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World File Search System贴片天线
PocketQube ADS-B 系统 - pqADS-B/FM - SkyFox 实验室
一般描述 pqADS-B/Flight 模型是世界上第一个太空友好型 自动相关监视 - 广播或 ADS-B 扩展电磁脉冲、模式 S 无源雷达接收系统，无需部署、超低轮廓和功率要求，专为 PocketQubes 而设计。带有集成 RHCP 贴片天线，该产品旨在以有限的功率和质量预算跟踪低地球轨道 (LEO) 卫星、高空气球 (HAB) 或无人机 (UAV) 上的飞机。与允许永久数据输出的传统空间级 ADS-B 接收器相比，它只需要 10% 的功率。易于使用的 UART 串行数据接口输出提供标准化的 ASCII 语句，再加上外部 ADS-B 天线，为所有类型的空间级或地面项目提供智能独立解决方案，这些项目需要精确的飞机位置、类型、速度、方向或 ICAO/客机信息。该装置使用带有冗余引脚的单个六针 PicoBlade TM 连接器与电源和数据输出连接。重量和尺寸非常轻，非常适合所有对空间要求高的项目。飞行模型由 ESA 认证人员组装。
CubeSat ADS-B 系统 - piADS-B/FM - SkyFox 实验室
一般描述 piADS-B/Flight 模型是世界上第一款太空友好型自动相关监视广播或 ADS-B 扩展脉冲发生器、模式 S 无源雷达接收系统，无需部署、超低轮廓和功率要求。带有集成 RHCP 贴片天线，该产品旨在以有限的功率和质量预算跟踪来自低地球轨道 (LEO) 卫星、高空气球 (HAB) 或无人机 (UAV) 的飞机。与允许永久数据输出的传统空间级 ADS-B 接收器相比，它只需要 10% 的功率。易于使用的 UART 串行数据接口输出提供标准化 ASCII 语句，再加上外部 ADS-B 天线，为所有类型的空间级或地面项目提供智能独立解决方案，这些项目需要精确的飞机位置、类型、速度、方向或 ICAO/客机信息。该装置使用带有冗余引脚的单个六针 PicoBlade TM 连接器与电源和数据输出连接。重量和尺寸非常轻，非常适合所有对空间要求高的项目。飞行模型由 ESA 认证人员组装。
配备 GPS 的声呐浮标
配备 GPS 的声纳浮标 Gregory J. Baker 和 Y.R.M. Bonin 国防研究机构大西洋，邮政信箱 1012，达特茅斯，新斯科舍省，加拿大 B2Y 3Z7 以及 Michael Morris Ultra Electronics，Hermes Electronics Inc.，大西洋街 40 号，达特茅斯，新斯科舍省，加拿大 B2Y 4N 摘要 配备全球定位系统 (GPS) 的声纳浮标在校准水下声纳系统时非常有用。Hermes Electronics Inc. 与国防研究机构大西洋 (DREA) 合作开发了这样一种浮标。该声纳浮标是 Hermes AN/SSQ53D(2) DIFAR 声纳浮标的改进版。改进包括降低声学接收器的灵敏度、安装商用 GPS 引擎以及在浮标和 GPS 装置之间提供电子接口。由于对 DIFAR 导频音的调制干扰和功率考虑，需要禁用定向通道。浮标使用无源贴片天线和有源（供电）天线进行测试。使用 Waypoint Consulting 开发的 GPS 实时动态 (RTK) 软件评估从浮标传输的二进制数据的质量。本文概述了声纳浮标的改进，并介绍了在两次海上试验中使用浮标获得的结果。简介通常，需要在公海环境中校准水下声源。使用声纳浮标作为自由浮动的声学接收器，通过浮标上的甚高频 (VHF) 发射器和船上的甚高频接收器连接到船上
适用于 Ku 波段的低介电常数环保透镜
