在过去的几十年中,数字和模拟集成电路的集成密度和性能经历了一场惊人的革命。虽然创新的电路和系统设计可以解释这些性能提升的部分原因,但技术一直是主要驱动力。本课程将研究促成集成电路革命的基本微制造工艺技术,并研究新技术。目标是首先传授构建微型和纳米器件的方法和工艺的实际知识,然后教授将这些方法组合成可产生任意器件的工艺序列的方法。虽然本课程的重点是晶体管器件,但许多要教授的方法也适用于 MEMS 和其他微型器件。本课程专为对硅 VLSI 芯片制造的物理基础和实用方法或技术对器件和电路设计的影响感兴趣的学生而设计。30260133 电子学基础 3 学分 48 学时
¾ 采用 CMOS 工艺制造,低功耗 ¾ 很宽的工作电压范围( V DD =2.4V ~ 15V ) ¾ 最大到 12 位三态地址管脚或 6 位数据输出管脚 ¾ SD827 2B 解码可选择锁存型(后缀- L )和瞬态型(后缀- M )数据输出 ¾ 封装形式为 DIP18 、 SOP18 、 SOP20 或 CHIP (裸芯片)
验证点 VOR / VOR 检查点 4 42 47°36'06.80"N 007°31'34.36"E 43 47°36'03.85"N 007°31'34.67"E 43A 47°36'04.86"N 007°31'33.93"E 44 47°36'05.18"N 007°31'33.78"E 45 47°36'06.43"N 007°31'32.91"E 46 47°36'07.68"N 007°31'32.07"E 47 47°36'09.05"N 007°31'32.89"东经 48 47°36'10.05"N 007°31'35.98"E 5 47°35'55.24"N 007°31'52.28"E 6A 47°35'55.22"N 007°31'49.36"E 9A 47°35'54.19"N 007°31'45.94"E A1 47°34'55.62"N 007°31'42.54"EF 1 47°35'33.41"N 007°31'55.36"EF 10 47°35'45.77"N 007°31'55.84"EF 11 47°35'47.93"N 007°31'57.87"EF 2 47°35'35.68"N 007°31'53.81"EF 3 47°35'37.13"N 007°31'51.98"EF 4 47°35'38.18"N 007°31'50.16"EF 4A 47°35'40.76"N 007°31'49.98"EF 5 47°35'44.45"N 007°31'47.71"EF 5A 47°35'42.23"N 007°31'49.09"EF 6 47°35'44.61"N 007°31'49.90"EF 7 47°35'45.65"N 007°31'51.48"EF 8 47°35'45.81"N 007°31'53.67"EF 9 47°35'45.57"N 007°31'54.60"E F21 47°35'18.55"N 007°32'11.32"E F22 47°35'15.67"N 007°32'13.32"E J1 47°35'23.24"N 007°32'21.73"E J2 47°35'23.60"N 007°32'18.85"E J3北纬 47°35'22.97" 007°32'19.99"E J4 47°35'22.97"N 007°32'19.99"E
vor检查点 / VOR检查点4 42 47°36'06.80“ N 007°31'34.36” E 43 47°36'03.85“ N 007°31'34.67” 06.43“ n 007°31'32.91” '55 .22“ n 007°31'49.36” E 9A47°31'55.98“ E 4” °31'31393“ n。'57 .87” E F 2 47°35'35.68“ n 007°31'53.81” F 5 47°35'44.45“ N 007°31'47.71” N 007°31'53.67“ E F 9 47°35'45.57” n 007°31'54.60“ E F21 47°35'18.55” n 007°323'32 7°35'23.60“ n 007°32'18.85”
不可避免的现实是,未来商业街上的实体店数量将越来越少,而剩余商店的角色也需要演变。按照目前的趋势,预计未来五年内,我们城镇的实体零售额将进一步下降 35%,人们将越来越依赖支付较低租金的便利店和折扣零售商。我们将看到消费者的可支配收入减少,高端零售机会有限。北拉纳克郡尤其容易受到这种趋势的影响,我们的城镇正在与格拉斯哥和爱丁堡等更大的城市争夺客流量和零售支出。
∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙剂量和用法∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙ • RYBELSUS 有两种剂型(即剂型 R1 和剂型 R2),推荐剂量不同 (2.1) o 这些剂型不能按 mg/mg 替代 o 使用任一种剂型,但不要同时使用两种剂型。 • 早晨空腹服用 RYBELSUS,并用水送服(最多 4 盎司水);除水外,不要与其他液体一起服用。(2.2) • 服用 RYBELSUS 后,至少等待 30 分钟,再进食、饮用饮料或服用其他口服药物。(2.2)。 • 将药片整个吞下。不要分割、压碎或咀嚼药片 (2.2)。 • 请参阅完整处方信息,了解有关从 OZEMPIC 转换为 RYBELSUS 以及在两种不同的 RYBELSUS 配方之间切换的说明(2.4)。
可再生能源: 风力发电设备。 06 Naherholungsgebiet im ehemaligen Tagebau: Cospudener See. Recreation at the former open pit mines: Cospudener Lake. 原露天采矿区,经改建后的城市近郊休养地: 科斯普登湖。 07 Nordstrand Cospudener See. Beach on the northern side of Cospudener Lake. 北部的湖滨沙滩风光:科斯普登湖。 08 Wasser als Erholungsraum: Karl-Heine-Kanal. Waterside recreational area: Karl Heine Canal. 水景休闲风光: 卡尔- 海纳- 水道。 09 Ehemalige Bahnfläche Lene-Voigt-Park. Former railway site Lene-Voigt-Park.