Martina Trahs,Larissa Melikek,Jacob F. Steinen Tammena,Nils Bogs,Nils Bagram Gamed,Kixtix Vend,Casharina Frank
因此,可以通过执行各个量子数交换的所有可能组合来获得允许的对振幅(eqs。(S2)和(S3)),填充反对称条件等式。(S1)。这样做,我们发现八个允许尊重反对称条件的对对称类别,其中4对应于奇数相关性,请参见表S1。特定相关性是超导索引(sup。索引)在扩大允许的对对称性方面起着至关重要的作用。表S1在主文本的“ jjs中的us频间振幅”部分中显示为表1。在没有任何自旋粘合字段的情况下,出现对的相关性的自旋对称性与母体超导体的自旋对称性相同。因此,在我们的研究中允许的对对称类别(不存在旋转式粘合字段)是ESEE和OSOE对对称类别:它们对应于超导体指数中的偶数(奇数频率)旋转(奇数)均匀(奇数)旋转单元(奇数),甚至对应于超导器指数。通过包括一个自旋混合字段,可以获得表S1中对应于OTEE和OTOO对对称类别的奇数自旋 - 三个三角对振幅,可以用作超导阶段高度可控制的旋转源,从而可以使超导性旋转旋转的超导量。由于我们在主文本中提出的结果中没有自旋混合字段,因此其中的对对称性表现出父母超导体的自旋对称性,即自旋单旋。这是在主文本的“ JJS中的persupconductor对振幅”部分中特别讨论的。
我们研究了通过正常超导体 (NS) 结的传输,该结由具有螺旋边缘态的量子自旋霍尔 (QSH) 系统和具有手性马约拉纳边缘模式的二维 (2D) 手性拓扑超导体 (TSC) 制成。我们采用二维扩展四带模型,用于磁场 (塞曼) 中受 s 波超导影响的 HgTe 基量子阱。我们使用 Bogoliubov-de Gennes 散射形式表明,该结构提供了 2D TSC 的显著传输信号。作为样品宽度 (或费米能量) 的函数,电导共振经历 2 e 2 / h (非平凡相) 和 4 e 2 / h 平台期 (平凡相) 的序列,随着样品宽度变大,它们落入非零陈数 (2D 极限) 的区域内。这些特征是 QSH 效应和 TSC 拓扑性质的体现。
所研究的设备包含平面JJS,由厚度为70 nm的NB膜制成。该胶片是通过在氧化的Si晶片上在室温下在室温下溅射沉积的。首先通过光刻和活性离子蚀刻将薄膜构成约6 µm宽的桥梁,然后由Ga+聚焦离子束(FIB)FEI NOVA 200。JJS具有可变的厚度桥结构。它们是通过通过fib在NB层中切一个狭窄的凹槽而制成的。单线切割,名义宽度为零,在10 pA和30/10 kV加速电压下进行。蚀刻时间是自动限制的。“长” JJ2是使用30 kV梁制成的,其斑点尺寸约为7 nm,而“短” JJ1是用10 kV fib制成的,其斑点大小约为两倍。由于NB的重新沉积,FIB切割的深度在纵横比(深度/宽度)〜2处是自限制(请参阅参考文献中的讨论[1])。结果,JJ1既比JJ2更宽又深,如图3(a),导致临界电流的相应差异。
a.c josephson效应让整个连接处都应用静态势差,库珀对在整个连接处的隧道过程中引入了另一个阶段。可以使用量子力学计算这种附加相变(∆φ)。
的方法,以确定来自单个原子计数中3D体积的多晶材料中溶质分离的Gibbs三重连接过量(γTJ)。一种方法基于累积分析,而另外两种方法则使用溶质原子的径向整合。这些方法已被证明并在模拟模型体积上进行了比较,其中包括三个晶界在三连接处连接,并具有吉布斯晶界和三连接过量的设置值。一种实验技术,可提供3D体积的单个原子检测和接近原子量表的空间分辨率是原子探针断层扫描。cosi 2薄膜的原子探针断层扫描量已获得三个晶界和三连接。Ti分离是在晶界和三连接处定性发现的。在所研究的COSI 2三重连接处的Ti过量的定量揭示了三种引入的方法阳性吉布斯三重连接过量值。它表明COSI 2三重连接处有过量的Ti,并为其量化提供了机会。
可以预期,短截线电缆在终端接口处以特性阻抗终止,但是,MIL-STD-1553 定义终端必须具有相对较高的输入阻抗。终端相对于特性阻抗的高输入阻抗将在终端与短截线的连接处产生较大的反射系数。这种高阻抗的结果是,大部分短截线波将被反射回总线,并将由于短截线的延迟而以相移的形式重新添加到入射波中。如果终端以特性阻抗终止,则信号将在每个短截线连接处衰减,并会显著限制可以连接到总线的终端数量。相反,1553 以少量相位失真为代价,最大限度地减少了由于短截线引起的衰减。