在电信智能天线系统中，透镜可用于主波束聚焦、旁瓣抑制和波束切换目的 [1]。透镜具有各种各样的形状和材质，但介电损耗非常低。陶瓷在较高温度下具有良好的稳定性，并且其介电常数可以调整。同时，它也有一个缺点，那就是制造温度高，导致制造过程中的能耗高，从而增加了生产成本。室温制造法 (RTF) 发明后，锂钼氧化物 (Li 2 MoO 4 ，LMO) 陶瓷的水基悬浮液可以在室温下制造，而不必在 400 ◦ C 以上的温度下制造 [2]。它的相对介电常数为 5.1，在 9.6 GHz 时的损耗角正切值为 0.0035 [3, 4]。此外，已经展示了 4 GHz 下的 LMO 陶瓷贴片天线 [5]。在 LMO 混合物中添加不同的介电材料可以改变其介电性能。 Li 2 MoO 4 -TiO 2 复合材料在 9.6 GHz 时的相对介电常数为 6.7–10.1，损耗角正切值为 0.0011–0.0038，具体取决于其体积百分比 [6]。(1 − x )Li 2 MoO 4 - x Mg 2 SiO 4 在 9 GHz 时的介电常数为 5.05–5.3（未提及损耗角正切）[7]。3D 打印 LMO 在 9.6 GHz 时的介电常数为 4.4，损耗角正切值为 0.0006 [8]，据报道，超低介电常数 LMO 复合材料的介电常数为 1.12，损耗角正切值为 0.002 [9]。LMO 复合材料的射频应用研究尚处于早期阶段。在本信中，制作了直径为 30 毫米的钼酸锂 (Li2MoO4，LMO) 空心玻璃微球 (HGMS) 复合材料和透镜，并在 Ku 波段用波导馈源进行了分析。
Hussain, R.、Al-Garni, A.、Iqbal, SS 和 Abbasi, QH (2023) 多波段立方体卫星天线和太空环境设计考虑因素。在：2023 年
立方体卫星，或称CubeSat，确实是一种最近越来越受欢迎的纳米卫星，尤其是那些将立方体卫星视为太空计划传统卫星替代品的人。这是因为它们成本低，并且可以使用商用现货组件制造。立方体卫星的最小尺寸为1U（100 × 100 mm2）。1U可轻松升级以用于更大规模的任务（2至12U）。立方体卫星可执行传统卫星的所有基本活动。其电力需求由固定在立方体卫星机身上的电池组和太阳能电池板满足。然而，由于立方体卫星的尺寸比传统卫星小，因此其子系统必须非常小。此外，天线设计是卫星的一个关键组成部分，包括地面站和卫星之间的下行和上行通信。然而，它的尺寸和重量必须与立方体卫星兼容，并必须具有良好的辐射性能[1]。立方体卫星的天线数量最近有所增加，这些卫星工作在 437 MHz（即业余超高频频段），这不仅可以实现无缝上行和下行通信，还可以使一个立方体卫星在网络中相互连接。此外，超高频范围内的立方体卫星天线配置提供平面和非平面几何形状。文献中已经发表了许多适用于在超高频频段工作的立方体卫星的平面和非平面天线配置，包括缝隙天线、偶极天线、单极天线、螺旋天线、八木天线和曲折线天线。贴片天线和缝隙天线是连接轨道立方体卫星与地球上地面站的最佳选择，因为它们体积小、结构紧凑、弹性好、制造简单。它们还具有最小的辐射损耗、较低的色散和简单的输入匹配
使用遗传算法在卫星通信中直接辐射阵列的多束光束形成
载卫星通信的最新进展提高了动态修改直接辐射阵列（DRA）的辐射模式的能力。这不仅对于传统的通信卫星（例如地球轨道（GEO））至关重要，而且对于低轨道（例如低地球轨道（LEO））的卫星也至关重要。关键设计因素包括光束的数量，梁宽，有效的各向同性辐射功率（EIRP）和每个梁的侧叶水平（SLL）。然而，当试图同时满足上述设计因素的要求时，在多微型方案中出现了一个挑战，这些设计因素反映为不均匀的电源分配。这导致过度饱和，尤其是由于每个光束的激活时间（通常称为激活实例），在中心位置的天线元件中。应对这一挑战，本文提出了一种平衡每个必需光束天线元件激活实例的方法。我们的重点是在位于地球表面500公里的立方体上以19 GHz运行的光束。我们引入了一种基于遗传算法（GA）的算法，以通过调节每个天线元件的重量矩阵的振幅分量来优化光束成型系数。该算法的关键约束是对每个元素激活实例的限制，避免了射频（RF）链中的过度饱和。此外，该算法可满足梁的要求，例如梁宽，SLL，指向方向和总功率。使用先前的关键设计因素，该算法将优化所需的基因，以解决所需的光束特性和约束。我们使用8×8 DRA贴片天线在三个方案中测试了该算法的有效性，该天线具有圆形极化，并在三角形晶格中排列。结果表明，我们的算法不仅符合所需的光束模式规格，而且还确保了整个天线阵列的均匀活化分布。
