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基于SSVEP的BCI中的多频率刺激方法
摘要 — 稳态视觉诱发电位 (SSVEP) 因其众多优点而成为脑机接口 (BCI) 中最广泛使用的模式之一。然而，由于 SSVEP 中谐波的存在和响应频率范围有限，因此很难在不牺牲接口其他方面或对系统施加额外限制的情况下进一步扩大目标数量。本文介绍了一种用于 SSVEP 的新型多频刺激方法，并研究了其有效增加呈现目标数量的潜力。所提出的刺激方法是通过叠加不同频率的刺激信号获得的，具有尺寸效率高、允许单步目标识别、对可用频率范围没有严格限制、适用于自定步调的 BCI，并且不需要特定的光源。除了刺激频率及其谐波之外，诱发的 SSVEP 波形还包括刺激频率的整数线性组合的频率。使用仅以频率和谐波为参考的典型相关分析 (CCA) 解码从九名受试者收集的 SSVEP 的结果也证明了在基于 SSVEP 的 BCI 中使用这种刺激范式的潜力。
physrevb.109.075201.pdf
许多复杂的晶体在高温下表现出晶格导热率甚至增加，这偏离了传统的声子理论给出的传统1/ t衰减趋势。在本文中，我们预测Al 2 O 3的导热率与从室温到接近熔点（2200 K）的实验数据相匹配。发现晶格导热率是由声子，diffuson和辐射的贡献组成的。声子粒子导热性大约衰减〜t -t -1。14在考虑四频（4PH）散射以及对晶格常数和谐波和谐波力常数（AFCS）的有限温度校正之后。diffuson（带间隧穿）导热率大约增加到〜t 0。43。辐射导热率增加为〜t 2。51，由于随温度的呼声宽度增加而略小于〜t 3，这增加了光子消光系数并减少了光子平均自由路径（MFP）。在室温下，声子，扩散和辐射分别贡献约99、1和0％。在2200 K时，它们的贡献分别更改为61％，20％和19％。4PH散射在超高温度下很重要，将声子导热率降低了24％。在超高温度下，谐波和AFCS的有限温度软化效应最多增加了36％。我们还验证了绿色-Kubo分子动力学可以像Wigner形式主义一样捕获声子的粒子和波性质。在超高温度下，发现光子MFP在100 nm处，应考虑用于对薄膜的实验测量。在本文中，我们旨在增强对超高温度下复杂晶体中晶格导热率的理解，从而有可能促进对适合这种极端条件的材料的进一步探索。
无人机中使用的 EO_IR 万向架的被动隔离器设计和减振
影响无人机监视系统所捕获图像质量的最关键因素之一是从飞机传递到万向架的振动。无人机中使用的万向架是必不可少的设备，它可以稳定而准确地固定住摄像机并将其指向所需的方向。在本文的范围内，为微型无人机中使用的双轴光电万向架进行了被动隔振系统设计。通过在不同方法中选择弹簧阻尼器系统，使用分析方法进行了在单轴上隔离平台谐波振动的设计。使用分析方法创建了沿单轴隔离平台谐波振动的设计。此外，包含该减震系统的部件“Pan Yoke”采用计算机辅助设计程序进行设计，并使用 Ansys 模态分析检查固有频率值。已确定从飞行器传递到万向架的振动频率和设计部件的固有频率彼此接近，约为 200 Hz。通过各种设计更改和拓扑优化对该部件的固有频率值进行了优化，以防止部件发生共振。
基于混合有源三次谐波电流注入变换器的电池储能系统分析与控制
