* 通讯地址:X.-X.S.(songxx90@ustc.edu.cn), Q.Z.(iamqzhao@njupt.edu.cn), Y.X.(xuyong@njupt.edu.cn) 或 W.Q.(wqin@sdu.edu.cn)
视觉信息的处理主要发生在视网膜中,视网膜预处理功能极大地提高了视觉信息的传输质量和效率。人工视网膜系统为有效的图像处理提供了有希望的途径。在这里,提出了石墨烯/ INSE/ H -BN的异质结构,该结构通过改变单个波长激光器的强度,表现出负和正照相(NPC和PPC)效应。此外,基于激光的功率依赖性光导不传导效应:I pH = -mp𝜶1 + 1 + NP 𝜶2,提出了一个修改的理论模型,该模型可以揭示负/阳性光导能效应的内部物理机制。当前的2D结构设计允许晶体管(FET)表现出出色的光电性能(R NPC = 1.1×10 4 AW - 1,R PPC = 13 AW - 1)和性能稳定性。,基于阴性和阳性光电传感效应成功模拟了视网膜预处理过程。此外,脉冲信号输入将设备的响应性提高了167%,并且可以提高视觉信号的传输质量和效率。这项工作为构建人工视觉的建设提供了一个新的设计思想和方向,并为下一代光电设备的整合奠定了基础。
摘要:在原子上薄的半导体中,CRSBR脱颖而出,因为它的散装和单层形式在磁性环境中均构成紧密结合的准二维激子。尽管对固态研究至关重要,但激子的寿命仍然未知。虽然Terahertz极化探测可以直接跟踪所有激子,而与带间选择规则无关,但相应的大型远场灶基本上超过了横向样品尺寸。在这里,我们将Terahertz极化光谱与近场显微镜结合在一起,以揭示CRSBR单层中的磁磁复发剂的飞秒衰减,该crsbr的单层比散装寿命短30倍。我们在散装CRSBR中揭示了结合和未结合的电子 - 孔对的低能指纹,并以无模型的方式提取单层的非平衡介电函数。我们的结果表明,首次直接访问CRSBR中准单维激子的超快速介电响应,可能会推进基于Ultrathin van der waals磁铁的量子设备的开发。关键字:原子上的固体,范德华磁铁,各向异性激子,超快动力学,飞秒近场显微镜,Terahertz
*通讯作者。1 Max Planck物质结构和动态研究所,德国汉堡。2物理系,哥伦比亚大学,美国纽约,美国。 3 rwth Aachen University和Duture Information Technology的Jara-Fundamentals,Aachen,Aachen,Div foreire der der der statistischen physik。 4日本杜斯库巴国家材料科学研究所电子和光学材料研究中心。 5日本杜斯库巴国家材料科学研究所材料纳米构造研究中心。 6计算量子物理中心,西蒙斯基金会基金研究所,美国纽约,美国。 7 Cnano-BiospectRoscopy Group,Dectionalmo de Fisica de Materiales,San Sebasti´an,San Sebasti´an大学。 8理论物理学研究所和不来梅计算材料科学中心,德国不来梅大学,德国不来梅大学。 9 Laboratoire de Lecole de L'Ecole Normale Sup´erieure,Universit´e PSL,CNRS,Sorbonne Universit´e,Paris-Cit´eo,Paris-cit´eo,Paris,Paris,France。 法国德国大学学院10大学。2物理系,哥伦比亚大学,美国纽约,美国。3 rwth Aachen University和Duture Information Technology的Jara-Fundamentals,Aachen,Aachen,Div foreire der der der statistischen physik。4日本杜斯库巴国家材料科学研究所电子和光学材料研究中心。5日本杜斯库巴国家材料科学研究所材料纳米构造研究中心。6计算量子物理中心,西蒙斯基金会基金研究所,美国纽约,美国。7 Cnano-BiospectRoscopy Group,Dectionalmo de Fisica de Materiales,San Sebasti´an,San Sebasti´an大学。8理论物理学研究所和不来梅计算材料科学中心,德国不来梅大学,德国不来梅大学。 9 Laboratoire de Lecole de L'Ecole Normale Sup´erieure,Universit´e PSL,CNRS,Sorbonne Universit´e,Paris-Cit´eo,Paris-cit´eo,Paris,Paris,France。 法国德国大学学院10大学。8理论物理学研究所和不来梅计算材料科学中心,德国不来梅大学,德国不来梅大学。9 Laboratoire de Lecole de L'Ecole Normale Sup´erieure,Universit´e PSL,CNRS,Sorbonne Universit´e,Paris-Cit´eo,Paris-cit´eo,Paris,Paris,France。法国德国大学学院10大学。
