XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System莫尔圆
扭曲双层石墨烯中的莫尔超晶格
两片石墨烯以扭曲的方式堆叠在一起，形成一个系统，该系统最近引起了人们的极大兴趣，因为它具有令人着迷的电子特性，这些特性通常出现在由此产生的莫尔超晶格的尺度上，而莫尔超晶格通常比石墨烯晶格常数大 10 到 100 倍。特别是对于小的扭曲角度，莫尔超晶格常数在 10-20 纳米范围内，这使得扫描探针显微镜 (SPM) 成为研究扭曲双层系统的理想工具。通过本应用说明，我们展示了具有纳米级横向分辨率的 attoAFM I 低温显微镜如何配备先进的 AFM 模式，如导电尖端原子力显微镜 (ct-AFM) 和压电响应力显微镜 (PFM)，可用于探索扭曲双层的电气和机电特性。
实验室一览 - 劳伦斯利弗莫尔国家实验室
成就 60 多年来，LLNL 的研究人员和同事们一直致力于实现聚变点火，这是科学界最具挑战性的目标之一。2022 年 12 月 5 日的一项实验通过了这一历史性里程碑，为 HED 科学开辟了新前景，并使我们能够获得与未来库存管理相关的新机制。 为了支持 HED 科学，LLNL 开发了多种诊断方法，这些方法对于在短时间尺度上以及在高密度和高温下测量材料特性是必不可少的。 LLNL 的研究人员开发了高速摄像机，使用能够探测超致密材料的 x 射线，以优于 1/10 纳秒的时间分辨率创建实验的“电影帧”。 能够使用晶体 x 射线散射测量材料结构变化的仪器使科学家能够更新固体转变模型。 利弗莫尔的研究人员还利用机器学习和人工智能等新兴科学领域来提高 HED 模拟能力。
一眼实验室 - 劳伦斯·利弗莫尔国家实验室
世界上首要的高性能计算设施之一劳伦斯·利弗莫尔（Lawrence Livermore）是Livermore Computing（LC）的所在地，这是一家首要的高性能计算设施。LC拥有200多个PETAFLOP的计算能力和许多Top500系统，包括125-Petaflop Sierra系统。继续世界一流的LLNL超级计算机的血统，塞拉代表了Exascale Computing道路上的倒数第二步，预计将通过称为El Capitan的LLNL系统在2023年实现。这些旗舰系统具有GPU的支持，并以3D的形式在从未见过的各种任务需求的情况下进行了多物理模拟。在2020年，LLNL和小脑系统将世界上最大的计算机芯片集成到Lassen系统中，并使用尖端的AI技术升级顶级超级计算机。这种组合创造了一种根本新型的计算解决方案，使研究人员能够研究新颖的预测建模方法。这些平台得到了我们的LEED认证，创新的基础设施，权力和冷却设施的支持；一个存储基础架构，包括三种文件系统和世界上最大的tfinity磁带档案；和顶级客户服务。我们的行业领先的软件生态系统展示了我们对许多大型开源工作的领导，从与光泽和ZFS一起抛弃到R＆D 100屡获殊荣的Flux，SCR和SPACK。
航空母舰动载状态确定...
缘 圆 圆 阅藻贼藻则皂蚤灶葬贼蚤燥灶燥枣阅赠灶葬皂蚤糟蕴燥葬凿悦燥灶凿蚤贼蚤燥灶燥枣粤蚤则糟则葬枣贼悦葬则则蚤藻则遭葬泽藻凿燥灶酝怎造贼蚤增葬则蚤葬遭造藻阅蚤泽贼则蚤遭怎贼蚤燥灶燥枣云造蚤早澡贼孕葬则葬皂藻贼藻则泽
航空母舰动载状态确定...