程序
基于矢量调制器的低 RMS 相位误差移相器，适用于 KA 波段应用 Melih Gokdemir；Alessandro Fonte；Giandomenico Amendola；Emilio Arnieri 和 Luigi Boccia 用于物联网终端的 2.4GHz 电小天线 Mahmoud Abdallah 和 Al P. Freundorfer；Yahia Antar 圆极化低成本物联网电小天线 Mahmoud Abdallah 和 Al P. Freundorfera Antar CMOS 小数分频全数字锁相环 (ADPLL) 的设计和仿真 Tangus Koech 用于低于 6 GHz 5G 物联网应用的紧凑型宽带低剖面单极天线 Said Douhi 使用异构滤波器为 5G 和 WiMAX 创新设计紧凑型双工器 Soufiane Achrao；Dahbi El Khamlichi；Alia Zakriti；Moustapha El Bakkali； Souhaila Ben Haddi 使用 RFID 技术的室内定位方法比较研究 Badr Jouhar；Abdelwahed Tribak；Jaouad Terhzaz；Tizyi Hafid 微波辐射处理对野生胭脂虫 Dactylopius Opuntiae 死亡率和生育力的影响 Fatima Zahrae EL Arroud、Karim EL fakhouri、Youness Zaarour、Chaimae Ramdani、Mustapha El Bouhssini；Hafid Griguer 基于耦合线滤波器的宽带低噪声放大器 (LNA) 的设计，带有陷波滤波器以抑制不需要的频率 Faycal El Hardouzi；Mohammed Lahsaini 印刷嵌入式天线的设计、制造和验证 Julen Caballero Anton；Jose M Gonzalez-Perez；Izaskun Bustero；Marta Cabedo-Fabrés；Leire Bilbao； Jon Maudes 纳米卫星可靠天线部署系统的研究与设计 Sara Essoumati；Oulad said Ahled；Gharnati Fatima 用于 C、X 和 Ku 波段的极化捷变频率选择表面 (FSS) Shahlan Ahmad, Sr.；Adnan Nadeem；Nosherwan Shoaib 使用基于 k 折交叉验证的 ANN 设计和优化用于 28 GHz 5G mmWave 应用的十字形槽 UWB 微型贴片天线 Lahcen Sellak；Samira Chabaa；Saida Ibnyaich、Asma Khabba；Abdelouahab Zeroual；Atmane Baddou 使用基片集成波导 (SIW) 和 WCIP 方法设计和建模铁氧体循环器 Noemen Arroussi Ammar 13:30-15:00 – TLAS III 室
Flash 架构
以及信息科学与应用国际会议 (ICISA) ⋅ 工程学院模拟与混合信号设计与测试中心委员会成员 ⋅ IEEE 微波理论与技术学报、IEEE 电子器件学报和 IEEE 固态电路杂志的技术审稿人 精选出版物 ⋅ S. Hamedi-Hagh、MY Siddiqui、M. Singh 和 S. Ardalan，“具有恒定回波损耗的低压数字控制 4GHz 可变增益放大器，”微电子选定领域杂志，2012 年。 ⋅ S. Hamedi-Hagh 和 D.-H. Park，“纳米线晶体管在驱动纳米线 LED 中的应用，”电气电子材料学报，第 13 卷，第 2 期，第 73-77 页，2012 年。 ⋅ S. Hamedi-Hagh、M. Tabesh、S. Oh、NJ Park 和 D.-H. Park，“用于近场通信的 UHF CMOS 前端设计”，电气工程与技术杂志，KIEE，第 6 卷，第 6 期，第 817-823 页，2011 年。