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World File Search System输出脉冲
3 国际辐射物理和化学大会...
3 NNSA，华盛顿特区，美国 LTD 技术方法可产生非常紧凑的设备，可直接从腔体输出非常快的高电流和高电压脉冲，而无需任何复杂的脉冲形成和脉冲压缩网络。由于输出脉冲上升时间和宽度可以轻松定制（脉冲整形）以满足特定应用需求，因此负载可能是真空电子二极管、z 型收缩线阵列、气体喷射器、衬套、等熵压缩负载（ICE）以研究材料在非常高的磁场下的行为，或聚变能（IFE）目标。根据桑迪亚实验室的合同，俄罗斯托木斯克的高电流电子研究所（HCEI）设计和建造了十个 1-MA LTD 腔体。这些腔体最初设计用于在真空或磁绝缘传输线（MITL）电压加法器配置中运行。在这种模式下成功运行后，我们正在逐步对其进行修改，使其能够在去离子水绝缘电压加法器中组装运行。特别注意通过过滤进行清洁，去除溶解和自由水，并除去腔体油中的空气。除了去离子和去除气泡外，还对电压加法器的水进行了类似的处理。为此，设计和建造了两个连续运行的水和油再循环系统。最重要的 LTD 驱动器应用之一 (IFE) 将需要不间断地进行数万次射击。目前，我们正在运行两个经过修改的腔体，这些腔体具有更坚固的组件，并且专门为水而设计
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IXYS COLORADO Directed Energy, Inc. PVX-2506 脉冲 IV 测试脉冲器
1.0 一般说明 PVX-2506 脉冲发生器设计用于对高达 50 伏和 10 安的半导体器件进行脉冲 IV（电流-电压）特性分析。它也非常适合需要高电流、精密电压脉冲的其他应用。半导体器件的 IV 特性是频率和温度的函数。曲线追踪器和其他“DC”测试系统通常会逐步通过一系列栅极电压，并在每个栅极电压下扫描整个测量范围内的漏极电压。该器件在每个点基本上达到热平衡和电子（半导体陷阱）平衡，产生与实际 RF 操作特性不同的测试特性。通过使用 PVX-2506 对器件进行脉冲处理并在脉冲期间进行测量，可以在器件升温之前进行测量。这可以避免与传统“DC”测试相关的热效应，更接近器件在高频下运行时的特性，并且不会激活半导体“陷阱”。 PVX-2506 采用双向 MOSFET 输出级设计，采用 DEI 的 DE 系列快速功率 MOSFET。此设计提供快速上升和下降时间，过冲、下冲和振铃最小，稳定时间快。这种受控电压波形允许被测设备 (DUT) 在几百纳秒内稳定电压，从而允许在设备开始加热之前进行 IV 测量。可以将静态（偏置）电压施加到脉冲发生器，允许 DUT 保持在非零电压，然后在此电压之上或之下脉冲。PVX-2506 需要输入门信号、脉冲 (VHIGH) 和可选静态 (VLOW) 直流电源输入。输出脉冲宽度和频率由输入门信号控制。输出电压幅度由输入 VHIGH 和可选 VLOW 直流电源幅度控制。前面板控制和监视器提供了在脉冲模式下运行或切换到直流模式的灵活性，在该模式下，VHIGH 电源产生的直流电压直接施加到 DUT。提供集成仪器质量电压和电流探头，以方便脉冲数据采集。输出脉冲通过创新的低阻抗电缆发射。该电缆的设计保持了输出脉冲的保真度，而不会引入脉冲失真或振铃，并提供了一种方便的方法来