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World File Search System薄膜电阻
水分对结构依赖性影响ZnO薄膜电阻切换行为
依赖于金属绝绝构成结构设备中电阻开关现象的两末端回忆设备最近引起了人们对实现下一代记忆和神经形态架构的极大关注。[1-4]的身体机制取决于电化学效应和纳米离子工艺涉及金属原子溶解在电芯片中溶解的金属溶解的金属活性电极，并导致金属群体在互联网中的转变，以使得Metal the Is condrative the Is the Is the Is the Is the Metallix the Mentals Ondallic the Mentals the Mentals contallic contallix contallix contallix contallix contallix contallix contallix的迁移。[5,6]先前的报道表明，电阻开关机制受外在影响的强烈影响，例如存在可以扩散并吸附在绝缘基质中的水分。[7,8,17,18,9-16]在术语中，水分对电阻切换细胞功能的影响被观察到取决于所涉及材料的特定化学/结构特性。[7]在金属氧化物中，半导体ZnO被广泛利用为用于实现电子设备的活性材料。由于其特殊的光子，机械和电子特性以及生物相容性和环保性特征，ZnO也被认为是广泛应用的有前途的候选人，包括现场效应晶体管，压电电透射器，光伏，传感器，传感器和照片检测器。[19-24]也，对ZnO的兴趣与具有多种形态的可能性有关，包括纳米线，纳米棒，纳米生物和纳米片。[25,26]在此框架中，在包括纳米线/纳米棒在内的ZnO纳米结构中观察到了电阻性开关现象，[27-29]纳米岛[30]，以及在具有不同沉积技术的广泛薄膜中。[31,32,41,33-40]，在电阻开关设备领域，由于其高透明度可见光，[37-39]也充分利用了其辐射硬度，因此非常感兴趣地致力于ZnO。[42]
钼低电阻薄膜电阻
要了解接触电阻的起源，我们对层边界附近的电流分布进行了建模。由于在室温下，NBN的the the the the the the the the the the the the the接触面积的模拟3（a）。建模表明，几乎所有电流都从层的重叠开始时大约10 nm的距离转移到MO。因此，MO接触垫的电阻有助于总电阻。根据图从图中的图中获得的𝑅2（a），多余的电阻为1.3 - 1.5正方形。在我们的样品电流和潜在接触中位于侧面（图1A，B，D，E）。因此，我们在接触板中模拟了90°转动的电流流量，如图3（b）。对各个长度的条进行的仿真表明，两个方形的接触垫贡献了2.7𝑅（图。3（d））比𝑅0的实验值大，可以通过建模的结构和实际样品之间的相应性不确定来解释。