⋅ Bindal, D. Wickramaratne 和 S. Hamedi-Hagh，“利用硅纳米线技术实现直接序列扩频基带发射器”，纳米电子学和光电子学杂志，第 5 卷，第 1 期，第 1-12 页，2010 年。⋅ Bindal, T. Ogura、N. Ogura 和 S. Hamedi-Hagh，“用于实现带扫描链的现场可编程门阵列架构的硅纳米线晶体管”，纳米电子学和光电子学杂志，第 5 卷，第 1 期，第 1-12 页，2010 年。 4，第 342-352 页，2009 年。⋅ S. Hamedi-Hagh、JC Chung、S. Oh、NJ Park 和 DH Park，“用于 GPS 通信系统的高性能贴片天线的设计”，电气工程与技术杂志，KIEE，第 342-352 卷。 4，第 2 期，282-286 页，2009 年。⋅ S. Hamedi-Hagh 和 A. Bindal，“下一代纳米线放大器的设计和特性”，《VLSI 设计杂志》，文章 ID 190315，2008 年。⋅ JC Chung 和 S. Hamedi-Hagh，“单芯片通信系统的 PCB 匹配电感器和天线的设计”，《国际微波科学与技术杂志》，文章 ID 287627，2008 年。⋅ Hamedi-Hagh 和 A. Bindal，“使用完全耗尽周围栅极晶体管的纳米线 CMOS 放大器的特性”，《纳米电子学与光电子学杂志》，第 4 卷，第 2 期，第 282-286 页，2009 年。 ⋅ S. Hamedi-Hagh、S. Oh、A. Bindal 和 DH Park，“使用纳米线 FET 设计下一代放大器”，电气工程与技术杂志，KIEE，第 3 卷，第 4 期，第 566-570 页，2008 年。⋅ S. Hamedi-Hagh 和 A. Bindal，“用于高速模拟集成电路的硅纳米线场效应晶体管的 SPICE 建模”，IEEE Transactions on Sotoudeh Hamedi-Hagh 第 3/6 页纳米技术，第 7 卷，第 766-775 页，2008 年。⋅ Bindal、S. Hamedi-Hagh 和 T. Ogura，“用于现场可编程门阵列架构应用的硅纳米线技术”，纳米电子学与光电子学杂志，第 3 卷，第 4 期，第 566-570 页，2008 年。 3，第 2 期，第 1-9 页，2008 年。 ⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“硅纳米线晶体管及其在未来 VLSI 中的应用：16×16 SRAM 的探索性设计研究”，纳米电子学和光电子学杂志，第 2 卷，第 294-303 页，2007 年。⋅ Bindal、A. Naresh、P. Yuan、KK Nguyen 和 S. Hamedi-Hagh，“利用硅纳米线技术设计双功函数 CMOS 晶体管和电路”，IEEE 纳米技术学报，第 6 卷，第 291-302 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“利用硅纳米线技术设计新型脉冲神经元”，纳米技术杂志（物理研究所），第 2 卷，第 301-302 页，2007 年。 18，第 1-12 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“关于节能硅纳米线动态 NMOSFET/PMESFET 逻辑的探索性研究”，IEE 科学、测量和技术会议录，第 1 卷，第 121-130 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“使用硅纳米线技术实现交叉开关架构的静态 NMOS 电路”，半导体、科学和技术杂志（物理研究所），第 22 卷，第 54-64 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“硅纳米线技术对单功函数 CMOS 晶体管和电路设计的影响”，纳米技术杂志（物理研究所），第 17 卷，第 4340-4351 页，2006 年。