摘要：本文将新兴的混合型有源三次谐波电流注入变换器（H3C）应用于电池储能系统（BESS），形成一种新型的H3C-BESS结构。与常用的两级VSC-BESS相比，所提出的H3C-BESS能够减少无源元件和开关损耗。分析了H3C-BESS的工作原理，推导了其数学模型。针对系统的不同运行模式，提出了闭环控制策略和控制器设计，包括电池电流/电压控制和注入谐波电流控制。特别是，通过电网电流控制实现有源阻尼控制，无需无源阻尼电阻即可抑制LC滤波器谐振。仿真结果表明，所提出的拓扑结构及其控制策略具有快速的动态响应，建立时间小于4 ms。此外，电池电流和电网电流的总谐波畸变率分别仅为2.54％和3.15％。注入谐波电流的幅值仅为电网电流的一半，表明电流注入电路的损耗很小。实验结果验证了所提方案的有效性。
双循环DC平台作为可调的Josephson Diode
超导电子设备的发展需要仔细表征化妆电子电路的组件。超导弱环节是大多数超导电子组件的构建块，其特征是高度非线性的电流到相位关系（CPRS），通常不完全知道。最近的研究发现，约瑟夫森二极管效应（JDE）可能与嵌入超导干涉仪中的弱环节的弱环节的高谐波含量有关。这使JDE成为探索单谐波CPR以外的弱环节的谐波内容的天然工具。在这项研究中，我们介绍了双环超导量子干扰装置（DL-squid）的理论模型和实验特征，该设备嵌入了全金属超导型金属 - 金属 - 超导 - 超导体连接。由于三个弱连接的超电流的干扰，该设备在并联的三个弱环上的干扰而表现出JDE，并且可以通过两个磁通量调节该功能，这些磁通量充当实验旋钮。我们根据干涉仪臂的相对重量以及有关通量可调性和温度的实验表征进行了对设备的理论研究。
高度非线性的光核相互作用
光和原子核之间的相互作用通常很弱，并且限制在线性和扰动状态中，这限制了可实现的核激发概率，并阻碍了潜在的应用，例如核光学时钟，核激光器和核能存储。在这封信中我们表明，氢样throgium-229离子（229 th 89Þ）与当代强烈激光促进了光核相互作用，使其相互作用到高度非线性和非逆向性方案中。这种相互作用解锁了非常有效的核激发：超过10％的第229个核可以通过单个飞秒激光脉冲激发异构体状态。此外，激光驱动的229 th 89þ离子辐射了多个光波长，这些光是激光频率的高阶谐波，类似于激光驱动原子的高谐波生成过程，但具有独特的特征。这些结果先驱是一种探索光 - 物质相互作用的新领域，提供了一种有效控制原子核的强大方法，并铺平了一种新的核相干光发射方式。
多频稳态视觉诱发电位脑机接口的频率集选择
稳态视觉诱发电位 (SSVEP) 是一种与周期性视觉刺激频率锁定的大脑活动（ Zander 等人，2009 年）。与其他模式（例如运动想象 (Nicolas-Alonso and Gomez-Gil, 2012)）相比，SSVEP 具有相对较高的准确度和信息传输率，并且对用户所需的培训最少，因此被广泛应用于脑机接口 (BCI) 中。标准的基于 SSVEP 的 BCI 在工作空间中包含多个刺激，每个刺激以不同的频率闪烁，而脑电图 (EEG) 主要从枕叶测量。测得的 EEG 反映了用户视觉上关注的刺激的频率，以及该频率的谐波。谐波的存在为解码过程提供了更多的参考点，但也给基于 SSVEP 的 BCI 的设计带来了额外的复杂性和挑战。例如，如果同一个 BCI 中对两个不同的刺激同时使用某个频率及其谐波，那么在记录的这两个刺激的脑电图中就会有共同的频率，这可能会混淆解码算法。因此，在文献中，一些研究有意避免在刺激中使用具有共同谐波的频率（Volosyak 等，2009；Chen 等，2015）。这个谐波问题，加上人脑对周期性视觉刺激的响应频率范围有限（Regan，1989），限制了标准基于 SSVEP 的 BCI 中可使用的唯一频率的数量；即，低信噪比脑电图记录和小的频率分离会损害解码性能。