封面图片来源:彼得·布希曼(Peter Buschmann)通过USDA FLICKR森林服务部;洛杉矶县消防局 - 摄影师道格拉斯·莫里森(Douglas Morrison);洛杉矶县公共工程;洛杉矶紧急准备基金会 - Laepf.org;洛杉矶县警长部
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本报告中的某些陈述,包括与 Centum 对未来业务、发展和经济表现的期望有关的陈述,受风险、不确定性和其他因素的影响。包括但不限于可能导致实际结果与此类前瞻性陈述所表明的结果存在重大差异的因素,例如(但不限于):(1) 竞争压力;(2) 立法和监管发展;(3) 全球、宏观经济和政治趋势;(4) 货币汇率和一般市场状况的波动;(5) 技术发展;(6) 诉讼;(7) 不利的宣传和新闻报道等。所有前瞻性陈述仅反映 Centum 截至本报告日期的预期,不应被视为反映 Centum 在本新闻稿发布日期之后的任何日期的观点、期望或信念。Centum 不承担更新这些前瞻性陈述中包含的信息的任何义务,无论是由于新信息、未来事件还是其他原因。
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2 回顾WBG器件、SiC MOSFET、电源模块及其可靠性挑战。 6 2.1 WBG 器件 6 2.2 SiC MOSFET 特性 8 2.2.1 V gs(栅极 - 源极电压) 10 2.2.2 阈值电压 (V th ) 11 2.2.3 导通电阻 R on 12 2.3 SiC 功率模块 14 2.4 SiC 功率模块的当前行业实践 18 2.5 SiC MOSFET 的故障症状 21 2.5.1 栅极氧化层故障 21 2.5.2 体二极管故障 23 2.5.3 栅极漏电流故障 25 2.5.4 导致故障的雪崩事件 27 2.6 可靠性简介 28 2.6.1 功率模块中的电源循环 29 2.6.2 热膨胀和诱发应力 30 2.7 电源循环故障模式 31 2.7.1 引线键合疲劳 32 2.7.2 士兵退化 33 2.7.3 金属化重建 34 2.8 功率循环测试 35 2.8.1 功率循环寿命模型 38
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