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深圳市斯达微电子有限公司
¾ 采用 CMOS 工艺制造，低功耗 ¾ 很宽的工作电压范围（ V DD =2.4V ～ 15V ） ¾ 最大到 12 位三态地址管脚或 6 位数据输出管脚 ¾ SD827 2B 解码可选择锁存型（后缀－ L ）和瞬态型（后缀－ M ）数据输出 ¾ 封装形式为 DIP18 、 SOP18 、 SOP20 或 CHIP （裸芯片）
![俄乌冲突对中美关系的影响论析[1]](/simg/8\842d07fba6139976495298fd174063d5d4fa2031.webp)
乌迪内大学 - UNIUD
在过去十年中，石墨烯因其独特的电气特性（如高电子迁移率和高饱和速度 [1]）而备受关注。遗憾的是，由于没有带隙，石墨烯不适合数字电路应用。在模拟 RF 电路中，传统的 MOSFET 结构（如石墨烯场效应晶体管 (GFET)）能够达到约 400 GHz 的截止频率 (f T ) [2]，但输出特性的非饱和行为 [3] 导致重要 RF 性能指标的下降，因为固有电压增益 A V = g m / g ds 。出于这个原因，最近提出了新的基于石墨烯的晶体管概念，如石墨烯基晶体管 (GBT, [4])，利用通过薄电介质的量子隧穿，如热电子晶体管 (HET, [5])。GBT 由垂直结构组成（图1 中的插图），其中石墨烯片用作控制电极，即基极 (B)，位于图1 中的 x = 0 处。基极通过发射极-基极和基极-集电极绝缘体（分别为 EBI 和 BCI）与金属或半导体发射极 (E) 和金属集电极 (C) 隔开 [4]。在正常运行中（即正基极-发射极偏压，V BE > 0 和正集电极-基极偏压，V CB > 0），电子隧穿 EBI，垂直于石墨烯片 (GR) 穿过基极，然后沿着图1 中的 x 方向漂移穿过 BCI 的导带 (CB)。尽管其单原子厚度，
康斯坦察“奥维迪乌斯”大学
“OVIDIUS” 大学年鉴 - 康斯坦察系列：土木工程分析大学“OVIDIUS” 康斯坦察系列：建筑 主编：Lucica ROSHU，博士，EDIUS，土木工程学院。工程，124，Mamaia Blvd.，900527，RO.，Constantza，罗马尼亚执行编辑：Carmen MAFTEI，博士，工程师，“OVIDIUS”大学土木工程学院，124，Mamaia Blvd.，900527，Constantza，RO。社论董事会 Haydar ACKA 博士、Dumitru Ion ARSENIE 博士工程师，鲁门·阿尔索夫，博士工程师，Joseph BARTHA，博士工程师，Alex Horia BARBAT，博士工程师，Virgil BREAB，博士工程师、Alin CARSTEANU 博士、Mehmet DURMAN 博士工程师，Ion GIURMA，博士工程师，Pierre HUBERT，博士，Axinte IONIŢĂ，博士，工程师，Theodor Eugen MAN，博士Eng，Maria MAVROVA-GIRGINOVA，博士律师。图兰·奥兹图兰，教授博士工程师，Lucija ROCHU，教授博士工程师，Dan STEMATIO，教授博士工程师，
基于 TFET - 乌迪内大学 - UNIUD
本研究中的 TFET 为浮体 SOI 器件，因此应首先评估执行电荷泵浦测量的可行性 [19]。当用具有恒定基极电平和幅度的方波脉冲栅极时，漏极和源极保持在相同的电位，该电位扫过 0 至 1.5 V 的适当范围，以激活 Si/栅极电介质界面处的生成-复合过程。发现在 P+ 源极接触处测得的电流与栅极脉冲的频率成正比，证明了电荷泵浦装置的正确性 [20]，[21]。因此，即使我们的基于 SOI 的 TFET 中没有体接触，由于源极和漏极具有相反的掺杂类型，我们仍然可以执行电荷泵浦测量来评估 N it 。对于下面所示的电荷泵结果，栅极由 500 kHz 方波驱动，其边沿时间为 100 ns，幅度为 1.5 V，基准电平为 0 V，脉冲占空比为 50%。
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挪威乌鲁斯 - 在
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马里乌斯·安德烈·奥拉里乌
相关论文选登： 1. (JOURNAL1) M. Olariu、A. Arcire，用于呼吸分析目的的富勒烯 C60 的甲烷和氢气传感特性，IAŞI 理工学院公报，第 64 卷（68），第 3 期，页。 107-119，2018，电工部分。活力。电子学 2. Olariu Marius、Arcire Alexandru，基于交叉指型微电极几何形状变化提高介电泳阵列电操作能力，DOI：10.1109/ICEPE.2016.7781298，电子版 ISBN：978-1-5090-6129-7，pg。 37-41，第九届国际电气和电力工程会议暨博览会，EPE 2016 INSPEC 接入号：16525883 3. Baluta, G.，Olariu M.，BLDC 电力驱动系统闭环控制和无传感器控制的数值模拟，2014 年，EPE 2014 - 2014 年国际电气和电力工程会议暨博览会论文集，文章编号 6970047，第 927-932 页，ISBN：978-1-4799-5849-8 接入号：WOS：000353565300173 4. (REVISTA2) Cetiner, S.; Olariu，M.；新奥尔良，卡亚； Aradoaei S, 聚（丙烯腈-共-丙烯酸）-聚吡咯复合材料的热刺激放电电流，2013 年 3 月，Key Engineering Materials 543:154-158，DOI：10.4028/www.scientific.net/KEM.543.154 接入号：WOS:000319023100038 5. Scarlatache, V.-A.、Olariu, M.、Ursache, S.、Ciobanu, RC、Pasquale, Mb，铁磁粉末增强纳米复合聚合物基质的磁损耗和介电损耗，2012 年，文章编号 6463940，第 125-128 页，2012 年，ISBN：978-1-4673-1172-4； 978-1-4673-1173-1，第七届国际电气和电力工程会议和博览会，EPE 2012 接入号：WOS:000324685300026 6.（JOURNAL3）山羊。 A、Coisson A、Fiorillo、Kabos P、Manu OM、Olivetti A、Olariu MA、Pasquale M、Scarlatache VA、聚合物键合氧化铁纳米粒子的微波行为，IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS 卷：48 期：11 页：3394-3397 DOI：10.1109/TMAG.2012.2200462 出版日期：2012 年 11 月，影响因子 = 1,467
科尔内利乌·马里乌斯·克拉丘内斯库
出生日期和地点：1960 年 7 月 25 日，罗马尼亚蒂米什瓦拉。国籍：罗马尼亚 公民身份：罗马尼亚人 联系方式：蒂米什瓦拉理工大学机械工程学院材料与制造工程系，Bd。 Mihai Viteazul 1, 300026 蒂米什瓦拉罗马尼亚；电话：+40-256-403655；传真：+40-256-403523；电子邮件：craciunescucm@yahoo.com, corneliu.craciunescu@upt.ro a) 教育/文凭