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World File Search System超宽
ITU-R SM.1756-0 建议书 - 引入使用超宽带技术的设备的框架
民航和海事系统依赖于可在全球范围内使用的无线电频率。安全服务，例如无线电导航服务、无线电导航卫星服务和 MMS 的某些元素，是用于保护人类生命和财产的无线电通信服务。航空移动服务（路线）和航空移动卫星服务（路线）保留用于与飞行安全和规律性相关的通信。安全服务通常在干扰可能严重影响接收并损害所提供的安全无线电通信的情况下运行。由于保护人类生命和财产的迫切要求，安全系统必须满足高水平的完整性、可靠性和可用性，因此这些系统必须在无干扰的环境中运行。因此，应特别注意安全服务的保护要求。
具有超宽带自相位补偿的反射式光学涡旋发生器
摘要：信息的爆炸式增长迫切要求扩展光通信和信息处理的容量。基于轨道角动量的模分复用 (MDM) 被公认为提高单光纤带宽最有前途的技术。为了使其与主波分复用 (WDM) 兼容，宽带等高效相位编码受到高度追求。本文提出了一种基于扭曲液晶和后镜的超宽带反射平面光学设计。光在扭曲双折射介质内的回溯导致消色差相位调制。利用这种设计，展示了单扭曲反射 q 板将白光束转换为多色光学涡旋。进行了琼斯演算和矢量光束表征以分析宽带相位补偿。双扭曲配置将工作波段进一步扩展到 600 nm 以上。它为WDM/MDM兼容元件提供了超宽带和反射解决方案，并可能显著促进超宽带平面光学技术的进步。
用于深层微波热疗的超宽带头盔脑部治疗器中的天线布置
简单总结：尽管早期研究对胶质母细胞瘤的疗效令人鼓舞，但目前热疗尚未应用于脑癌的治疗。由于关键器官的存在及其对高温的额外敏感性，聚焦颅内加热是一项具有挑战性的任务。在本文中，我们引入了一个新概念来设计 UWB 施加器，以便在大型脑肿瘤中实现足够的温度，同时保护健康组织免于过热。我们引入了一种快速电场近似方案，可以快速探索大量阵列配置，以确定头部周围最优化的天线布置，以满足临床热疗的多个目标和要求。所提出的解决方案设法实现了成功治疗所必需的肿瘤覆盖和热点抑制水平。结果表明，该方法足够准确，可以为给定的肿瘤形状和位置提供有关最合适天线布置的定性指示，同时产生比环形天线阵列更高的目标温度。
RavenStar™一种适用于您的任务的超宽带技术
RavenStar™是一种创新的超宽带技术，可实现可扩展的RF性能，并具有高级功能，例如果酱阻力，多个极化，双链操作和横梁转向。这种开创性的技术可以取代消费珍贵互换的天线农场，并提供高级的多通道功能，通常仅由昂贵且复杂的多元素阵列提供。孔径：
采用 GaN 光学器件的超宽测量范围微型粘度计
约430 nm。为了便于GaN芯片与条带的有效组装，将使用3D聚乳酸打印机制备的固定器扣在PCB上并用于固定条带的一端，如图1d所示。条带与器件之间的初始间距设计为0.2 mm，选择杨氏模量为190 GPa的304型不锈钢作为条带材料，以避免与被测流体发生化学反应。使用宽度为6 mm的宽条带不仅可以避免环境光的影响，还可以确保发射器的发光被高度覆盖。而且由于GaN器件不接触流体，流体的吸收或透明度不会影响测量结果。
超宽带双...的实验特性
硅光子集成电路通常需要 3 dB 光功率分配器，该分配器具有最小损耗、小尺寸、超宽带宽和宽松的制造公差，用于在芯片上分配光，并作为形成更复杂设备的关键构件。对称 Y 型结因其与波长无关的响应和简单的设计而在其他功率分配设备中脱颖而出。然而，当前制造方法的分辨率有限，导致两个 Y 型结臂之间的尖端出现最小特征尺寸 (MFS)，从而导致基模的严重损耗。在这里，我们建议通过在新型超宽带和制造公差 Y 型结中利用亚波长超材料来规避这一限制。对 260 nm 带宽（1420-1680 nm）进行的详尽实验研究表明，对于高分辨率光刻工艺（MFS ~ 50 nm），基本横电模式（TE 0 ）的额外损耗低于 0.3 dB，对于 100 nm 的制造分辨率，额外损耗低于 0.5 dB。亚波长 Y 结具有 ±10 nm 的确定性诱导误差，进一步证明了稳健的制造公差。此外，使用高分辨率光刻技术，分路器在 100 nm 带宽（1475-1575 nm）内表现出低于 1 dB 的一阶横电模式（TE 1 ）的额外损耗。
来自近红外和中红外的超宽带微波辐射...
