学，电子和磁性能之间相互作用的显着进步。
可切换的单极屏障范德华异质结构...
这是以下文章的同行评审版本：Deng, W., Dai, M., Wang, C., You, C., Chen, W., Han, S., Han, J., Wang, F., Ye, M., Zhu, S., Cui, J., Wang, Q. J.& Zhang, Y.(2022)。具有自然各向异性的可切换单极势垒范德华异质结构，可用于全线性偏振检测。Advanced Materials, 34(33), 2203766‑，最终版本已在 https://doi.org/10.1002/adma.202203766 上发布。本文可根据 Wiley 自存档版本使用条款和条件用于非商业目的。
两个范德华磁电极转移
* 通讯地址：X.-X.S.(songxx90@ustc.edu.cn), Q.Z.(iamqzhao@njupt.edu.cn), Y.X.(xuyong@njupt.edu.cn) 或 W.Q.(wqin@sdu.edu.cn)
范德华力异常电阻率上升......
10 Junho Seo、Duck Young Kim、Eun Su An、Kyoo Kim、Gi-Yeop Kim、Soo-Yoon Hwang、Dong Wook Kim、Bo Gyu Jang、Heejung Kim、Gyeongsik Eom、Seung Young Seo、Roland Stania、Matthias Wontwiler、Jinwon Lee、Kenji Watana Joe Be、Jon Il Jun Hanigu Tanyung Yeom、Si-Young Choi、Ji Hoon Shim 和 Jun Sung Kim，Science Advances 6 (3)，eaay8912 (2020)。
在原子上薄的范德华磁铁Crsbr
摘要：在原子上薄的半导体中，CRSBR脱颖而出，因为它的散装和单层形式在磁性环境中均构成紧密结合的准二维激子。尽管对固态研究至关重要，但激子的寿命仍然未知。虽然Terahertz极化探测可以直接跟踪所有激子，而与带间选择规则无关，但相应的大型远场灶基本上超过了横向样品尺寸。在这里，我们将Terahertz极化光谱与近场显微镜结合在一起，以揭示CRSBR单层中的磁磁复发剂的飞秒衰减，该crsbr的单层比散装寿命短30倍。我们在散装CRSBR中揭示了结合和未结合的电子 - 孔对的低能指纹，并以无模型的方式提取单层的非平衡介电函数。我们的结果表明，首次直接访问CRSBR中准单维激子的超快速介电响应，可能会推进基于Ultrathin van der waals磁铁的量子设备的开发。关键字：原子上的固体，范德华磁铁，各向异性激子，超快动力学，飞秒近场显微镜，Terahertz
温度依赖性范德华外延 - repositiTUm
本研究探索了 SrF 2 在高取向热解石墨 (HOPG) 上的分子束外延 (MBE) 生长，重点介绍了生长形态、晶体结构和电子特性随温度的变化。使用原子力显微镜 (AFM)、反射高能电子衍射 (RHEED)、紫外光电子能谱 (UPS) 和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对 SrF 2 /HOPG 界面进行了全面表征。光谱数据表明，氟化物与基底的化学相互作用在沉积过程中的每个沉积厚度和基底温度下都很弱，表明在范德华外延状态下生长。沉积在 HOPG 上的 SrF 2 纳米结构在晶体度和成分方面表现出独特的块状特征，即使在最初的生长阶段也是如此。值得注意的是，温度在驱动生长模式中起着至关重要的作用，从室温下树枝状岛的聚结转变为在较高温度（400 ◦ C）下沿 HOPG 梯田台阶边缘诱导近 1D 行。
直接观察范德华磁铁CRI3
van der waals（vdw）堆叠是一种强大的技术，可以通过逐层晶体工程在凝结物质系统中实现所需的特性。一个了不起的例子是控制人工堆叠的VDW晶体之间的扭角，从而实现了从超导性到强相关的磁性范围内的Moiré结构中非常规现象的实现。在这里，我们报告了VDW磁铁CRI 3晶体中不寻常的120°扭曲断层的出现。在去角质样品中，我们观察到厚度低于10 nm的垂直扭曲结构域。扭曲结构域的尺寸和分布在很大程度上取决于样品制备方法，而合成的未脱落样品显示出比去角质样品的厚域更厚的域。冷却引起不同扭曲结构域之间相对种群的变化，而不是先前假定的结构相过渡到菱形堆积。样品制造过程引起的堆叠障碍可能解释了CRI 3中观察到的未解决的厚度依赖性磁耦合。
范德华异质结构的腔电动力学
*通讯作者。1 Max Planck物质结构和动态研究所，德国汉堡。2物理系，哥伦比亚大学，美国纽约，美国。 3 rwth Aachen University和Duture Information Technology的Jara-Fundamentals，Aachen，Aachen，Div foreire der der der statistischen physik。 4日本杜斯库巴国家材料科学研究所电子和光学材料研究中心。 5日本杜斯库巴国家材料科学研究所材料纳米构造研究中心。 6计算量子物理中心，西蒙斯基金会基金研究所，美国纽约，美国。 7 Cnano-BiospectRoscopy Group，Dectionalmo de Fisica de Materiales，San Sebasti´an，San Sebasti´an大学。 8理论物理学研究所和不来梅计算材料科学中心，德国不来梅大学，德国不来梅大学。 9 Laboratoire de Lecole de L'Ecole Normale Sup´erieure，Universit´e PSL，CNRS，Sorbonne Universit´e，Paris-Cit´eo，Paris-cit´eo，Paris，Paris，France。 法国德国大学学院10大学。2物理系，哥伦比亚大学，美国纽约，美国。3 rwth Aachen University和Duture Information Technology的Jara-Fundamentals，Aachen，Aachen，Div foreire der der der statistischen physik。4日本杜斯库巴国家材料科学研究所电子和光学材料研究中心。5日本杜斯库巴国家材料科学研究所材料纳米构造研究中心。6计算量子物理中心，西蒙斯基金会基金研究所，美国纽约，美国。7 Cnano-BiospectRoscopy Group，Dectionalmo de Fisica de Materiales，San Sebasti´an，San Sebasti´an大学。8理论物理学研究所和不来梅计算材料科学中心，德国不来梅大学，德国不来梅大学。 9 Laboratoire de Lecole de L'Ecole Normale Sup´erieure，Universit´e PSL，CNRS，Sorbonne Universit´e，Paris-Cit´eo，Paris-cit´eo，Paris，Paris，France。 法国德国大学学院10大学。8理论物理学研究所和不来梅计算材料科学中心，德国不来梅大学，德国不来梅大学。9 Laboratoire de Lecole de L'Ecole Normale Sup´erieure，Universit´e PSL，CNRS，Sorbonne Universit´e，Paris-Cit´eo，Paris-cit´eo，Paris，Paris，France。法国德国大学学院10大学。