范德华材料中的旋转缺陷为推进量子技术提供了有前途的平台。在这里,我们提出并演示了一种基于宿主材料的同位素工程的强大技术,以确切地提高嵌入式自旋缺陷的相干性能。专注于六角硼(HBN)中最近发现的负电荷硼空位中心(V B),我们在同位素上种植同位素纯化的H 10 B 15 N晶体。与HBN中的V b相比,同位素的自然分布与同位素的自然分布相比,我们观察到较窄且拥挤的V B旋转过渡以及延长的相干时间t 2和松弛时间t 1。对于量子传感,在我们的H 10 B 15 N样品中的V B中心在DC(AC)磁场敏感性中表现出4(2)个因子。对于其他量子资源,V B高级别水平的个体可寻址性实现了对三个最近的邻居15 N核自旋的动态极化和相干控制。我们的结果证明了同位素工程对增强HBN中量子自旋缺陷的特性的力量,并且可以很容易地扩展到改善广泛的范德华材料家族中的自旋Qub。
箭头分别标记 2 、 1 (V Bias = -2.0 V / -1.2 V,I = -50 pA / -200 pA)。c、放大 282 的 ZV 光谱
图1:VDW异质结构的无机组装。(a)几个从硅芯片伸出的悬臂的SEM显微照片。(b)示意图和(c)横截面高角环形暗场(HAADF)扫描透射电子显微镜(STEM)图像,显示了悬臂的多层金属涂层,可容纳2DM标本(样品中显示了多层MOS 2晶体中的样品)。(d)使用能量色散X射线光谱法在(c)中显示的区域的元素映射。(E)涂层过程后悬臂表面的AFM显微照片。均方根粗糙度值(r rms)在图像e上指示。 (F-H)采用的步骤将HBN晶体拾起到制造的悬臂上:(f)对齐,(g)接触和(h)升降。sem(l)和悬臂的光学(M)显微照片,拾取了厚(约40 nm)HBN晶体后。(i,j)拾取石墨烯晶体的步骤:对齐(I),接触和升降(J)。(n)光学显微照片显示了SIO 2上与石墨烯接触的悬臂(用虚线突出显示)。悬臂的灵活性可以准确控制层压过程。(k)石墨烯/HBN堆栈沉积在底部HBN晶体上。在整个底部HBN晶体被悬臂覆盖以选择性释放堆栈而不是将其捡起之前,层压过程要停止。(O)光学显微照片显示了氧化硅晶片上产生的异质结构,显示了较大的均匀区域。可以在补充第2节中找到有关其他样本的更多数据。
扭曲的二维(2D)Van der Waals(VDW)量子材料以其非同规性的超导性,金属绝缘体过渡(MOTT TRUSTITION),旋转液相等而闻名,为强电子相关提供丰富的景观。这种电子相关性也解释了扭曲晶体中的异常磁性。然而,由于缺乏理想的材料以及设计Moiré磁铁与它们的新兴磁性和电子特性相关的适当方法,因此限制了2D扭曲磁力领域的进步。在这里,我们设计了VDWMoiré磁铁,并证明了旋转两个单层的简单动作,即以各种扭曲角度旋转1T-NBSE 2和1T-VSE 2,产生了增强和淬灭的局部磁性磁矩的无均匀混合物,每个过渡金属杂种(V)和niobium(V)和Niobium(V)和NB)(NB)Antome。准确地说,扭曲角会影响每个组成层的局部磁矩。在VDWMoiréSuprattice中出现了引人注目的频带和巡回的铁磁性,后者令人满意的Stoner标准。这些特征是由原子晶格位点的轨道复杂化而不是层之间的层间耦合引起的。此外,在未介绍的杂波系统中鉴定出轨道磁性。结果提出了一种有效的策略,该策略是针对扭曲调节的现场磁性的新量子力学现象的洞察力。
摘要X射线光学的科学和技术已经走了很远,从而使X射线专注于高分辨率X射线光谱,成像和辐照。尽管如此,在X射线制度中,许多形式的裁缝波对光学状态的应用产生了重大影响。从根本上讲,这种差异源于所有材料在高频上接近统一的折射率的趋势,这使得X射线光分量(例如镜片)和镜像更难创建,并且通常效率更低。在这里,我们提出了一个新概念,用于X射线聚焦,基于将弯曲的波前诱导到X射线生成过程中,从而导致X射线波的内在聚焦。这个概念可以看作是有效地将光学元件整合为发射机制的一部分,从而绕过X射线光学组件施加的效率限制,从而实现了具有纳米级焦点斑点大小和微米尺度的纳米镜的创建。特别是,我们通过设计由自由电子驱动时会塑造X射线的大约VDW异质结构来实现此概念。聚焦热点的参数,例如侧向尺寸和焦点深度,是层间间距chirp和电子能量的函数。期待,创建多层VDW异质结构的持续进展开放了X射线纳米梁的焦点和任意形状的前所未有的视野。
摘要:宽带隙半导体,例如氧化镓 (Ga 2 O 3 ),因其在下一代高功率电子器件中的应用而备受关注。尽管单晶 Ga 2 O 3 衬底可以常规地从熔体中沿各种取向生长,但关于这些取向的影响的报道却很少。此外,由于缺乏 p 型掺杂,用 Ga 2 O 3 制造整流 pn 二极管一直很困难。在本研究中,我们通过改变以下三个因素在 β-Ga 2 O 3 上制造和优化了 2D/3D 垂直二极管:衬底平面取向、2D 材料选择和金属触点。使用高温相关测量、原子力显微镜 (AFM) 技术和技术计算机辅助设计 (TCAD) 模拟验证了我们的设备的质量。我们的研究结果表明,2D/3D β-Ga 2 O 3 垂直异质结通过基底平面取向(-201)进行优化,结合 2D WS 2 剥离层和 Ti 接触,并显示出记录的整流比(> 10 6 )同时具有导通电流密度(> 10 3 A cm -2 ),可用于功率整流器。