缘 圆 圆 阅藻贼藻则皂蚤灶葬贼蚤燥灶 燥枣 阅赠灶葬皂蚤糟 蕴燥葬凿 悦燥灶凿蚤贼蚤燥灶 燥枣 粤蚤则糟则葬枣贼 悦葬则则蚤藻则 遭葬泽藻凿 燥灶 酝怎造贼蚤增葬则蚤葬遭造藻 阅蚤泽贼则蚤遭怎贼蚤燥灶 燥枣 云造蚤早澡贼 孕葬则葬皂藻贼藻则泽
GaN 晶圆级 AuSn 焊料沉积
关键词：GaN、焊料、AuSn 焊料、溅射、共晶、芯片粘接摘要对于 GaN MMIC 芯片粘接，经常使用 80%Au20%Sn 共晶焊料。通常的做法是使用预制件 AuSn 将芯片粘接到 CuW 或其他一些基板上。在此过程中，操作员可能需要将预制件切割成芯片尺寸，然后对齐预制件、芯片和基板。由于操作员需要同时对齐三个微小部件（预制件、芯片和基板），因此这是一个具有挑战性的过程，可能需要返工。此外，预制件厚度为 1mil（在我们的例子中），这可能导致过量的焊料溢出，需要清理，因为它会妨碍其他片外组装。整个芯片粘接过程可能很耗时。在本文中，我们描述了一种在分离芯片之前在 GaN 晶圆上使用共晶成分溅射靶溅射沉积共晶 AuSn 的方法。它消除了预制件和芯片的对准，并且不会挤出多余的 AuSn。通过使用共晶溅射靶，它还可以简化靶材制造。下面给出了芯片粘接结果。引言宽带微波 GaN MMIC 功率放大器在国防和通信应用中具有重要意义。随着设备性能的提高，芯片粘接变得非常重要，因为它会极大地影响 MMIC 的热预算。80%Au/20%Sn 焊料已用于半导体应用超过 50 年，通常作为冲压预制件。然而，由于需要将 MMIC 芯片中的多个小块和焊料预制件对准到载体上，因此芯片粘接过程可能很繁琐且耗时。在芯片分离之前在整个晶圆上溅射沉积 AuSn 将大大简化芯片粘接过程。然而，溅射的 AuSn 成分对于正确的焊料回流至关重要。由于 Au 和 Sn 的溅射产率不同，AuSn 溅射靶材的化学性质和沉积的 AuSn 薄膜之间存在显著的成分变化 [参考文献 1]。下图 1 显示了 Au-Sn 相图。通过仔细控制溅射参数（功率、压力和氩气），我们能够从共晶成分溅射靶中沉积共晶 AuSn。制造共晶成分溅射靶要容易得多/便宜得多。
芯片到晶圆 (d2w) 键合解决方案
直接键合技术不断发展，以应对“更多摩尔”和“超越摩尔”的挑战。自 20 世纪 90 年代绝缘体上硅 (SOI) 技术的出现以来，CEA-Leti 已在直接键合方面积累了丰富的专业知识。从那时起，CEA-Leti 团队一直在积极创新直接键合，以拓宽应用领域。该技术基于室温下两个紧密接触的表面之间的内聚力。然后，范德华力（氢键）和毛细桥产生所需的粘附能。键合后退火将弱键转变为共价键，最终形成一块材料。随着混合键合的出现，直接键合现在不仅解决了基板制造问题，还解决了 3D 互连领域的问题。本文介绍了 CEA-Leti 开发的不同直接键合技术及其在微电子行业和研发中的应用。在文章的第一部分，简明扼要地介绍了直接键合物理学。然后，概述了最先进的键合技术，包括晶圆对晶圆 (WTW) 混合键合、芯片对晶圆 (DTW) 混合键合和 III-V 异质键合。针对合适的应用领域，比较了每种技术的优势、挑战、应用和利害关系。第三部分重点介绍 CEA-Leti 在 ECTC 2022 和 ESTC 2022 上展示的最新混合键合 D2W 结果。讨论了集成挑战以及专用设备开发的作用。最后一部分介绍了潜在的市场和相关产品，并以具有硅通孔 (TSV) 和多层堆叠的芯片为例。
SB300 FOSB，适用于 300 毫米晶圆
SEMI E62 描述了 FOSB 开门装置的特性和基本功能。E62 是针对设备配置的非常具体的标准，包括定位销、密封区域和锁销形状、位置、运动和扭矩。300 毫米 FOSB 必须与这些功能配合使用，但精确的配合功能尺寸、位置和设计由载体制造商决定。与 E62 FOSB 开门器配合的 FOSB 功能由 Entegris 设计规范定义。一般而言，这种兼容性涉及 E62 FOSB 开门器功能周围的适当间隙和相对位置。
MGIEasy 快速圆化模块用户手册 4.0
本用户手册及其所含信息为 MGI 所有，仅供其客户根据合同使用本手册所述产品之用，不得用于其他目的。未经 MGI 事先书面同意，任何个人或组织不得全部或部分转载、复制、修改、分发或向他人披露本用户手册。任何未经授权的人员不得使用本用户手册。
硅同质外延晶圆表面清洁... - DSpace@MIT
本论文的目的是研究使用 ECR（电子回旋共振）氢等离子体技术的低温原位清洗工艺和使用 HF 浸渍法的原位清洗工艺，用于低温硅同质外延生长。在 MS-CVD（多室化学气相沉积）反应器上安装了负载锁室，以降低将污染物引入系统的可能性。选择 ECR 等离子体系统是因为与传统的 RF（射频）系统相比，它可以以良好调节的方式输送更高密度的低能离子。选择氢气是因为氢气质量轻，并且能够与表面污染物发生化学反应。在原位清洗的晶圆顶部沉积外延层，并通过 XTEM（横截面透射电子显微镜）和 RBS（卢瑟福背散射光谱）技术研究外延层和外延层/衬底界面的结构质量。使用 SIMS（二次离子质谱）检测界面处的氧和碳污染物。