因此，在需要大量唯一频率来标记所有目标的场景中使用标准基于 SSVEP 的 BCI 具有挑战性。为了解决这个问题，已经引入了多频刺激方法，在每个刺激中使用多个频率，其中两个频率（双频）是最广泛使用的模态（Shyu 等，2010；Zhang 等，2012；Chen 等，2013；Hwang 等，2013；Kimura 等，2013；Chang 等，2014；Mu 等，2021a）。然而，这些研究主要集中于介绍多频刺激方法，并没有探讨频率选择方法。随着用于标记每个目标的频率数量的增加，在每个刺激或目标上使用多个频率可以成倍增加可以在工作空间中表示的目标数量。多频刺激产生复杂的周期性刺激信号，从而触发更复杂的 SSVEP 反应。在 Mu 等人的研究中， （2021a）表明，多频率 SSVEP 响应不仅包含输入频率及其谐波，还包含输入频率的整数线性组合，这些组合具有在记录的 SSVEP 中更可能观察到的低阶相互作用。注意，相互作用的顺序定义为
量子计算简介第02章-EE 225
硬件实现和用于量子计算的算法。基本的量子力学，包括烤面包符号，旋转，希尔伯特空间，简单的谐波振荡器，块球，张量产品，密度算子。实施量子位，包括量子点中的电子旋转和约瑟夫森连接。Qubits，例如拓扑绝缘子，被困的离子和缺陷中心。
完全集成的 GaAs HBT 功率放大器，具有增强功能……
摘要 基于 GaAs 异质结双极晶体管 (HBT) 工艺实现了用于无线局域网 (WLAN) 的效率增强型全集成功率放大器 (PA)。提出了一种可以吸收键合线寄生电感的谐波调谐网络，从而显著减小了芯片面积。该网络在 5.0 至 5.5 GHz 范围内提供接近最佳的基波和二次谐波阻抗。此外，还提出了一种新颖的自适应偏置电路，可校正 AM-AM 和 AM-PM 失真并提高高输入功率下的热稳定性。PA 的芯片尺寸仅为 1.06 mm2，增益为 31.1–31.6 dB，饱和功率为 29.9–30.3 dBm，峰值功率附加效率 (PAE) 在 5.0–5.5 GHz 范围内为 49.3%–51.8%。在 802.11ac MCS9 VHT160 测试信号下，PA 的输出功率为 22.1 dBm（EVM= − 32 dB），PAE 为 18.4%。此外，在使用 5.25 GHz 的 802.11ax MCS11 VHT160 信号进行测试时，PA 的输出功率为 17.5 dBm（EVM= − 42 dB）。关键词：功率放大器、无线局域网、GaAs 异质结双极晶体管、谐波匹配、自适应偏置分类：集成电路
根据测量结果识别射频识别卡...
I. 引言 我们展示了一种基于在读卡器/卡交易过程中测量电谐振和载波谐波能量来识别单个射频识别 (RFID) 卡的方法。该方法依赖于精确的放置，实际上可以通过为 RFID 卡配备合适的夹具来实现。我们表明，对于所研究的测试样本，通过测量电谐振，我们可以以较低的误差识别属于相同或不同卡模型的单个卡。如果我们同时考虑测量电谐振和载波谐波能量，则该误差会进一步降低。我们的目标是表明，区分 RFID 卡的根本差异（例如不同的电路布局、不同的电路元件尺寸以及电路元件制造公差内的变化）可以通过电磁测量来测量并量化以创建电磁信号。这种识别电磁特征的能力可能有利于安全和保障[1]，并且可以与数字设备标识符配对以检测伪造卡[2]。基于电磁测量识别电子设备并不是什么新鲜事，但之前的努力通常集中在雷达、手机、无线局域网 (WLAN) 和蓝牙等其他技术的背景下。军方已经追踪敌方无线电发射器，