表格已获批准 OMB 编号 0704-0188 估计每次回应此信息收集的公共报告负担平均为 1 小时，其中包括审查说明、搜索现有数据源、收集和维护所需数据以及完成和审查此信息收集的时间。请将有关此负担估计或此信息收集的任何其他方面的评论（包括减轻此负担的建议）发送至国防部华盛顿总部服务处信息行动和报告理事会（0704-0188），1215 Jefferson Davis Highway, Suite 1204, Arlington, VA 22202-4302。受访者应注意，尽管法律有其他规定，如果信息收集未显示当前有效的 OMB 控制编号，则任何人都不会因未能遵守信息收集而受到任何处罚。请不要将表格寄回上述地址。 1. 报告日期（日-月-年） 2020-10-10
综述——宽带隙和超宽带隙半导体的辐射损伤
宽带隙半导体 SiC 和 GaN 已经作为功率器件商业化，用于汽车、无线和工业电源市场，但它们在太空和航空电子应用中的应用受到重离子暴露后易发生永久性性能退化和灾难性故障的阻碍。这些宽带隙功率器件的太空认证工作表明，它们易受无法屏蔽的高能重离子空间辐射环境（银河宇宙射线）的损坏。在太空模拟条件下，GaN 和 SiC 晶体管在其额定电压的约 50% 下表现出故障敏感性。同样，在重离子单粒子效应测试条件下，SiC 晶体管容易受到辐射损伤引起的性能退化或故障，从而降低了它们在太空银河宇宙射线环境中的实用性。在 SiC 基肖特基二极管中，在额定工作电压的 ∼ 40% 时观察到灾难性的单粒子烧毁 (SEB) 和其他单粒子效应 (SEE)，并且在额定工作电压的 ∼ 20% 时漏电流出现不可接受的下降。超宽带隙半导体 Ga 2 O 3 、金刚石和 BN 也因其在电力电子和日盲紫外探测器中的高功率和高工作温度能力而受到探索。从平均键强度来看，Ga 2 O 3 似乎比 GaN 和 SiC 更能抵抗位移损伤。金刚石是一种高度抗辐射的材料，被认为是辐射探测的理想材料，特别是在高能物理应用中。金刚石对辐射暴露的响应在很大程度上取决于生长的性质（自然生长与化学气相沉积），但总体而言，金刚石对高达几 MGy 的光子和电子、高达 10 15（中子和高能质子）cm − 2 和 > 10 15 介子cm − 2 的辐射具有抗辐射能力。BN 对高质子和中子剂量也具有抗辐射能力，但由于中子诱导损伤，h-BN 会从 sp 2 杂化转变为 sp 3 杂化，并形成 c-BN。宽带隙和超宽带隙半导体对辐射的响应，尤其是单粒子效应，还需要更多的基础研究。© 2021 电化学学会（“ ECS ” ）。由 IOP Publishing Limited 代表 ECS 出版。[DOI：10.1149/2162-8777/ abfc23 ]
基于超宽带隙氮化铝平台的下一代电子产品
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采用多平面光转换的超宽带偏振不敏感光学混合器
众所周知，光混合器 [1] 是光通信相干接收器中的关键组件。它可以采用多种技术构建，包括光纤、硅光子学和偏振光学 [2-5]。扩展可用带宽以匹配光电探测器的整个范围可以实现新的应用，例如相干光谱 [6]、光纤传感 [7]、光检测和测距 (LiDAR) [8]，以及生物医学传感和成像 [9]，例如光学相干断层扫描 (OCT) [10]。在迄今为止报道的制备的混合器中，最大的带宽为 120 nm，约为 1550 nm，这是因为如果不进行主动调整就难以获得精确的 90° 相移 [11-13]。多平面光转换 (MPLC) 是一种多输入、多输出光束重塑技术，由一系列由自由空间传播分隔的相位掩模组成 [14, 15]，因此可以产生具有 2 个输入和 4 个输出的光混合器。图 1 显示了由 14 个光滑相位掩模板和一个金镜组成的多反射腔中形成的光学混合器的示意图。输入由微透镜准直的单模光纤阵列馈送，输出是四束高斯光束，这些光束与类似的光纤准直器阵列模式匹配，或者可以在自由空间光电探测器上检测到。